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  • 第I章：半导体基础：半导体器件的类型
  • 什么是半导体？
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  • 二极管的类型
  • 各种二极管的特性应用
  • 肖特基势垒二极管（SBD）
  • 整流二极管的功能
  • 肖特基势垒二极管（SBD）的反向恢复特性
  • TVS二极管（ESD保护二极管）
  • 肖特基势垒二极管（SBD）金属的差异
  • 整流二极管的正向特性（IF-VF特性）
  • TVS二极管和齐纳二极管之间的差异（2）
  • 可变电容二极管（变容二极管）
  • TVS二极管和齐纳二极管之间的差异（1）
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  • 第Ⅲ章：晶体管：晶体管的类型
  • MOSFET的性能：电容的特性
  • MOSFET的性能：安全工作区域（或安全操作区域）
  • 第III章：晶体管：双极晶体管（BJT）
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  • 结型场效应晶体管（JFET）
  • IGBT的应用
  • 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）
  • BJT和MOSFET的差异
  • MOSFET的结构和工作原理
  • MOSFET性能改进：RDS(ON)的决定因素
  • MOSFET性能改进：低RDS(ON)的解决方案
  • MOSFET性能改进：超级结MOSFET（SJ-MOS）
  • 按结构分类的MOSFET特性摘要
  • MOSFET的性能：漏极电流和功耗
  • MOSFET的性能：雪崩能力
  • IGBT和MOSFET的正向特性比较
  • 绝缘栅双极晶体管（IGBT）
  • 绝缘栅双极晶体管（IGBT）的工作原理
  • IGBT的性能改进：垂直设计的发展
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  • 微控制器的历史: 大规模集成电路和微控制器
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  • 低功耗技术
  • 低功耗控制块
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  • 按TX3组划分的外围电路
  • M320组的外围电路
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  • M330组应用示例（1）
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  • M340组的外围电路
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  • M380组应用示例（1）
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  • CMOS逻辑IC基础知识
  • 什么是逻辑IC?
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  • 标准逻辑IC的类型
  • 使用CMOS逻辑IC的设备
  • 使用CMOS逻辑IC的原因
  • CMOS逻辑IC分类及各系列概述
  • 什么是CMOS逻辑IC?
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  • 组合逻辑：反相器和缓冲器
  • 组合逻辑：双向总线缓冲器
  • 组合逻辑：施密特触发装置
  • 组合逻辑：解码器
  • 组合逻辑：多路复用器
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  • 组合逻辑：模拟开关
  • 时序逻辑：锁存器
  • 时序逻辑：触发器
  • 时序逻辑：计数器
  • 时序逻辑：移位寄存器
  • 读取数据表：绝对最大额定值和工作范围
  • 读取数据表：直流电气特性
  • 读取数据表：输入电压（VIH和VIL）
  • 读取数据表：输出电流（IOH和IOL）
  • 读取数据表：输入电流（IIN）
  • 读取数据表：静态供电电流（ICC）
  • 读取数据表：交流电气特性
  • 读取数据表：传输延迟时间（tpLH和tpHL）
  • 读取数据表：功耗电容（CPD）
  • 读取数据表：输入容限功能
  • 读取数据表：输出容限功能
  • 读取数据表：掉电保护
  • 读取数据表
  • CMOS逻辑IC的使用注意事项
  • 对于未使用输入引脚的处理
  • 输入上升和下降时间规范
  • 通用CMOS逻辑IC的多个输出发生冲突（短路）
  • 将负载电容连接到CMOS输出引脚
  • 计算工作电流和功耗
  • 使用输入容限功能的电平转换
  • 掉电保护功能应用示例（局部掉电）
  • 每个系列都具有输入容限和输出掉电保护功能
  • 需要注意的噪声类型
  • 降低开关噪声的对策
  • 信号反射的对策
  • 串扰的对策
  • 危害的对策
  • 亚稳态的对策
  • 锁存的对策
  • ESD防护的对策
  • eFuse IC基础知识
  • 什么是半导体保险丝eFuse IC？
  • 半导体保险丝eFuse IC的优势（1）
  • 半导体保险丝eFuse IC的优势（2）
  • 半导体保险丝eFuse IC的优势（3）
  • eFuse IC与传统保险丝的性能比较
  • 使用半导体保险丝（eFuse IC）的应用示例
  • 过流保护功能（OCP）
  • 短路保护功能
  • 过压保护功能（过压钳位）
  • 转换速率控制（抑制浪涌电流）
  • 运算放大器基础知识
  • 1、什么是运算放大器？
  • 1-1运算放大器的特性（什么是理想的运算放大器？）
  • 1-2运算放大器的内部操作
  • 2、使用运算放大器
  • 2-1反馈（正反馈和负反馈）
  • 2-2开环增益和闭环增益（增加放大器的带宽）
  • 2-3振荡
  • 2-4运算放大器的基本应用
  • 2-5虚拟短路（虚拟接地）
  • 3、电气特性
  • 3-1输入补偿电压（VIO）
  • 3-2共模输入电压范围（CMVIN）和共模输入信号抑制比（CMRR）
  • 3-3运算放大器的内部噪声
  • 3-4噪声增益和信号增益
  • TVS二极管（ESD保护二极管）基础知识
  • 1-1反向击穿电压
  • 1-2使用不同类型保护二极管（ESD保护二极管和用于过压保护的齐纳二极管）
  • 1-3保护二极管（ESD保护二极管和浪涌保护齐纳二极管）与稳压二极管的区别
  • 1、什么是TVS二极管（ESD保护二极管）？
  • 2、TVS二极管（ESD保护二极管）的基本工作原理
  • 2-1等效电路及优点
  • 3、TVS二极管（ESD保护二极管）的主要电气特性
  • 3-1 正常工作状态（无ESD事件）的主要特性（1）
  • 3-1正常工作状态（无ESD事件）主要特性（2）
  • 3-1正常工作状态（无ESD事件）的主要特性（3）
  • 3-2 ESD事件保护的主要特性（1）
  • 3-2 ESD事件保护的主要特性（2）
  • 3-2 ESD事件保护的主要特性（3）
  • 4、TVS二极管（ESD保护二极管）的选型指南
  • 5、TVS二极管 (ESD保护二极管) 的布局注意事项
  • 6、TVS二极管（ESD保护二极管）的绝对最大额定值
  • 补充资料：IEC 61000-4-2和IEC 61000-4-5
  • 7、TVS二极管（ESD保护二极管）的电气特性
  • 负载开关IC基础知识
  • 1-2.使用负载开关IC的优点
  • 1-1.什么是负载开关IC？
  • 2-1.负载开关IC提供的是实用功能
  • 2-2.过流保护的操作
  • 2-3.热关断的操作
  • 2-4.浪涌电流降低
  • 2-5.自动放电
  • 2-6.欠压锁定（UVLO）
  • 2-7.反向电流保护
  • 3-1.负载开关IC数据表中使用的术语表
  • 4-1.计算负载开关IC的功耗和散热
  • 低压差（LDO）稳压器基础知识
  • 1-1.稳压器IC类型
  • 1-3.什么是LDO稳压器？
  • 1-2.线性稳压器和开关稳压器的优缺点
  • 1-4.电子系统LDO稳压器的要求
  • 1-5.什么是线性稳压器？
  • 1-6.线性稳压器和开关稳压器功能
  • 1-7.串联稳压器工作原理
  • 1-8.串联稳压器电路配置
  • 1-9.三端稳压器与LDO稳压器的区别
  • 2-1.LDO稳压器实用功能
  • 2-2.LDO稳压器过流保护操作
  • 2-3.LDO稳压器热关断（TSD）操作
  • 2-4.LDO稳压器浪涌电流抑制功能
  • 2-5.LDO稳压器自动放电功能
  • 2-6.LDO稳压器欠压锁定（UVLO）功能
  • 3-1.LDO稳压器数据表使用的术语表
  • 4-1.LDO稳压器效率
  • 4-2.LDO稳压器功耗和结温计算
  • 5-1.LDO稳压器的使用注意事项
  • 肖特基势垒二极管基础知识
  • 1.导体、半导体和绝缘体
  • 1-1.能带图
  • 1-2.本征硅半导体的特性
  • 1-3.pn结
  • 1-3-1.正向偏置
  • 1-3-2.反向偏置
  • 3-1.二极管分类
  • 3-2.SBD与pn结二极管的比较
  • 3-3.SBD的应用
  • 3-4.正向电压
  • 3-5.反向恢复时间
  • 3-6.最大额定反向电压（VR）
  • 3-7.漏电流
  • 2. 金属半导体结
  • 2-1.肖特基接触（肖特基结）Φm＞Φn
  • 2-2.欧姆接触（欧姆结）Φm＜Φn
  • 2-3.电导率调制
  • Thermoflagger™基本知识
  • 过热（温度）监测的必要性
  • 什么是Thermoflagger™ ?
  • Thermoflagger™的基本操作
  • 使用Thermoflagger™
  • 特性1： 简化过热检测的电路设计
  • 特性2：低成本解决方案，可监测多个位置的超温情况
  • 特性3：支持故障安全设计(1)
  • 特性3：支持故障安全设计(2)
  • Thermoflagger™应用示例
  • Thermoflagger™应用（参考设计）
  • 目录
  • 假冒商品警告
  • 常见问题（FAQ）
  • 二极管
  • 二极管的技术数据表中的绝对最大额定值有哪些？
  • 二极管的技术数据表是否规定了从结点到环境的热阻?
  • 热量如何改变二极管的特性？（温度特性）
  • 齐纳二极管（稳压二极管、恒压二极管）的温度系数是什么？
  • 使用开关二极管有哪些注意事项？
  • 二极管技术数据表中规定了哪些电气特性？
  • SBD是否具有反向恢复特性（trr）?
  • 齐纳二极管的使用目的是什么？
  • 如何计算二极管的热阻？
  • 如何区分阳极和阴极端子？
  • 如何使用齐纳二极管创造相对恒定的电压，不会受到温度和电源电压变化的显著影响？
  • 二极管的工作原理是什么？
  • 快速恢复二极管（FRD）用于什么样的应用？
  • 齐纳二极管（稳压二极管、恒压二极管）适用于哪些类型的电路？
  • 将多个同一器件型号的二极管进行并联是否可行？
  • 并联使用齐纳二极管是否可行？
  • 串联使用齐纳二极管是否可行？
  • 能否以与典型pn结二极管相同的方式使用齐纳二极管？
  • 什么是二极管？
  • 什么是肖特基势垒二极管（SBD）？
  • 齐纳二极管的工作原理是什么？
  • 变容二极管的主要特性是什么？
  • 如果trr太大会发生什么？
  • 什么是快速恢复二极管（FRD）？
  • 什么是HED？
  • 什么是开关二极管?
