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  • Discrete Semiconductor Device
  • 第I章：半导体基础：p型半导体
  • 第I章：半导体基础：什么是化合物半导体？
  • 第I章：半导体基础：什么是pn结?
  • 第I章：半导体基础：半导体器件的类型
  • 第I章：半导体基础：什么是半导体？
  • 第I章：半导体基础：半导体材料
  • 第I章：半导体基础：n型半导体
  • 第II章：二极管：二极管的类型
  • 第II章：二极管：各种二极管的特性应用
  • 第II章：二极管：肖特基势垒二极管（SBD）
  • 第II章：二极管：整流二极管的功能
  • 第II章：二极管：肖特基势垒二极管（SBD）的反向恢复特性
  • 第II章：二极管：TVS二极管（ESD保护二极管）
  • 第II章：二极管：肖特基势垒二极管（SBD）的金属差异
  • 第II章：二极管：整流二极管的正向特性（IF-VF特性）
  • 第II章：二极管：TVS二极管和齐纳二极管之间的差异（2）
  • 第II章：二极管：可变电容二极管（变容二极管）
  • 第II章：二极管：TVS二极管和齐纳二极管之间的差异（1）
  • 第II章：二极管：FRD（快速恢复二极管）
  • 第II章：二极管：稳压二极管（齐纳二极管）
  • 第III章：晶体管：晶体管的类型
  • 第III章：晶体管：MOSFET的性能：电容的特性
  • 第III章：晶体管：MOSFET的性能：安全工作区域（或安全操作区域）
  • 第III章：晶体管：双极晶体管（BJT）
  • 第III章：晶体管：内置偏置电阻型晶体管（BRT）
  • 第III章：晶体管：结型场效应晶体管（JFET）
  • 第III章：晶体管：IGBT的应用
  • 第III章：晶体管：金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）
  • 第III章：晶体管：BJT和MOSFET的差异
  • 第III章：晶体管：MOSFET的结构和工作原理
  • 第III章：晶体管：MOSFET性能改进：RDS(ON)的决定因素
  • 第III章：晶体管：MOSFET性能改进：低RDS(ON)的解决方案
  • 第III章：晶体管：MOSFET性能改进：超级结MOSFET（SJ-MOS）
  • 第III章：晶体管：按结构分类的MOSFET特性摘要
  • 第III章：晶体管：MOSFET的性能：漏极电流和功耗
  • 第III章：晶体管：MOSFET的性能：雪崩能力
  • 第III章：晶体管：IGBT和MOSFET的正向特性比较
  • 第III章：晶体管：绝缘栅双极晶体管（IGBT）
  • 第III章：晶体管：绝缘栅双极晶体管（IGBT）的工作原理
  • 第III章：晶体管：IGBT的性能改进：垂直设计的发展
  • 第III章：晶体管：什么是RC-IGBT和IEGT?
  • 第III章：晶体管：晶体管的结构比较
  • 第III章：晶体管：MOSFET的规格书：最大额定值
  • 第III章：晶体管：MOSFET的规格书：电特性：
  • 第III章：