  • 什么是变可变电容二极管（变容二极管）？
  • 什么是齐纳二极管（稳压二极管、恒压二极管）？
  • 整流二极管和典型的开关二极管之间有什么区别？
  • SBD的正向电压（VF）是什么？
  • 齐纳二极管（稳压二极管、恒压二极管）的动态阻抗是什么？
  • 适用于FRD时的工作频率是多少？
  • 什么是二极管反向恢复时间（trr）？
  • FRD的trr是什么级别？
  • SBD具有哪些特性？
  • 东芝提供哪些类型的二极管？
  • 二极管技术文档是否指定了工作温度范围？
  • 电源IC
  • 升压转换器如何工作？
  • 降压转换器如何工作？
  • 电源IC可用于哪些部件？
  • 现有哪些类型的本地电源IC？
  • 现有哪些类型的开关型电源IC（开关稳压器）？
  • 隔离器／固态继电器
  • 什么是光耦？
  • 为何需要光耦？
  • 可使用哪些类型的光耦？
  • 光耦的内部结构如何？
  • 可向输入侧LED施加多少伏的电压？
  • 对于LED电流、输出电流和输出电压等项目，可否以在短时间内超过绝对最大额定值指定的值的方式使用光耦？
  • 光耦和光继电器等光隔离器件的特定参数、传输比（CTR）、LED触发电流和输入电流阈值是多少？
  • 如何测量电流传输比（CTR）、LED触发电流和输入电流阈值？
  • 对于在设计设备时整合了LED器件的光耦和光控继电器，应考虑以下事项：LED寿命或光电检测器寿命？
  • 光耦是一种隔离器件。什么是介电强度，这表明其绝缘能力？
  • 光耦与光继电器有何区别？
  • 光耦需要满足哪些安全标准？
  • 适用于光耦的安全标准有哪些要求？如何规定产品的具体要求？
  • 如何找到有关光耦的安全标准认证信息？
  • 电流传输比是什么？
  • 什么是CTR分类的等级？
  • 为什么有两种电流传输比：CTR和CTR（饱和）？
  • 暗电流与断态集电极电流之间有何区别？
  • 为何达林顿晶体管（例如，TLP187和TLP387）的VECO非常低（0.3V）？使用此类晶体管时应采取哪些防范措施？
  • 在使用晶体管耦合器设计电路时，应如何反映电流传输比？
  • 如何选择驱动晶体管耦合器LED的电路？
  • 在使用晶体管耦合器的电路中，应如何选择负载电阻？
  • 晶体管耦合器所需的最低工作电压是多少伏特？
  • 晶体管耦合器所需的最低工作电流是多少毫安？
  • 晶体管耦合器可以传输的信号频率是多少？
  • 对于带有基极端子的晶体管耦合器，如果不使用基极端子，可以使基极端子保持断开并且不采取任何措施吗？
  • 对于IC耦合器，有一项与共模瞬变抗扰度有关的要求。但对于晶体管耦合器，则无此要求。原因是什么？
  • 输入电流阈值是多少？
  • 在使用IC耦合器设计电路时，应如何反映输入阈值电流？
  • 如何选择驱动IC耦合器输入侧LED的电路？
  • 在使用高速IC耦合器的电路中，应如何选择输出上拉电阻？
  • 例如，为使TLP109和TLP759等1Mbps型IC耦合器工作，所需的最低电压为多少伏？
  • 对于IC耦合器，某些产品定义了输入电流阈值定义，而其它产品定义了电流传输比。二者之间有何区别？
  • VCC与GND端子之间是否需要一个旁路电容器？
  • 高速IC耦合器可以传输的信号的频率应该怎么估算？
  • 什么是UVLO功能？
  • 输入信号缓慢上升或下降的波形是否有任何问题？
  • 集电极开路输出型和图腾柱输出类型之间有何区别？另外，使用时有哪些注意事项？
  • IC耦合器的工作电压范围是多少？
  • 什么是共模瞬变抗扰度？为何IC耦合器需要此功能？
  • 当光继电器关闭和打开时，如何找到相应的电阻值？
  • 光继电器的开关部分可使用的最大电压是多少？
  • 需要多大的LED驱动电流才能控制光继电器的开与关？
  • 光继电器的开关部分可以流过的多大的电流？另外，对于脉冲电流或交流电流，将会发生什么？
  • 光继电器的最大开关频率是多少？
  • 从驱动信号生效到切换开关动作需要多长时间？
  • 光继电器可串联使用或并联使用？如果是，有哪些注意事项？
  • 光继电器的CR乘积是什么？
  • 光继电器能否取代机械继电器并以同样的方式使用？有何区别（如有的话）？
  • 什么是光继电器中的A型触点和B型触点？另外，什么是A型连接、B型连接和C型连接？有何区别？
  • 双向可控硅（TRIAC）耦合器有什么用途？
  • 双向可控硅（TRIAC）耦合器代替机械式继电器时，应采取哪些预防措施？
  • 双向可控硅（TRIAC）耦合器、固态继电器（SSR）和光继电器之间有何区别？
  • 零交叉双向可控硅耦合器和非零交叉双可控硅耦合器有什么区别？应该如何正确使用它们？
  • 使用双向可控硅（TRIAC）耦合器进行相位控制时应采取哪些预防措施？
  • 对于双向可控硅（（TRIAC）耦合器，应如何选择VDRM（400V、600V、800V）？
  • 对于双向可控硅元件的ON／OFF，应设置多大的输入电流？
  • 长时间使用双向可控硅（TRIAC）耦合器应采取哪些预防措施？
  • 与双向可控硅（TRIAC）元件连接的缓冲电路选择常数值应如何选择？
  • 当使用双向可控硅（TRIAC）耦合器驱动主双向可控硅（TRIAC）时，应如何确定直接连接双向可控硅（TRIAC）的限流电阻器RT？
  • 能否利用双向可控硅（TRIAC）耦合器打开／关闭高频信号？
  • 使用双向可控硅（TRIAC）耦合器控制负载时，即使在负载侧使用矩形波电源代替正弦波（交流）电源，也可以控制负载吗？
  • 光纤耦合器（TOSLINK™）的用途是什么？
  • 光传输的特点是什么？
  • 什么是光纤耦合器（TOSLINK™）？
  • 什么是光纤？
  • 什么是光传输？
  • 光纤连接器有几种类型？
  • 光耦与数字隔离器的内部结构有什么不同？
  • 不同类型的电流隔离有哪些优缺点？
  • 与其他公司相比，东芝标准数字隔离器有哪些优势？
  • 功率器件栅极驱动光耦中的有源米勒钳位（AMC）如何工作？
  • SiC MOSFET／MOSFET／IGBT／双极晶体管
  • 安全工作区内的虚线标注为“此区域受RDS(ON)限制。”这是什么意思？
  • 对于电容、栅极电荷（Qg）和开关特性是否有最大保证值？
  • 数据表中未指定正向转移导纳（|Yfs|）的原因是什么？
  • MOSFET数据表中列出的最大额定值是多少？
  • MOSFET的电气特性（静态特性IGSS／IDSS／V(BR)DSS／V(BR)DXS）
  • MOSFET体二极管有哪些特点？
  • MOSFET的电气特性（电荷特性Qg／Qgs1／Qgd／QSW／QOSS）
  • MOSFET的电气特性（动态特性Ciss／Crss／Coss）
  • MOSFET的电气特性（动态特性tr／ton／tf／toff）
  • MOSFET漏极-源极导通电阻RDS(ON)是什么？
  • MOSFET的电气特性（静态特性Vth）
  • 如何计算小信号MOSFET的通道到环境的热阻Rth(ch-a)？
  • 串联栅极电阻如何影响MOSFET?
  • N沟道MOSFET的工作原理是什么？
  • 驱动MOSFET应施加多少栅极-源极电压?
  • MOSFET漏极-源极之间的寄生二极管有哪些？
  • 为什么在锂离子二次电池保护电路中串联使用两个MOSFET？
  • 能否可以在漏极和源极之间使用体二极管？
  • 能否在栅极与源极之间使用齐纳二极管吸收浪涌？
  • 功率MOSFET是否需要大驱动电流？
  • MOSFET的导通电阻是否取决于温度？
  • MOS对静电敏感。如何防止MOSFET受静电影响？
  • 如何为电流在体二极管中流动的应用选择合适的高压MOSFET。
  • 如何计算雪崩能量。
  • CPU和MOSFET之间通常会插入电阻。为什么需要使用这些电阻？
  • MOSFET不会被关断信号关断。我怎么解决这个问题?
  • 超结MOSFET与普通D-MOS有何不同？
  • MOSFET的电容特性是什么？
  • 并联使用MOSFET时有哪些注意事项?
  • 在功率MOSFET的漏极与源极之间施加反向电压时有哪些注意事项？
  • MOSFET驱动信号的上升时间和下降时间应注意什么?
  • 安全工作区（SOA）降额是什么意思？
  • MOSFET的dv／dt是什么意思?
  • MOSFET中的雪崩是什么?（雪崩能力）
  • 作为绝对最大额定值的一部分规定的雪崩能力是什么？
  • 绝对最大额定值表中所列的“漏极电流（DC）（硅极限）”定义是什么？
  • 功耗的定义是什么？
  • MOSFET的“逻辑电平栅极驱动”含义是什么?
  • 安装MOSFET时有哪些注意事项？
  • 当使用MOSFET作为负载开关时，如何减少出现的浪涌电流?
  • 在哪里查找有关MOSFET命名规则的信息？
  • 为什么东芝的功率MOSFET所具有的栅极-源极漏电流（IGSS）比其它公司的大？
  • 为何不规定工作温度范围？
  • 漏极电流ID和IDP（绝对最大额定值）是否随温度变化？
  • 外壳温度是在半导体的哪一部分测量的？
  • 什么是开尔文连接?
  • 所有半导体器件
  • 半导体器件的允许耗散功率是多少?
  • 如何将功耗波近似为方波？
  • 如何计算选择半导体器件的散热片（1）
  • 如何计算选择半导体器件的散热片（2）
  • 数据表中未包括“热阻”值的半导体器件的结点温度计算方法
  • 半导体器件功率耗散时结点温度的计算方法
  • 如何计算数据表中未包括的短脉冲宽度下的瞬态热阻抗
  • 如果封装相同，热阻是否相同?
  • 在电路板设计中，降低结点温度的方法有哪些?
  • 外壳温度或引线温度是否与结点温度相同?
  • 双面散热封装的效果是什么?
  • 热通孔的效果是什么?
  • 使用散热片时重要的考虑因素是什么?
  • Rth(j-c)，Rth(j-a)和Rth(ch-c)的热阻后缀是什么意思？
  • 什么是辐射等效电路?
  • 什么是热阻?
  • 什么是瞬态热阻抗?
  • 当多个半导体器件布置在同一块板上时，是否需要考虑热干扰？
  • 通用逻辑IC
  • 射频器件
  • 使用射频器件有什么特殊考虑吗？
  • 如何区分阴极端子和阳极端子？
  • 什么是射频MMIC（射频单元包）？
  • 什么是射频肖特基势垒二极管？
  • 什么是射频开关二极管？
  • 什么是PIN二极管？
  • 什么是变容二极管？
  • 选择可变电容二极管时，有哪些重要的注意事项？
  • 电气特性表中所示的“rs”是指什么？
  • 射频和其他设备有什么区别？
  • 微控制器
  • 是否有在不使用外部地址解码器时实现存储器连接的产品?
  • LSB在表示AD转换误差时的含义是什么?
  • 东芝提供Flash编程服务吗?
  • 有内置LCD驱动器的产品吗?
  • 如何用16位数据总线连接微控制器，用16位数据总线连接NOR闪存?
  • 如何识别故障是由硬件还是软件引起的?
  • 尽管已在开发环境中使用测试工具成功完成了操作检查，但实际器件无法实现正常运行。
  • 参数是否没有正确传递给函数？
  • 函数调用是否返回了一个意外的值？
  • 什么是宽带隙半导体？
  • 什么是浪涌电流？
  • SiC肖特基势垒二极管（SBD）的温度特性是什么？
  • 什么是SiC肖特基势垒二极管（SBD）热失控*？
  • 为何SiC肖特基势垒二极管（SBD）耐压高？
  • 是否需要电源去耦电容？
  • 如何计算电流消耗和功耗？
  • 如何设置输出电流？
  • 每卷载带有多少个IC？
  • EXT端子应该选择多大瓦数的电阻？
  • 电源和输入的开启顺序／下降应该是怎样的？
  • 如果使用级联LED驱动电路，SCK波形变钝，是否会有问题？
  • 绝对最大额定值和工作条件之间有什么区别？
  • 功耗的定义是什么？
  • 什么是高边开关？
  • 什么是低边开关？
  • 什么是接地短路？
  • 什么是电源短路？
  • IPD与IPS之间有何区别？
  • 低压IPD的诊断功能有何作用？
  • 什么是低压IPD的开路负载检测功能？
  • 什么是低压IPD的有源钳位？
  • 低压IPD如何检测温度以实现热关断？
  • 低压IPD的热关断功能如何保护器件？
  • 低压IPD的过流保护如何工作？
  • 配有高边和低边开关的低压IPD能否通过器件型号加以区分？
  • 什么是偏置电阻内置晶体管（BRT）？
  • 电阻有哪些变化？
  • 偏置电阻内置晶体管（BRT）的基极可施加的最大电压是多少？（内置电阻的允许功耗是多少瓦？）
  • 如何计算偏置电阻内置晶体管（BRT）的允许功耗？
  • 偏置电阻内置晶体管（BRT）的导通电压和关断电压分别是多少？
  • 关于如何计算偏置电阻内置晶体管（BRT）的基极电流和输入电压的基本思路
  • 关于偏置电阻内置晶体管（BRT）的hFE
  • 有哪些类型的偏置电阻内置晶体管（BRT）？
  • 如何选择偏置电阻内置晶体管（BRT）？
  • 如何读取偏置电阻内置晶体管（BRT）的数据表（电气特性）
  • 偏置电阻内置晶体管（BRT）如何工作？
  • 如因重负载致使偏置电阻内置晶体管（BRT）的VCE(sat)未降至设计目标，如何应对？
  • 如何提高偏置电阻内置晶体管（BRT）的开关速度？
  • 当偏置电阻内置晶体管（BRT）导通时获得必要的电压（即降低“导通”状态下集电极-发射极电压降）
  • 双极结型晶体管（BJT）的集电极端和发射极端能否互换？
  • 双极晶体管散热有什么特殊考虑吗？
  • 双极结型晶体管（BJT）的电气特性
  • 测量双极结型晶体管（BJT）电气特性的方法是什么？
  • 如何计算小信号晶体管的结到环境的热阻（Rth（j-a））？
  • npn晶体管和pnp晶体管如何工作？
  • 查看双极晶体管的具体技术数据表
  • 双极晶体管的数据表和其它文档包含安全工作区（SOA）图表。什么是安全工作区（SOA）？
  • 双极晶体管的瞬态热阻与安全工作区有什么关系？
  • 双极结型晶体管（BJT）有哪些应用？
  • 双极结型晶体管（BJT）的基极电流和集电极电流之间有什么关系？
  • 有哪些类型的双极晶体管（双极结型晶体管：BJT）？
  • 如果向双极结型晶体管（BJT）基极端子施加超过发射极-基极绝对最大额定电压的反向电压，会发生什么情况？
  • 结型FET广泛用于阻抗变换，它的用途是什么?
  • 对于小封装器件，为什么没有规定结到外壳（或通道到外壳）热阻？
  • 热计算有什么特殊考虑吗？
  • 是什么驱动晶体管：电流还是电压？
  • 据说结型FET可用作恒流源。我要如何创造一个恒流源？
  • 能否将晶体管用作二极管？
  • MOSFET，IGBT和双极晶体管均未指定Rth（ch-a）和Rth（j-a）。 这是为什么？
  • MOSFET和双极晶体管的技术文档包含一个安全工作区（SOA）图。它是什么？
  • 什么是内置偏置电阻型晶体管？
  • 什么是双极晶体管？
  • 什么是JFET?
  • 什么是MOSFET?
  • 什么是多芯片分立器件？
  • 什么是IGBT?
  • 东芝为晶体管提供什么包装载带？
  • 可使用哪些类型的晶体管？
  • 为什么没有规定工作温度范围?
  • 什么是晶体管?
  • 什么是IPD？
  • 什么是SOI？
  • 如何根据器件型号区分正弦波和方波驱动的高压IPD？
  • 高压IPD有哪些应用？
  • 高压IPD如何检测温度以实现热关断？
  • 高压IPD中的自举电路是什么？
  • 高压IPD中的电平转换驱动IC是什么？
  • 什么类型的霍尔效应器件适合与高压IPD一起用？
  • 高边IPD表面外露的E-Pad（金属框）是否与GND的电位相同？
  • 高压IPD的SSOP30封装侧面有金属裸露。它们的电压是多少？
  • 是否有推荐的高压IPD焊盘图案？
  • 高压IPD有哪些封装可选？
  • 什么样的控制IC可以与高压IPD结合使用？
  • 有没有办法为高压IPD散热？
  • 如何使用本地电源IC？
  • LDO等线性稳压器有哪些种类？
  • 线性电源IC（线性稳压器）是否需要外部元件？
  • 关于绝对最大额定值（了解数据表的值）
  • 关于LDO的电气特性（了解数据表）
  • 是否可在低供电电压下使用LDO稳压器？正常工作所需的最低电压是多少？
  • 如何使用LDO稳压器创建低噪声电源？
  • 连接LDO稳压器CONTROL引脚的下拉电阻的电阻值是多少？
  • LDO稳压器如何进行过流保护？
  • 当负载端IC改变工作模式时，LDO稳压器的输出电压会下降，从而导致负载端IC发生故障。如何才能防止出现此故障？
  • 什么是LDO稳压器热关断（TSD）功能？
  • 目前是否有输出电压可调的LDO稳压器（需外部电阻）？
  • 哪种类型的电容器适合与LDO稳压器一起使用？
  • 什么是LDO的静态电流？
  • 对于给定的LDO，即使在输入电压发生变化的情况下也能保持稳定的输出电压，应参考数据表中的哪些特性？
  • 即使在额定条件下运行，当增大输出电流时，LDO的输出电压也会下降。应选择哪种LDO以避免此类问题？
  • 当一个很小的噪声叠加在LDO的输出电压上，如何降低噪声？
  • 使能LDO，CONTROL端上需要多大的电压？
  • LDO输出电压为何会振荡？
  • 如何快速将LDO的输出电压降为零，以便为负载端的IC设置电源顺序？
  • 为什么当LDO的输入电压降低时，其输出会被禁用？
  • 在将控制电压施加到LDO后，如何防止输出电压过冲？
  • LDO启动时产生大量浪涌电流。如何防止这种情况？
  • LDO的输入电压（VIN）和控制电压（VCT）的上电顺序是否重要？
  • 对于可调输出LDO，与外部电阻其中之一并联的电容器，其作用和目的是什么？
  • 能否对LDO进行反向偏置，从而使其输出电压高于输入电压？
  • 如何计算LDO的结温？
  • 有没有输入电压大于5V的小电流LDO？
  • 如果要降低电源电压，选择DC-DC转换器还是LDO稳压器？
  • 负载开关IC的输出放电功能是什么？
  • 什么是输入容限功能？
  • 在将“on”（导通）信号施加至CONTROL端后，能否施加输入电压？
  • 如何使用负载开关IC抑制浪涌电流？
  • 连接至负载开关IC的高电平有效CONTROL端的下拉电阻的阻值是多少？
  • 负载开关IC的过压锁定能否自动恢复？
  • 负载开关IC的欠压锁定功能是否具有滞后性？
  • 负载开关IC的FLAG输出功能是什么？
  • 负载开关IC的保持时间是什么？
  • 什么是自动选择模式和手动选择模式？
  • 什么是先断后合电路？
  • 什么是使用外部背对背MOSFET的反向电流阻断？
  • 真反向电流阻流与反向电流阻断有何区别？
  • 如果过流保护跳闸，负载开关IC如何工作？
  • 如何计算负载开关IC的功耗和结温？
  • 什么是总线开关？
  • 总线开关和模拟开关未使用的端子该如何处理？
  • CMOS逻辑IC多路复用器和总线开关多路复用器之间有什么区别？
  • 总线开关是否具有容限功能？
  • 如何选择总线开关？
  • 是否有可以切换高速信号（USB3.0/3.1、PCIe™3.0等）的总线开关？
  • 双电源总线开关的上电／断电顺序是否有任何限制？
  • 总线开关的电源是否可以在信号打开时关断？
  • 双电源总线开关存在哪些漏电流？
  • 什么是先断后合（TBBM）？
  • 总线开关和模拟开关有什么区别？
  • 总线开关中的SPST和SPDT是什么意思？
  • 什么是总线开关的开关特性和定时特性？
  • 使用交流耦合电容器与总线开关切换高速信号时，是否存在任何问题？
  • 是否有支持PCIe® Gen 5.0、PCIe®Gen 4.0、Thunderbolt™ 4和USB4®的Mux（多路复用器）／De-Mux（解复用器）型总线开关？
  • 当总线开关用于差分信号时，是否可以传输正负极与端子名称相反的差分信号？
  • 当Mux（多路复用器）／De-Mux（解复用器）型总线开关用于差分信号时，总线开关的I/O端子是否指定了方向性，如专用TX、RX？
  • 触发器、寄存器、计数器、单稳态多谐振荡器等时序电路的输出状态是在电源接通后确定的吗？
  • CMOS逻辑IC的输入引脚和双向总线缓冲器的总线引脚（输入／输出引脚）处于悬空状态时是否有问题？
  • 对于输入低转换速率的信号（输入上升和下降时间较慢的信号）应采取什么对策？
  • CMOS逻辑IC不稳定的主要原因是什么？
  • CMOS逻辑IC的输出电压未上升至供电电压，可能有哪些原因？
  • 当CMOS逻辑IC开关时，如何测量输出端出现的尖峰等电压波形（过冲或下冲）？
  • 输入CMOS逻辑IC的电压波形中产生噪声，可能有哪些原因？
  • CMOS逻辑IC 04（反相器）和U04（无缓冲反相器）有什么区别？
  • 通用逻辑IC之间有何区别？
  • 通用逻辑IC的“绝对最大额定值”与“工作范围”有什么区别？
  • 通用逻辑IC的容限功能是什么？
  • 我应该按什么顺序打开和关闭通用逻辑IC的电源和输入信号？
  • 通用逻辑IC的电源是否需要去耦电容？
  • 是否可以将通用逻辑IC未使用的输入端保持开路？
  • 什么是通用逻辑IC的总线保持功能？
  • 通用逻辑IC未使用的输出引脚应如何处理？
  • 通用逻辑IC的输入信号上升时间和下降时间有规范吗？
  • 通用逻辑IC输出端子上的电容器的容量有什么规定吗？
  • 是否可使多个通用逻辑IC的输出端短路？
  • 是否可以通过连接通用逻辑IC的输出端子来构成线或电路？
  • 如何找到有关通用逻辑IC的最大工作频率？
  • 通用逻辑IC能够驱动多少安培的输出电流？
  • 什么是通用逻辑IC的扇出系数？
  • 如何计算通用逻辑IC的功耗？
  • 如果通用逻辑IC发生静电放电（ESD），会产生哪些故障？
  • 有哪些类型的电压电平转换 IC（电平转换器）可供选择？
  • 应该如何实现降压（5 V→3.3 V）和升压（3.3 V→5 V）电平转换（电压转换）？
  • 应该如何实现降压（2.5 V→1.8 V）和升压（1.8 V→2.5 V）电平转换（电压转换）？
  • 是否有与串行通信标准（UART、I2C）兼容的电平转换器（电压转换IC）？
  • 总线开关型和缓冲器型的电压电平转换IC（电平转换器）有什么区别？
  • 双电源型的电压电平转换IC（电平转换器）应按什么顺序上电并输入信号？
  • 双向总线缓冲区对方向（DIR）、总线和其他信号的时序有什么限制吗？
  • 双电源总线开关的输入／输出引脚是否需要上拉？
  • 如何计算电平转换器（电压转换逻辑IC）的最大工作频率？
  • 什么是IGBT？
  • MOSFET与IGBT之间有何区别？
  • MOSFET与IGBT分别适合哪些应用？
  • IGBT的工作原理是什么？
  • IGBT有哪些结构？
  • 什么是反向导通IGBT（RC-IGBT）？
  • 什么是电导率调制？
  • 什么是安全工作区？
  • IGBT功耗的定义是什么？
  • 什么是IGBT的拖尾电流？
  • 请提供一些IGBT应用示例。
  • 请说明使用IGBT的硬开关和软开关。
  • 请说明IGBT的电压谐振软开关操作。
  • 请说明IGBT的电流谐振软开关操作。
  • 如何针对IGBT关断产生的浪涌电压采取保护措施？
  • 是否可以并联多个IGBT？如果可以，那么并联有哪些注意事项？
  • IGBT栅极应以什么电压驱动？
  • 除了硅，还有什么其它类型的半导体?
  • 如果绝对最大额定值条件只出现瞬间，半导体器件能否承受？
  • 什么是“半导体”？
  • 关于化合物半导体
  • 如果P型半导体接触N型半导体会发生什么?
  • 何谓N型半导体?
  • 何谓P型半导体?
  • Where can I find information on tape specifications and packing quantities per reel?
  • 什么是运算放大器的开环增益和闭环增益？
  • 运算放大器可用于哪些应用？
  • 为何在运算放大器中使用反馈？
  • 什么是运算放大器（op-amp）？
  • 使用运算放大器可配置成哪些类型的放大器电路？
  • 有哪些类型的运算放大器可供选择？
  • 运算放大器使用的最大频率是多少？
  • 使用运算放大器等差分放大器的目的是什么？ （共模抑制比：CMRR）
  • 运算放大器的电气特性（什么是理想的运算放大器？）
  • 什么是运算放大器虚拟短路（虚拟接地）？
  • 什么是运算放大器的输入补偿电压？
  • 是否有必要将旁路电容器连接至运算放大器的电源端？
  • 能否放大信号从而使其电压接近电源电平？
  • 哪些类型的噪声会影响运算放大器？
  • 在低压条件下使用运算放大器时是有什么注意事项？
  • 运算放大器的共模输入电压（CMVIN）是多少？
  • 轨到轨（轨到轨运算放大器）是什么意思？
  • 如何实现比较器迟滞性（施密特触发器）？
  • 电压跟随器为什么容易产生振荡？
  • 什么是TVS二极管（ESD保护二极管）？
  • 电路中哪些地方用到了ESD保护二极管？
  • 为何需要TVS二极管（ESD保护二极管）？
  • TVS二极管（ESD保护二极管）的工作原理是什么？
  • 在为高速信号线选择TVS二极管（ESD保护二极管）时，应考虑哪些因素？
  • 如何根据需要保护的信号线的电压电平选择TVS二极管（ESD保护二极管）？
  • TVS二极管（ESD保护二极管）无法正常工作时应注意什么？
  • 是否需使用双向TVS二极管（ESD保护二极管）来保护正负ESD事件？
  • TVS二极管（ESD保护二极管）的电路板设计注意事项
  • ESD事件是否会破坏TVS二极管（ESD保护二极管）？（其ESD耐受性如何？）
  • 如何选择TVS二极管（ESD保护二极管）？
  • 什么是TLP测试？
  • Wi-Fi®天线和其他射频应用ESD保护
  • 未发生ESD事件时，RF信号质量不应下降
  • 发生ESD冲击事件时，受保护器件（DUP）性能不应下降或损坏
  • 电路板设计注意事项
  • 什么是静电放电（ESD）？
  • 什么是静电放电（ESD）测试?
  • 什么是ESD保护二极管?
  • ESD保护二极管的基本工作原理
  • ESD保护二极管的典型电气特性是什么？
  • ESD保护二极管的电路板设计注意事项有哪些？
  • 如何选择ESD保护二极管?
  • 即使ESD保护二极管也无法保护DUP。损坏的原因是什么？
  • 什么是浪涌?
  • 什么是IEC61000-4-5？
  • ESD保护二极管和压敏电阻有什么区别？
  • 电机驱动IC
  • 产品名称末尾的字母数字字符有什么含义？
  • 如何计算电机驱动器电流和功率消耗？
  • 绝对最大额定值与建议工作条件之间的有什么区别？
  • 电机驱动IC允许损耗的含义。
  • 能否将电容连接到电机驱动IC的输出线？
  • IC的电源引脚上是否需要去耦电容？
  • 能否刻意使用MOSFET的体二极管？
  • MOS对静电很敏感。如何保护MOSFET免受静电影响？
  • 若静电施加到逻辑引脚上会对器件产生什么影响？该如何处理？
  • 载带规格是怎样的？每卷有多少个IC？
  • 请介绍推荐的焊盘。
  • 如何购买样品和评估板？
  • 使用无感BLDC电机时有哪些注意事项？
  • 无刷电机的超前角控制有哪些优点？
  • 导致电机故障和正弦波失真的原因是什么？
  • 正弦波驱动电机驱动IC能支持的最大转速是多少？
  • 产品名称末尾的符号是什么意思？
  • 如何区分RoHS标准的晶体管阵列产品？
  • 是否可以提供无卤素产品？
  • 什么是eFuse IC（电子保险丝／熔断器）？
  • 与玻璃保险丝和聚合物开关相比，使用eFuse IC有哪些优势？
  • eFuse IC（电子保险丝／熔断器）可用于哪些应用？
  • eFuse IC（电子保险丝／熔断器）能否用于防止USB VBUS发生短路以及IEC62368认证？
  • eFuse IC（电子保险丝／熔断器）和负载开关IC有何区别？
  • eFuse IC（电子保险丝／熔断器）有哪些内置功能？
  • 当eFuse IC（电子保险丝／熔断器）的输入或输出端子上施加尖峰电压时，如何采取措施？
  • 如何单独使用eFuse IC（电子保险丝／熔断器）和负载开关IC？
  • eFuse IC（电子保险丝／熔断器）的过流保护工作原理是什么？
  • eFuse IC（电子保险丝／熔断器）的短路保护工作原理是什么？
  • eFuse IC的过流保护和短路保护有何区别？
  • eFuse IC（电子保险丝／熔断器）的热关断（TSD）工作原理是什么？
  • eFuse IC（电子保险丝／熔断器）的过压保护工作原理是什么？
  • eFuse IC（电子保险丝／熔断器）的压摆率控制功能是什么？它的工作原理是什么？
  • eFuse IC（电子保险丝／熔断器）的低电压锁定功能（UVLO）功能是什么？它的工作原理是什么？
  • eFuse IC（电子保险丝／熔断器）可以热插拔吗？
  • eFuse IC（电子保险丝／熔断器 ）是否具有反向电流阻断（RCB）功能？
  • 电源管理IC
  • 智能功率IC
  • 产品名称末尾的符号是什么？
  • 如何计算电流消耗和功耗？
  • 如何估算结温？
  • 如何计算散热器的热阻？
  • 在输出端安装电容器是否有问题？
  • IC封装背面散热片（金属表面）的电位是什么？是GND吗？
  • What kind of material SiC is? And what kind of characteristics does SiC MOSFET have?
  • Can SiC MOSFET be connected in parallel and used?
  • Is the back of the SiC MOSFET package insulated?
  • What are the characteristics of body diode in SiC MOSET?
  • What changes when Si MOSFET/IGBT is replaced with SiC MOSFET?
  • What should be noted when setting SiC MOSFET gate voltage (VGS)?
  • 什么是Thermoflagger™？
  • Thermoflagger™具体用于哪些应用？
  • 可以同时连接多少个PTC热敏电阻？
  • 多个PTC热敏电阻连接时是否可以识别加热点？
  • 检测温度的准确度如何？
  • 可以检测到哪些温度范围？
  • 如何选择与Thermoflagger™配合使用的PTC热敏电阻？
  • 半导体产品的长期供应
  • 专题文章
  • The Journey of Motor Control
  • 使用东芝的SiC MOSFET开启电源的新大门
  • 3相AC 400V输入PFC转换器参考设计
  • 5kW隔离式双向DC-DC转换器参考设计
  • 可解决传统保险丝缺陷的电子保险丝
  • 为什么电子保险丝／熔断器备受关注？
  • eFuse IC是什么？
  • eFuse IC的应用有哪些？
  • eFuse IC的电路示例
  • 高精度SPICE模型发布
  • 用于低压MOSFET（12V-300V）的高精度SPICE模型
  • 适用于中高压MOSFET（400V-900V）的高精度SPICE模型
  • 高精度SPICE模型下载列表
  • 电机控制产品推荐
  • 介绍用于MBD（Model Based Development）的车载功率半导体的热量和噪声仿真技术——Accu-ROM™
  • 如何在Ansys® Twin Builder™上安装并使用Accu-ROM™
  • 东芝GaN功率器件实现了性能和易用性的平衡
  • 冷却仿真模型：扩充用于MOSFET中三维热流体分析的简化CFD模型的数量
  • 在机器人、SCARA和无人搬运车中实现高效、精准的伺服驱动
  • 车载以太网架构：采用以太网AVB／TSN的高品质车载音频
  • 使用分立半导体器件进行设计时的热管理
  • 半桥式DC-DC转换器方案有效降低数据中心的功耗
  • 制定机箱中功率MOSFET的热设计指南
  • 功率半导体——碳中和未来的重要器件
  • 构建更高效的DC-DC转换器：300 W隔离式DC-DC转换器的效率评估和损耗分析
  • 无需专用软件的在线电路仿真器
  • 高效率服务器电源参考设计
  • 射频SPDT开关（在小型封装中实现高功率输入的单刀双掷开关）
  • 车载半导体产品基于模型的开发（MBD）计划
  • MOSFET的3D热流体分析：增加适用于冷却仿真的CFD简化模型
  • 安全公告
  • TDSCSA00038：基于东芝原创内核的微控制器专用开发工具软件产品的安装程序中存在安全漏洞
  • 产品信息API服务
  • MOSFET
  • 12V-300V MOSFET
  • DSOP Advance，热增强的双面散热封装，提高了大电流应用的电源效率
  • U-MOSⅨ-H系列是提高开关电源效率的理想MOSFET
  • 产品种类丰富，从超小封装到通用封装应有尽有
  • 采用最新工艺的P通道MOSFET系列
  • U-MOSⅨ-H系列大幅提高了代表损耗的品质因数
  • 通过缓冲电路降低开关噪声（低尖峰技术）
  • 东芝MOSFET是低电压驱动设备的理想选择
  • 有助于减少开关电源的损耗
  • 通过搭载了150V MOSFET的多电平逆变器来提高效率
  • U-MOS X-H系列150V MOSFET——高效率开关电源的理想选择
  • 适用于USB设备和电池组保护的30 V N沟道共漏极MOSFET
  • 车载MOSFET
  • 车载MOSFET的工艺趋势
  • N通道U-MOS系列产品的开关特性
  • 车载MOSFET的封装趋势
  • 车载应用推动小型MOSFET设备的小型化
  • 400V-900V MOSFET
  • 先进的超结MOSFET DTMOSVI产品
  • 新型TO-247-4L封装600-V超结功率MOSFET（DTMOSIV-H系列）的商业化
  • 先进的双扩散MOSFET（D-MOS）π-MOSIX系列产品
  • 有助于提高开关电源的效率
  • 600 V超结结构N沟道功率MOSFET DTMOSⅥ系列“TK024N60Z1”提高了电源效率
  • SiC MOSFET
  • 第2代SiC MOSFET的特性
  • 使用SiC MOSFET的好处是什么？
  • 第2代SiC MOSFET／IGBT开关损耗比较
  • 有助于降低应用中电源损耗的第3代SiC MOSFET
  • 东芝发布采用新封装TO-247-4L(X)的第3代SiC MOSFET
  • SiC MOSFET模块
  • SiC MOSFET模块的特点
  • 东芝SiC MOSFET模块的优点
  • 隔离器／固态继电器
  • 高速通信光耦
  • 兼容3.3V电源，功耗低
  • 支持从20kbps到50Mbps传输速度丰富的产品系列
  • 可接收／源逻辑输入信号的兼容产品
  • 工业PLC的数字I/O设计
  • 栅极驱动光耦
  • 过电流保护功能（VCE(sat)检测）和内置有源米勒钳位功能
  • 兼容于全摆幅输出
  • 支持UVLO功能
  • 绝缘栅极驱动IC扩展了逆变器驱动电路设计的自由度
  • 什么是便于逆变器应用中过流保护设计的栅极驱动器?
  • 适用于工业设备的MOSFET和IGBT栅极驱动电路的光耦
  • 适用于工业设备的MOSFET和IGBT栅极驱动电路的光耦产品线扩充
  • IPM接口的光耦
  • 响应更高速
  • 更高共模瞬态抑制（CMTI）
  • 支持高电平有效和低电平有效IPM
  • 隔离放大器和隔离式ΔΣAD调制器
  • 实现输入模拟信号的高精度隔离信号传输
  • 有助于降低功耗和稳定初级电源设计
  • 采用薄封装有助于减少安装空间
  • 光继电器（MOSFET输出）
  • 什么是光继电器？
  • 采用东芝最新一代U-MOS的光继电器
  • 小型S-VSON4封装
  • 高电流（大容量）光继电器
  • UL 508认证
  • 确保110°C运行，大容量紧凑型光电继电器
  • 有助于提高强噪声环境下设备的可靠性
  • 具有低电压驱动和高额定工作温度的紧凑型光继电器
  • 用于高速通信的光耦
  • 具有高速开关功能的小型光继电器
  • 具有大导通电流和高速开关的小型光继电器
  • 适用于高压功率MOSFET的驱动
  • 标准数字隔离器
  • 超过100kV/μs的高共模瞬态抑制（CMTI）
  • 支持150Mbps数据速率的隔离4通道逻辑
  • 脉宽失真（PWD）3ns（最大值）对应150Mbps高速通信
  • 标准数字隔离器“DCL54x01”的隔离寿命有多长？
  • 标准数字隔离器“DCL54x01”的冲击电压容限是多少？
  • 具有强大电磁兼容性（EMC）的标准数字隔离器
  • 无线通信设备用IC
  • Bluetooth®无线通信用IC
  • 极低功耗无线电用的RF IC
  • 智能功率IC
  • 3相直流无刷电机驱动IC，内置功率器件
  • 通过内置MOSFET的多芯片模块提高效率和电流
  • 采用新高击穿电压SOI工艺降低损耗
  • 采用与高压兼容的小型贴片式封装减小安装面积
  • 用于直流无刷电机驱动的600 V/3 A小型智能功率器件
  • 车载驱动IC
  • 高边和低边开关产品
  • 栅极驱动IC产品
  • 各种车载应用的优质驱动IC
  • 通用逻辑IC
  • CMOS逻辑IC
  • 以丰富的产品线支持各种应用（工业设备-便携式设备）
  • 电平转换和部分掉电需要哪些附加功能（输入容限、掉电保护）？
  • 单门逻辑IC（L-MOS）
  • 具有0.9V运行保证的单门逻辑（L-MOS）7UL系列（7ULxG）
  • L-MOS以丰富的产品线支持工业设备和便携式设备应用
  • 电平转换器
  • 双电源电平转换器
  • 为什么需要电平转换器？
  • 支持最低0.8V电压的4位双电源总线收发器
  • 总线开关
  • 适合各种高速信号切换的总线开关
  • 具有电压电平转换功能的双电源总线开关电平转换器
  • 支持PCIe®Gen5.0和USB4®高速数字信号的总线开关
  • 二极管
  • SiC肖特基势垒二极管
  • 适用于电源电路的碳化硅器件
  • 改进JBS结构以降低泄漏电流和提高浪涌电流能力: SiC肖特基势垒二极管 (SiC SBD)
  • 低开关损耗SiC肖特基势垒二极管（SBD）
  • SiC SBD的高耐压（反压）特性
  • 有助于高输出电源的高效率和低损耗
  • 第3代SiC肖特基势垒二极管
  • TVS二极管（ESD保护二极管）
  • ESD耐受性
  • ESD脉冲吸收性能（第1峰值电压降低）
  • 丰富的封装产品阵容：开发更小的封装
  • 低动态电阻
  • 丰富的封装产品线：多位封装
  • 确保信号质量：插入功率损耗
  • 肖特基势垒二极管
  • 肖特基势垒二极管
  • 改进JBS结构以降低泄漏电流和提高浪涌电流能力：SiC肖特基势垒二极管（SiC SBD）
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  • 东芝推出可适应广泛应用的3相栅极驱动电路IC
  • 直流有刷电机驱动IC
  • 可配置电机驱动IC
  • 东芝推出具有电流监控功能的直流有刷电机专用H桥驱动器
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  • 高压模拟工艺技术
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  • 东芝在东芝半导体（泰国）发布TCR3DMxxA和TCR3EMxxA系列LDO稳压器
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  • 过电压保护功能
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  • 线性IC
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  • 具有最高45W输出的汽车音响用4通道高效线性功率放大器：TCB702FNG
  • 具有强大抗电涌能力的汽车音响功率放大器：TCB503HQ
  • 具有内置专用偏移检测功能的汽车音响用电流反馈4通道功率放大器IC：TCB502HQ
  • 采用全新CD-0.13工艺的45W级4通道功率放大器IC：TCB001HQ
  • 具有内置专用偏移检测功能的汽车音响用电流反馈4通道功率放大器：TCB501HQ
  • 支持来自车辆的外部音频输出，允许在HEV和EV中使用电动汽车报警音响系统：TB2909FNG
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  • 采用Thermoflagger™的过温检测解决方案
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  • TC90193SBG
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  • 3相无传感器BLDC电机预驱IC: TB9061AFNG
  • 3相无刷无传感器预驱IC TB9062FNG
  • 用于EPS应用的3相BLDC电机预驱IC：TB9081FG
  • 车载3相无刷电机栅极驱动IC：TB9083FTG
  • 车载3相无刷电机栅极驱动电路IC：TB9084FTG
  • 车载TVS二极管（ESD保护二极管）
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  • 应用：智能电表
  • 应用：数字电视
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  • Techno Mathematical Co.,Ltd.
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  • 东芝将开始量产针对可穿戴应用的ApP Lite™处理器系列IC
  • 东芝Visconti™4图像识别处理器为DENSO的前置摄像头主动安全系统提供支持
  • 东芝存储器株式会社推出采用64层3D闪存的BGA NVMe™ SSD
  • 东芝存储器株式会社推出采用64层3D闪存的客户级SATA SSD
  • 东芝面向3相无刷风扇电机推出采用小型表面贴装型封装的500V正弦波驱动器IC
  • 东芝宣布面向移动客户端存储应用推出新的1TB硬盘驱动器
  • 东芝推出用于电源线保护的高性能、高峰值脉冲电流瞬态抑制二极管
  • 东芝宣布推出具有防失速反馈结构的步进电机驱动器IC新产品阵容
  • 东芝即将推出用于下一代无线LAN的低电压5GHz接收器
  • 东芝推出10TB企业级HDD
  • 东芝面向数字控制开关电源和IPM驱动推出具备欠压锁定功能的光电耦合器
  • 东芝推出具备业界最小尺寸的新系列高速信号传输光继电器
  • 东芝面向继电器驱动器推出小型有源钳位MOSFET
  • 东芝300mA小型LDO稳压器IC结合低静态偏置电流与高波纹抑制比及快速负载瞬态响应
  • 东芝面向移动和消费应用推出采用业界领先小型封装的N沟道MOSFET驱动IC
  • 东芝将推动汽车半导体解决方案业务
  • 东芝推出可轻松切换至多极电机的新型三相无刷风扇电机控制器IC
  • 东芝启动面向汽车应用的恒流两相步进电机驱动器样品发货
  • 东芝推出采用DPAK表面贴装型封装的第二代650V碳化硅肖特基势垒二极管
  • Toshiba Contributions Make Toshiba the Winner of the 2017 MIPI Corporate Award
  • 东芝推出新型表面贴装型有刷电机驱动器IC
  • Vulnerability found related to the generation and management of WPA2 Key on CANVIO (STOR.E) wireless products
  • 东芝推出中压、高容量、小型封装的光继电器
  • 东芝面向移动应用推出采用业界最小封装的1.5A LDO稳压器
  • 东芝发布10TB监控型硬盘
  • 东芝存储器株式会社推出2TB客户级NVMe™ SSD
  • Nexty Electronics and Toshiba Microelectronics Establish Software Development Joint Venture
  • 东芝推出10TB NAS硬盘
  • 东芝面向汽车应用推出新款低功耗Bluetooth® IC
  • 东芝推出汽车音响用4声道高效率线性功率放大器
  • 东芝推出全球首款传统磁记录技术的14TB硬盘
  • 东芝电子元件及存储装置株式会社为汽车音响推出采用纯MOS的功放IC
  • 东芝面向工业应用推出拥有业界最低导通电阻的100V N沟道功率MOSFET
  • Toshiba Launches New Series of Next Generation 10,500 RPM Enterprise Performance 2.5-inch HDD
  • 东芝面向工厂自动化及其他工业应用推出可以取代机械继电器的大电流光继电器
  • 元旦放假通知
  • 东芝推出两款符合Bluetooth® Ver.5.0标准的新IC
  • 东芝推出新一代600V平面MOSFET系列
  • 东芝电子元件及存储装置株式会社面向智能手机低噪声射频放大器推出实现低噪声系数的SOI工艺
  • 东芝电子元件及存储装置株式会社面向继电器驱动器推出小型双MOSFET
  • 春节放假通知
  • Default Password Vulnerability in CANVIO (STOR.E) wireless products
  • 东芝推出新的消费级2TB硬盘
  • 东芝电子（中国）有限公司参展“electronica China 2018”
  • 东芝发布英文版的环境报告2017
  • 东芝为SO6L IC输出型光电耦合器扩展新的封装选项
  • 东芝推出搭载高效静电放电保护、用于驱动LED前照灯的小型MOSFET
  • 东芝新型3相无刷风扇电机驱动器IC具有转速控制（闭环控制）功能
  • 东芝面向工厂自动化和其他工业应用推出采用小型4引脚SO6封装的中压光继电器
  • 东芝推出采用新型封装的车规40V N沟道功率MOSFET
  • 东芝发布全系列消费级硬盘
  • 东芝高微步步进电机驱动器IC样品出货即将启动
  • 东芝电子元件及存储装置株式会社的技术提高了远距离高像素分辨率车载激光雷达的可靠性
  • 东芝电子元件及存储装置株式会社宣布董事及审计师更新名单
  • 东芝面向工厂自动化和其他工业应用推出光继电器
  • 东芝电子元件及存储装置株式会社和日本半导体株式会社的新技术提高了用于0.13μm模拟电源IC的N通道LDMOS的可靠性
  • 东芝推出支持1.8V低电压和1.6A大电流驱动的H桥驱动器IC
  • 东芝基于Arm® Cortex®-M内核的微控制器支持Mbed™ OS
  • 东芝电子元件及存储装置株式会社和艾普凌科有限公司将建立混合信号IC业务的联盟
  • 东芝面向汽车信息娱乐应用推出接口转换芯片
  • 东芝电子亮相PCIM Asia 2018，为客户提供全方位系统级解决方案
  • 东芝电子元件及存储装置株式会社推出具有远程通信和低功耗特点的Bluetooth®低功耗SoC
  • 东芝宣布14TB硬盘获得超微优选存储服务器可用性认证
  • 东芝宣布推出新的汽车应用模拟输出IC光耦
  • Toshiba Announces 14TB HDD Availability on Select Supermicro Storage Servers
  • 东芝开发出散热性能更强的低反向电流肖特基二极管
  • 东芝启动通过UL508认证的工业控制设备光继电器的出货
  • 东芝推出紧凑型功率MOSFET栅极驱动器智能功率器件
  • TDSCSA00436: CANVIO网络存储产品存在多个漏洞
  • CANVIO网络存储产品的软件更新终止
  • 东芝推出用于短距离数据传输的单向光模块适配器
  • 东芝推出专为NAS平台打造的全新MN07系列硬盘，可满足OEM和集成商要求
  • 东芝面向消费设备和工业设备推出基于Arm® Cortex®-M3且具备先进功能的低功耗微控制器
  • 东芝推出采用DIP4封装的大电流光继电器
  • 东芝开发出散热性能更强的40V N沟道功率MOSFET
  • 东芝宣布推出新一代超结功率MOSFET
  • 东芝再次扩大SAS HDD产品容量
  • 东芝面向汽车音响推出具备卓越抗电涌性能的功率放大器
  • 国庆放假通知
  • 东芝推出具备限流检测功能的有刷直流电机驱动器IC
  • 东芝高级Bluetooth®低功耗SoC采用紧凑式模块提供远程通信
  • 东芝推出面向汽车应用的Bluetooth® 5 IC
  • 东芝推出最大输出功率达45W的新型汽车音响用4声道高效率线性功放
  • 东芝推出具备高性能、低功耗和低成本结构阵列的130nm FFSA™开发平台
  • 东芝测试实验室符合国际标准，获得ISO/IEC 17025认证
  • 东芝多款CANVIO系列移动硬盘推出全新4TB大容量
  • 东芝推出支持1.8V低电压和4.0A大电流驱动的H桥驱动器IC
  • 元旦放假通知
  • 东芝成功研发出面向汽车驾驶员辅助系统的图像识别人工智能处理器Visconti™5的DNN硬件IP
  • 东芝发布16TB MG08系列硬盘
  • 东芝扩大用于汽车和工业应用的以太网桥接芯片产品线
  • 东芝具备LIN从属功能的车载直流电机驱动器IC样品开始发货
  • 春节放假通知
  • 东芝将基于Arm® Cortex®-M内核的微控制器引入中科创达生产的MCU板
  • 东芝汽车级图像识别芯片集成深度神经网络加速器
  • 东芝推出支持低压运行的单电源单门逻辑IC
  • 东芝电子元件及存储装置株式会社发布了英文版的2018年环境报告
  • 东芝推出全新小型表面贴装LDO稳压器系列
  • 东芝推出车载直流无刷电机无传感器预驱动器IC
  • 东芝新半导体公司将强化提出解决方案的能力并提高研发效率
  • 东芝推出基于Arm® Cortex®-M4的新款微控制器，内置定时器和通信通道，可实现高速数据处理
  • 东芝员工获得2018年MIPI终身成就奖
  • 东芝推出正弦波驱动型3相无刷电机控制器IC
  • 东芝新算法大大提高了汽车激光雷达的角分辨率
  • 东芝推出缩影镜头类型的5340像素×3行线性图像传感器面向办公室自动化和工业设备领域的应用
  • 稳定系统LSI业务的措施
  • 东芝开始为工控设备提供UL 508认证的光继电器
  • 有关东芝停止与华为合作的报道
  • 东芝推出低功耗有刷直流电机驱动器IC采用兼容引脚分配HSOP8封装
  • 东芝推出全新低压驱动光继电器系列 --采用微型封装的光继电器支持测试设备应用的高密度装配--
  • 搭载东芝高级图像识别处理器的丰田Alphard／Vellfire荣获日本预防安全性能最高奖项
  • 东芝的IGBT／IEGT紧凑模型实现了对能效和电磁干扰噪声的高精度预测
  • 东芝电子亮相PCIM Asia 2019，展示电力能源方面先进技术
  • 东芝推出采用业界最小封装的低输入功耗型电压驱动光继电器
  • 东芝推出高压双通道螺线管驱动器IC
  • 东芝推出适用于3相无刷电机的600V正弦波PWM驱动器IC
  • 东芝推出低电容TVS二极管满足Thunderbolt 3和其他高速信号线的静电保护要求
  • 东芝推出采用智能相位控制与闭环速度控制技术的新款3相无刷电机控制预驱IC
  • 东芝即将参展第二届中国国际进口博览会
  • 逻辑LSI（先进ASIC）业务策略
  • 东芝推出首款可以重复使用的电子熔断器eFuse
  • 采用东芝图像识别处理器的丰田雷克萨斯UX和雷克萨斯NX获得日本预防安全性能评估满分
  • 东芝电子元件及存储装置株式会社发布了英文版的环境报告2019
  • 科技赋能数字时代 东芝亮相第二届中国国际进口博览会
  • 东芝推出适用于NVR和DVR平台的6TB监控硬盘
  • 东芝推出无需传感器控制采用闭环转速控制技术的新型3相无刷电机控制预驱IC
  • 东芝推出通用系统电源IC，采用多路输出保障汽车功能安全
  • 东芝面向电压谐振电路推出新款分立IGBT有助于降低功耗并简化设备设计
  • 东芝面向车载应用推出采用紧凑型封装的100V N沟道功率MOSFET
  • 东芝电子元件及存储装置株式会社宣布更换首席执行官计划
  • 春节放假通知
  • 东芝电子元件及存储装置株式会社宣布董事变更计划
  • 东芝推出适用于可编程逻辑控制器的紧凑型高速通信逻辑输出光电耦合器
  • 东芝推出紧凑型低功耗、高分辨率微步步进电机驱动IC
  • 东芝集团支援抗击新型冠状病毒感染性肺炎疫情
  • 东芝推出适用于工厂自动化和工业应用的小型6引脚SOP封装大电流光继电器
  • 东芝新增新型低功耗有刷直流电机驱动IC
  • 东芝的新型100V N沟道功率MOSFET有助于降低汽车设备的功耗
  • 今日宣布研发出“ TaRF11”，这是东芝最先进的射频SOI [1]工艺（TarfSOI™），针对5G智能手机等移动设备中的射频开关和低噪声放大器（LNA）进行了优化。
  • 东芝面向中大电流IGBT／MOSFET 推出内置保护功能的光耦
  • 东芝最新企业级硬盘通过Microchip Technology’s Adaptec®主机总线适配卡和RAID适配卡兼容性测试
  • 东芝扩大微控制器产品线—推出用于物联网设备的32位微控制器TXZ+™家族—
  • 东芝推出采用其最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET，助力提高电源效率
  • 东芝电子元件及存储装置株式会社及其集团公司的日本公司减少4月的工作日
  • 关于东芝消费级存储产品中采用SMR技术的硬盘型号
  • 东芝面向车载ECU推出MOSFET栅极驱动器开关IPD
  • 东芝推出600V小型智能功率器件，有助降低电机功率损耗
  • 东芝面向车载信息娱乐系统推出全新车载显示器桥接IC
  • 东芝面向工业设备推出适合缩影镜头的1500像素单色CCD线性图像传感器
  • 搭载东芝高级图像识别处理器的丰田汽车连续两年荣膺日本预防安全性能最高奖项
  • 东芝推出行业首款能够在2.2V电压下工作的高速通信光耦
  • 东芝面向车载应用推出恒流2相步进电机驱动IC
  • 可提高碳化硅（SiC）MOSFET可靠性的东芝新器件结构问世
  • 东芝与MikroElektronika展开合作，为电机驱动IC开发评估板
  • 东芝Visconti™4图像识别处理器被中国领先的制造商选中用于ADAS解决方案
  • 东芝推出新型低触发电流光继电器满足电池供电设备的低功耗需求
  • 东芝推出业界尺寸最小的新型光继电器
  • 东芝推出采用最新封装的光继电器助力实现高密度贴装
  • 东芝和日本半导体株式会社研发了旨在提高模拟IC用P沟道LDMOS可靠性的新技术
  • 东芝和日本半导体株式会社研发了具有高耐受性的LDMOS单元阵列，从而可以限制负载流子注入和静电放电的影响
  • 东芝Canvio系列移动硬盘再添生力军发表全新应用与外形设计
  • Toshiba’s IGBT and FWD Compact Modeling Realizes Highly Accurate Prediction of Power Efficiency and EMI Noise for Multiple External Condition
  • 东芝推出超低电流消耗的CMOS运算放大器，可延长电池供电设备的工作时间
  • 东芝电子元件及存储装置株式会社针对系统LSI业务提出全新战略
  • 东芝推出可延长电池使用时间的小型低导通电阻共漏极MOSFET
  • 东芝推出了一款共源共栅的GaN分立功率器件，可通过直接栅极驱动实现稳定运行并简化系统设计
  • 东芝推出适用于高效率电源的新款1200V碳化硅MOSFET
  • 东芝推出新款采用PWM控制的双H桥直流有刷电机驱动IC，推荐应用为移动设备和家用电器
  • 东芝发布新款4TB、6TB和8TB企业级硬盘
  • 东芝推出具有更高电源线稳定性的高纹波抑制比、低噪声LDO稳压器
  • 关于媒体报道的通知
  • 东芝员工荣获IEC 1906奖项
  • 东芝电子元件及存储装置株式会社发布2020年环境报告英文版
  • 东芝推出面向车载应用的5A 2通道H桥电机驱动IC
  • 东芝推出5组全新的TXZ+™族高级微控制器 实现低功耗，支持系统小型化和电机控制
  • 东芝推出新型可重复使用的电子熔断器eFuse IC，具有可调节的过压保护和FLAG信号输出功能
  • 东芝推出适用于工业设备的100V大电流光继电器
  • 春节放假通知
  • 东芝宣布推出18TB MG09系列硬盘
  • 东芝推出新款碳化硅MOSFET模块，有助于提升工业设备效率和小型化
  • 东芝推出轻薄紧凑型LDO稳压器，助力缩小器件尺寸、稳定电源线输出
  • 东芝电子元件及存储装置株式会社宣布对功率器件业务进行重大投资
  • 东芝推出采用TOLL封装的650V超级结功率MOSFET，有助于提高大电流设备的效率
  • 东芝为A3多功能打印机推出缩影镜头型CCD线性图像传感器
  • 东芝的碳化硅功率模块新技术提高了可靠性的同时减小了尺寸
  • 东芝推出1-Form-B光继电器，以行业最高[1]通态额定电流实现更丰富的应用
  • 东芝电子元件及存储装置株式会社宣布对董事和审计师进行变更
  • 东芝推出用于隔离式固态继电器的光伏输出光耦
  • 东芝与日本半导体展示新方法，可以同时优化车载模拟IC里高压LDMOS的ESD耐受性和出力效率
  • 东芝电子元件及存储装置株式会社统一业务部门的运营地点
  • 东芝积极评估万亿节点引擎物联网开放平台的无焊连接器技术
  • 东芝的新器件结构提高了SiC MOSFET的高温可靠性并降低了功率损耗
  • 东芝推出TXZ+TM族高级系列首批产品——面向电机控制的Arm® Cortex®-M4微控制器
  • 东芝硬盘2021年第二季度近线硬盘出货量与出货容量再创新高
  • 东芝推出TXZ+TM族高级系列中用于高速数据处理基于Arm® Cortex®-M4的新款M4G组微控制器
  • 东芝基于模型开发的新型仿真技术将车载半导体的验证时间缩短了约90%
  • 东芝推出无需电流感应电阻的40V／2.0A步进电机驱动IC
  • 东芝支持功能安全的车载无刷电机预驱IC的样品出货即将开始
  • 东芝推出TXZ+™族高级系列新款M4N组Arm® Cortex®-M4微控制器
  • 东芝硬盘2021年第三季度近线硬盘出货量再创新高
  • 东芝发布旗下首款200V晶体管输出车载光耦
  • 东芝被公认为是菲律宾最大的出口商
  • 东芝推出用于IGBT／MOSFET栅极驱动的薄型封装高峰值输出电流光耦
  • 东芝推出业界最小封装类型之一[1]的4-Form-A电压驱动光继电器，进一步减小半导体测试仪的尺寸
  • 东芝硬盘成功验证“共振型微波辅助记录技术（MAS-MAMR）”－旨在尽早实现超30TB高容量近线硬盘的商用化
  • 元旦放假通知
  • 东芝面向汽车信息通信系统与工业设备应用的以太网桥接IC产品线拓展
  • 东芝新型IC芯片再创佳绩，可大幅提升可穿戴设备与物联网设备续航能力
  • 东芝推出适用于智能电表的低输入功率与高工作温度的光继电器
  • 东芝推出1500V高电压车载光继电器
  • 东芝推出全新1200V和1700V碳化硅MOSFET模块，助力实现尺寸更小，效率更高的工业设备
  • 春节放假通知
  • 九州地区地震对东芝电子元件及存储装置株式会社集团业务的影响
  • 九州地区地震对东芝电子元件及存储装置株式会社集团业务的影响（最新信息2）
  • 东芝率先[1]在氮化镓（GaN）器件上应用电流传感技术，实现了功率损耗更低、电流传感精度更高、电源系统体积更小的GaN器件
  • 东芝将投建新300mm晶圆功率半导体制造工厂以扩大功率半导体产能
  • 东芝推出无霍尔传感器正弦波驱动3相直流无刷电机控制预驱IC，助力降低振动与噪声
  • 东芝推出新款MOSFET栅极驱动IC，助力缩小设备尺寸
  • 九州地区地震对东芝电子元件及存储装置株式会社集团业务的影响（最新信息3）
  • 九州地区地震对东芝电子元件及存储装置株式会社集团业务的影响（最新信息4）
  • 九州地区地震对东芝电子元件及存储装置株式会社集团业务的影响（最新信息5）
  • TOSHIBA 2021年硬盘出货量及出货容量年增率创佳绩
  • 东芝披露将于2023财年前实现30TB硬盘容量，利用专有技术FC-MAMR和MAS-MAMR进一步提升磁录密度水平
  • 东芝推出超低电容TVS二极管，可保护物联网设备高频天线免受ESD侵扰
  • 九州地区地震对东芝电子元件及存储装置株式会社集团业务的影响（最新信息6）
  • 日本东北地区地震对东芝电子元件及存储装置株式会社集团业务的影响
  • 东芝电子元件及存储装置株式会社公布更换董事的计划
  • 日本东北地区地震对东芝电子元件及存储装置株式会社集团业务的影响（最新消息2）
  • 日本东北地区地震对东芝电子元件及存储装置株式会社集团业务的影响（最新消息3）
  • 东芝推出采用最新一代工艺的150V N沟道功率MOSFET，可大幅提高电源效率
  • 东芝推出TXZ+™族高级系列新款M3H组Arm® Cortex®-M3微控制器
  • 东芝扩大与MikroElektronika的合作，推出用于电机控制的TMPM4K开发板——Clicker 4
  • 东芝电子元件及存储装置株式会社宣布更换董事的计划
  • 东芝和日本半导体株式会社共同研发了用于车载应用的具有嵌入式非易失性存储器的高可靠多功能模拟平台
  • 东芝宣布升级DT02系列 推出新一代7200RPM 2TB硬盘
  • 东芝电子元件及存储装置株式会社宣布更换董事的计划
  • 东芝推出五款新型MOSFET栅极驱动IC，助力移动电子设备小型化
  • 东芝与Farnell合作，加强供应链以提供更丰富的新产品和创新产品
  • 东芝开发全球首款双栅极RC-IEGT，可降低开关损耗
  • 东芝的新型SiC MOSFET具有低导通电阻，可显着降低开关损耗
  • 东芝推出新款步进电机驱动IC，有助于节省电路板空间
  • 东芝推出面向更高效工业设备的第三代SiC MOSFET
  • 东芝获得“2022年上海市国际贸易分拨示范企业”称号
  • 东芝推出智能栅极驱动光耦，有助于简化功率器件的外围电路设计
  • 停电对日本半导体岩手工厂运营的影响
  • 停电对日本半导体岩手工厂运营的影响（最新消息2）
  • 停电对日本半导体岩手工厂运营的影响（最新消息3）
  • 国庆放假通知
  • 东芝宣布推出20TB MG10系列硬盘
  • 东芝在线研讨会即将开始！
  • 东芝在线研讨会即将开始！
  • 东芝荣获AspenCore全球电子成就奖
  • 东芝开发了具有低导通电阻和高可靠性的肖特基势垒二极管内嵌式SiC MOSFET
  • 东芝将新建生产设施扩大功率半导体产能
  • 东芝在线研讨会即将开始！
  • 春节放假通知
  • 通知：关于东芝电子元件（上海）有限公司上海总部搬迁
  • 东芝推出采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET，支持车载设备对更大电流的需求
  • 东芝推出有助于减小贴装面积的智能功率器件
  • 东芝在线研讨会即将开始！
  • 东芝新款车载直流无刷电机栅极驱动IC有助于提升车辆电气元件的安全性
  • 东芝最新款分立IGBT将大幅提高空调和工业设备的效率
  • 东芝在线研讨会即将开始！
  • 东芝推出新款时钟扩展外设接口驱动器／接收器IC，有助于减少汽车电子系统中的线束量
  • 东芝的新款150V N沟道功率MOSFET具有业界领先的低导通电阻和优化的反向恢复特性，有助于提高电源效率
  • 东芝在线研讨会即将开始！
  • 东芝开始建设300mm晶圆功率半导体制造工厂
  • 东芝推出新款数字隔离器，助力工业应用实现稳定的高速隔离数据传输
  • 东芝电子元件及存储装置株式会社董事变更声明
  • 东芝推出检测电子设备温升的简单解决方案Thermoflagger™
  • 东芝在线研讨会即将开始！
  • 东芝推出具有更低导通电阻的小型化超薄封装共漏极MOSFET，适用于快充设备
  • 东芝推出有助于降低设备待机功耗的高电压、低电流消耗LDO稳压器
  • 东芝推出小型光继电器，高速导通有助于缩短半导体测试设备的测试时间
  • 东芝电子元件及存储装置株式会社董事变更声明
  • 东芝推出采用超级结结构的600V N沟道功率MOSFET，助力提高电源效率
  • 东芝推出外部部件更少的小型封装电机驱动IC，节省电路板空间
  • 东芝在线研讨会即将开始！
  • 东芝推出“TXZ+™族高级系列”ARM® Cortex®-M3微控制器，配备1MB代码闪存，支持无需中断微控制器运行的固件升级
  • 东芝推出100V N沟道功率MOSFET，助力实现电源电路小型化
  • 东芝推出第3代650V SiC肖特基势垒二极管，助力提高工业设备效率
  • 东芝在线研讨会即将开始！
  • 东芝推出全新低功耗2200V SiC MOSFET，有助于逆变器系统的简化、小型化和轻量化
  • 东芝推出采用新型封装的车载40V N沟道功率MOSFET，有助于汽车设备实现高散热和小型化
  • 东芝推出用于直流无刷电机驱动的600V小型智能功率器件
  • 东芝在线研讨会即将开始！
  • 东芝开发出业界首款2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块，助力工业设备的高效率和小型化
  • 东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET，采用可降低开关损耗的4引脚封装
  • 东芝进一步扩展Thermoflagger™产品线---检测电子设备温升的简单解决方案
  • 东芝在线研讨会即将开始！
  • 东芝电子元件及存储装置株式会社董事变更声明
  • 国庆放假通知
  • 东芝宣布推出22TB MG10F系列硬盘
  • 东芝推出适用于半导体测试设备中高频信号开关的小型光继电器
  • 东芝在线研讨会即将开始！
  • 东芝员工荣获”IEC 1906奖“
  • 东芝推出用于直流无刷电机驱动的600V小型智能功率器件
  • 东芝推出30V N沟道共漏极MOSFET，适用于带有USB的设备以及电池组保护
  • 东芝在线研讨会即将开始！
  • 罗姆与东芝就合作制造功率器件达成协议
  • 东芝电子元件及存储装置株式会社董事变更声明
  • 东芝在线研讨会即将开始！
  • 东芝电子元件及存储装置株式会社半导体业务部门及研发（R&D）中心搬迁通知
  • 东芝电子元件及存储装置株式会社关于日本石川地区地震的现状及应对措施（最新消息1）
  • 东芝电子元件及存储装置株式会社关于日本石川地区地震的现状及应对措施（最新消息2，1月9日更新）
  • 东芝电子元件及存储装置株式会社关于日本石川地区地震的现状及应对措施（最新消息3）
  • 东芝电子元件及存储装置株式会社关于日本石川地区地震的现状及应对措施（最新消息4）
  • 东芝在线研讨会即将开始！
  • 东芝电子元件及存储装置株式会社关于日本石川地区地震的现状及应对措施（最新消息5）
  • 东芝电子元件及存储装置株式会社关于日本石川地区地震的现状及应对措施（最新消息6，最终报，3月4日更新）
  • 东芝推出高速二极管型功率MOSFET，助力提高电源效率
  • 东芝开始建设功率半导体后道生产新厂房
  • 东芝在其电机控制软件开发套件中新增位置估算控制技术，旨在简化电机磁场定向控制
  • 东芝在线研讨会即将开始！
  • 东芝推出适用于电机控制的Arm® Cortex®-M4微控制器
  • 东芝推出带有嵌入式微控制器的SmartMCD™系列栅极驱动IC
  • 东芝在线研讨会即将开始！
  • 东芝成功展示了容量超过30TB的近线存储硬盘
  • 东芝在线研讨会即将开始！
  • 东芝电子元件及存储装置株式会社董事变更声明
  • 东芝新的300mm晶圆功率半导体制造工厂竣工
  • 东芝成功在降低SBD嵌入式SiC MOSFET导通电阻的同时确保了可靠性和短路耐受性
  • 东芝电子元件及存储装置株式会社董事及审计师变更声明
  • 东芝在线研讨会即将开始！
  • 东芝发布容量高达10TB的MG10-D系列企业级硬盘
  • 东芝开发出48 V至1 V非隔离DC-DC转换器IC
  • 东芝推出支持PCIe® 5.0和USB4®等高速差分信号的2:1多路复用器／1:2多路译码器开关
  • 东芝推出全新可重复使用的电子熔断器（eFuse IC）系列产品 －正式推出小型高压“TCKE9系列”－
  • 东芝在线研讨会即将开始！
  • 东芝开发出可减轻SiC功率模块中并联芯片间寄生振荡的技术，该技术具有最小栅极电阻，可支持高速开关
  • 东芝推出适用于大规模视频监控系统的新一代S300 Pro监控硬盘
  • 东芝在线研讨会即将开始！
  • 东芝为电动汽车BMS推出新款900 V输出耐压的车载光继电器
  • 东芝率先推出内置硬件逻辑的CXPI响应器接口IC，缩短车载电子系统开发时间
  • 东芝宣布推出CMR 24TB和SMR 28TB硬盘
  • 东芝推出新款面向车载直流有刷电机的栅极驱动器IC，助力缩小设备尺寸
  • 东芝在线研讨会即将开始！
  • 东芝第3代SiC肖特基势垒二极管产品线增添1200 V新成员，其将助力工业电源设备实现高效率
  • 东芝推出输出耐压为900 V的小型封装车载光继电器
  • 东芝推出面向多种车载应用3相直流无刷电机的新款栅极驱动IC
  • 东芝推出具有低导通电阻和高可靠性的适用于车载牵引逆变器的最新款1200 V SiC MOSFET
  • 东芝推出七款适用于电机控制的Arm® Cortex®-M4微控制器
  • 东芝推出高速导通小型光继电器，可缩短半导体测试设备的测试时间
  • 东芝推出符合AEC-Q100标准的车载标准数字隔离器
  • 东芝推出应用于工业设备的具备增强安全功能的SiC MOSFET栅极驱动光耦
  • 东芝功率半导体后道生产新厂房竣工
  • 东芝在线研讨会即将开始！
  • 东芝推出面向车载直流有刷电机的栅极驱动IC，助力缩小设备尺寸
  • 群晖科技与东芝签署谅解备忘录，加强战略合作伙伴关系
  • 04
  • 东芝N300和N300 Pro系列NAS专用硬盘新增24TB超大容量
  • 05
  • 东芝推出采用DFN8×8封装的新型650V第3代SiC MOSFET
  • 东芝研发出可降低沟槽型SiC MOSFET和半超结肖特基势垒二极管损耗的新技术
  • 加贺东芝和姬路半导体引入异地PPA模式
  • 东芝推出符合AEC-Q100标准的双通道车载标准数字隔离器
  • 东芝电子元件及存储装置株式会社董事变更声明
  • 东芝推出智能电机控制驱动IC“SmartMCD™”系列的第二款新品
  • Introducing Storage & Electronic Devices Solutions Company
  • 用于继电器驱动器的小型有源钳位MOSFET：SSM3K357R
  • 采用小型封装、具有高允许功率耗散的100V双型N通道MOSFET产品：SSM6N815R
  • 新一代600V平面功率MOSFET π-MOSIX系列产品：TK750A60F，TK1K2A60F，TK1K9A60F，TK650A60F
  • 用于工业设备、具有业内最低导通电阻的100V N沟道功率MOSFET产品：TPH3R70APL，TPN1200APL
  • 继电器驱动用小型双MOSFET：SSM6N357R
  • 扩大有助于提高工业设备电源效率的100V N通道功率MOSFET U-MOSIX-H系列产品线：TPW3R70APL、TPH5R60APL
  • 扩大有助于提高电源效率的100V N沟道功率MOSFET U-MOSIX-H系列产品线：TK2R9E10PL等
  • 我们60V N沟道功率MOSFET U-MOSIX-H系列中有助于降低电源EMI的低峰值产品：TPH1R306P1
  • 用于汽车应用、采用SOP Advance（WF）封装的U-MOSIX-H系列40V N沟道功率MOSFET：TPHR7904PB、TPH1R104PB
  • 通过降低EMI噪声以允许更大设计灵活性的600V平面MOSFET π-MOSIX系列产品扩大阵容：TK1K0A60F，TK1K7A60F，TK2K2A60F，TK4K1A60F
  • 用于空调电源PFC，具有宽安全工作区域（SOA）的分立IGBT：GT50J123
  • 通过降低EMI噪声以允许更大设计灵活性的600V平面MOSFET π-MOSIX系列产品扩大阵容：TK430A60F，TK370A60F
  • 有助于提高电源效率的新一代超结N沟道功率MOSFET“DTMOSVI系列”扩大阵容：TK040Z65Z，TK065N65Z，TK065Z65Z，TK090N65Z，TK090Z65Z，TK090A65Z
  • 用于车载应用，采用-4.5V驱动电压，即使在电池电压跌落期间也能工作的-40V P沟道功率MOSFET：XPH3R114MC，XPH4R714MC，XPN9R614MC
  • 用于车载设备，具有低导通电阻，提供低功耗的小型MOSFET扩大阵容：SSM6J808R，SSM6K819R
  • 新一代超结N沟道功率MOSFET“DTMOSVI系列”的阵容扩展，有助于提高电源效率：TK110N65Z，TK110Z65Z，TK110A65Z，TK125V65Z，TK155A65Z，TK170V65Z，TK190A65Z，TK210V65Z
  • 有助于降低车载设备功耗的小型表面贴装的40V／60V N沟道功率MOSFET：XPN3R804NC，XPN7R104NC，XPN6R706NC，XPN12006NC
  • 采用有助于提高电源效率的新工艺80V N沟道功率MOSFET的产品线扩展：TPH2R408QM，TPH4R008QM，TPN8R408QM，TPN12008QM
  • 有助于降低家用电器功耗和辐射的分立IGBT：GT30J110SRA
  • 有助于降低电源的EMI的低尖峰型40V N沟道功率MOSFET：TPHR7404PU
  • 有助于缩小设备尺寸的车载双极晶体管：TTA500，TTA501，TTA502，TTC500，TTC501
  • 采用有助于提高电源效率的新工艺，80V N沟道功率MOSFET的产品线扩展：TK2R4E08QM等
  • 有助于延长电池驱动设备的工作时间的小型低导通电阻共漏极MOSFET产品线扩展：SSM10N954L
  • 双极晶体管和开关二极管结温额定值已扩展到150°C，适用于更广泛的应用
  • 有助于减小汽车设备尺寸的100V N沟道功率MOSFET产品线扩展：XPW4R10ANB、XPW6R30ANB、XPN1300ANC
  • 有助于设备的小型化的车载双极晶体管产品线扩展
  • 以低导通电阻降低功耗的车载小型MOSFET产品线拓展
  • 有助于降低车载设备功耗的SOP Advance（WF）封装的功率MOSFET产品线扩展
  • 新一代超级结结构N沟道功率MOSFET“DTMOSVI系列”的产品线扩展，助力电源效率的提高
  • 采用小型TSOP6F封装的1.5W MOSFET产品线扩展，将助力减小设备尺寸
  • 用于车载设备的小型MOSFET产品线中新增了40V产品，其低导通电阻有助于降低功耗
  • 东芝推出了有助于节省电路板空间的双极晶体管产品线
  • 东芝扩展了采用可提高电源效率的新一代工艺的150V N沟道 MOSFET产品线
  • 东芝拓展了有助于降低车载设备功耗的-60V P沟道功率MOSFET的产品线
  • 东芝推出有助于减轻环境负荷的双极晶体管
  • 采用 L-TOGL™ 封装，支持大电流和高散热的80V／100V车载N沟道功率MOSFET的产品线扩展
  • 东芝扩展U-MOSX-H系列80V N沟道功率MOSFET产品线，助力降低电源功耗
  • 东芝扩展有助于降低汽车设备功耗的40V N沟道功率MOSFET的产品线
  • 东芝扩展3300V SiC MOSFET模块的产品线，有助于提高工业设备的效率和小型化
  • 有助于减少环境影响的双极晶体管产品线扩展
  • 东芝扩展1700V SiC MOSFET模块产品线，有助于工业设备的高效化和小型化
  • 适用于栅极驱动电路、电流开关和LED驱动电路的双极晶体管产品线扩展
  • 有助于降低电源功耗的U-MOSX-H系列150 V N沟道功率MOSFET的产品线扩展
  • 有助于实现工业设备高效化和小型化的1200V SiC MOSFET模块产品线扩展
  • 扩大有助于降低设备能耗的双极型晶体管的产品线
  • 有助于减少对环境影响的双极晶体管产品线扩展
  • 扩大功率MOSFET的产品线，集成高速二极管的功率MOSFET，有助于提高电源效率。
  • 扩大有助于提高电源效率，600 V超结结构N沟道功率MOSFET产品线
  • 扩大有助于车载设备稳定运行的-40 V／-60 V车载P沟道功率MOSFET产品线
  • 小型MOSFET可降低电池驱动器件的功耗并延长其工作时间
  • 东芝采用新一代工艺拓展150 V N沟道功率MOSFET产品线，帮助降低电源能耗
  • 采用TO-220-2L封装的第二代SiC SBD产品的扩大阵容：TRS2E65F、TRS3E65F
  • 保护高电压线路（比如NFC天线）的TVS二极管：DF2B12M4SL、DF2B26M4SL
  • 适用于对低电压信号线进行ESD保护的TVS二极管：DF2B5SL
  • 适用于液晶背光的升压电路的小型低正向电压肖特基二极管：CLS10F40
  • 改进高速信号线路静电放电保护性能的TVS二极管：DF2B5M5SL，DF2B6M5SL，DF2S5M5SL，DF2S6M5SL
  • 具有高ESD保护能力的节能型通用整流器：CRG09A，CRG10A
  • 增加峰值脉冲电流额定值以提高移动设备浪涌保护性能的TVS二极管：DF2B5BSL
  • 可降低设备功耗的通用整流二极管的扩大阵容：CRG04A
  • 东芝采用了紧凑封装、具有高散热能力、简化热设计的30V／40V SBD产品扩大阵容：CUHS20F40，CUHS20F30，CUHS15F40，CUHS15F30，CUHS20S40，CUHS20S30，CUHS15S40，CUHS15S30
  • 增加峰值脉冲电流额定值以提高移动设备浪涌保护性能的TVS二极管产品扩大阵容：DF2B7BSL
  • 提供优良保护性能、同时在若干Gbps保持信号质量的车载应用低电容TVS二极管：DF2S5M4FS，DF2S6M4FS
  • 有助于提高IC电源线的可靠性的具有更高峰值脉冲电流额定值的双向TVS二极管：DF2B5PCT、DF2B7PCT
  • 有助于节电并提高电源PFC效率的650V／12A的SiC SBD：TRS12A65F、TRS12E65F
  • 有助于提高电源PFC效率的650V SiC SBD产品线扩展：TRS12N65FB，TRS16N65FB，TRS20N65FB，TRS24N65FB
  • 用于电源线浪涌保护的齐纳二极管有助于提高设备的可靠性：CEZ系列，CUZ系列，MUZ系列，MSZ系列
  • 东芝扩充60V肖特基势垒二极管产品阵容，最新推出采用紧凑型US2H封装且具有优秀的散热功能，易于散热设计的CUHS15F60、CUHS20F60、CUHS15S60、CUHS20S60
  • 东芝电源电路保护用齐纳二极管产品线扩展，有助于提升产品的可靠性
  • 采用压装式封装的快速恢复二极管有助于减小电源转换器的尺寸和功耗
  • 新增的SOT-23封装产品扩展了有助电子设备质量改进的浪涌保护齐纳二极管产品线
  • 采用超小型SOD-962封装的过压保护齐纳二极管，有助于设备上的高密度安装
  • 东芝推出20款适用于汽车设备的浪涌保护齐纳二极管产品
  • 适用于高压电路的400 V耐压小型开关二极管
  • 东芝通过新增电压等级扩展了浪涌保护齐纳二极管的产品线，助力电子设备质量提升
  • 适用于电源线浪涌保护的齐纳二极管有助于提高设备可靠性
  • 200V，0.4A小型光继电器：TLP3145
  • 扩大SO6L（LF4）封装IC输出光耦的产品线：TLP2710（LF4）等
  • 采用4引脚SO6封装，用于工厂自动化和其它工业应用的60V／0.7A光继电器：TLP176AM
  • 用于工厂自动化和工业应用、支持高达1.4A的小型光继电器：TLP3122A
  • 采用紧凑式4引脚SO6封装、提高其关闭状态输出端电压至400V以允许简化设计的光继电器：TLP172GAM
  • 东芝推出了采用轻薄小巧的5引脚SO6封装，帮助缩小设备尺寸的IPM驱动光耦：TLP2304
  • 扩大SO6L和SO6L（LF4）封装IC输出光耦的产品线：TLP2719等
  • 推出用于IGBT和MOSFET栅极驱动，支持高温工作，可以安装在板的背面或高度受限位置的轻薄型光耦：TLP5751H（LF4），TLP5752H（LF4），TLP5754H（LF4）
  • 推出用于IGBT和MOSFET栅极驱动，支持高温工作，可以安装在板的背面或高度受限位置的轻薄型光耦：TLP5751H，TLP5752H，TLP5754H
  • 助力缩小半导体测试设备的尺寸，1.5A通态电流的电压驱动型光继电器扩展了东芝产品线：TLP3403SRHA
  • 使用P-SON4封装，允许高密度安装且具有高断态输出端电压额定值的新产品扩展了光继电器的产品阵容：TLP3483，TLP3484
  • 推出用于IGBT和MOSFET栅极驱动，支持高温操作的轻薄型光耦：TLP5771H，TLP5772H，TLP5774H
  • 具有业内小型封装、用于移动和消费应用的N通道MOSFET驱动器IC：TCK401G、TCK402G
  • 具有高纹波抑制比和快速负载瞬态响应特点和300mA低静态偏置电流的小型LDO稳压器IC：TCR3UG系列
  • 用于移动应用、具有业内最小封装的1.5A LDO稳压器：TCR15AG系列
  • 允许物联网设备和可穿戴设备长期稳定运行的小型贴片式封装LDO稳压器：TCR3UM系列
  • 东芝开始量产高精度微步进电机驱动IC
  • 使用模具树脂提高封装强度的紧凑型负载开关IC：TCK207AN
  • 用于实现物联网设备长期稳定运行的东芝小型贴片式封装LDO稳压器产品阵容最新推出了一款通用型封装TCR3UF系列产品
  • 用于车载大电流应用的MOSFET栅极驱动器开关IPD：TPD7106F
  • 有助于减小安装尺寸的用于车载3相无刷电机的功率MOSFET栅极驱动器IPD：TPD7212FN
  • 有助于移动设备用传感器的长期工作，输入和输出全范围运算放大器产品线扩展：TC75S103F
  • 内置高频振荡器并支持高速控制特色功能的3相直流无刷电机驱动IC
  • 有助于降低车载设备功耗的4位电平转换器：TC7MP3125FK
  • 通过提高工作温度，通用逻辑IC的产品线得以扩展，可广泛用于各种应用
  • 车载用单电源4位电平转换器，可轻松设计电压电平转换电路：74LV4T125FK，74LV4T125FT，74LV4T126FK，74LV4T126FT
  • 东芝开始量产高分辨率车载面板视频处理器
  • 东芝车载直流有刷电机驱动IC的产品线拓展
  • 推出有助于减少线束量的车载CXPI通信驱动电路／接收器IC
  • 有助于降低家用电器的功耗的1350V／30A分立IGBT产品线扩展：GT30N135SRA
  • 有助于高压直流传输系统和工业电机驱动逆变器等工业设备的小型化和高效率化的新型压装IEGT
  • 有助于中低速绝缘通信接口高密度安装的4通道晶体管输出光耦
  • 业界最小封装[1]的4-Form-A触点电压驱动光继电器的产品线拓展，有助于减小半导体测试设备的尺寸
  • 具有业界最小表面贴装面积[1]的电压驱动光继电器产品线扩展，将有助于减小半导体测试设备的尺寸
  • 具有2.5A输出电流的智能栅极驱动光耦，其输出类型广泛应用于工业设备
  • 东芝扩展数字隔离器产品线，助力工业应用中的稳定高速隔离数据传输
  • 东芝电机驱动IC产品线扩展
  • 无需电流感应电阻的50 V/3.0 A步进电机驱动IC
  • 适用于消费设备和工业设备的50 V/5 A直流有刷直流电机驱动器
  • Relationship with Wor(l)d Media Technology Corp.
  • Technical Review
  • Design Method to Improve Clamping Capability of Parasitic pn Diodes Utilizing Newly Developed Equivalent Circuit Model of SBD-Embedded SiC MOSFETs
  • 3D integration technology with photosensitive mold for fan-out package
  • Analysis of dependence of dVCE/dt on turn-off characteristics with a 1200 V double-gate insulated gate bipolar transistor
  • Implementation of security features in storage products
  • Cybersecurity of automotive semiconductor products
  • Novel Approach to Mitigate Parasitic Oscillation of Power Modules with Parallel Connected SiC-MOSFETs
  • Improving the Short-Circuit Capability of RC-IEGT by Backside Double P-ring Structure
  • Demonstration of Pseudo Independent Driving of Buried Gate in Trench Field Plate MOSFETs
  • Impact of Reverse Current Spreading on Diode Conduction Reliability of SBD-Embedded SiC-MOSFET with Deep p-Shield Structure
  • Paralleling 3.3-kV/800-A rated SiC-MOSFET Modules: An Optimization Method
  • Improved reliability of a 2200 V SiC MOSFET module with an epoxy-encapsulated insulated metal substrate
  • 企业基本信息
  • 寄语
  • 管理组织架构・管理人员
  • 业务概要
  • 海外制造公司
  • 东芝半导体（泰国）公司（TST）
  • Toshiba Information Equipment (Philippines), Inc. (TIP)
  • 子公司和关联公司
  • 全球销售网点
  • 环保活动
  • Environmental Report
  • Products that Contribute to Resolving Social Issues
  • Commendation
  • Toshiba Group Medium- to Long-Term Goals
  • Targets and Actual Results
  • Environmental Consideration at the Stages of Product Design and Engineering
  • Green Procurement
  • Climate Change Countermeasures
  • Highly Efficient Use of Water
  • Reduction of Waste Materials Generated
  • Managing and Cutting Down on Chemicals
  • Compliance with Laws and Regulations
  • Environmental Management System
  • Acquisition of ISO14001 Certification
  • Statement of Environmental Philosophy
  • Environmental Education
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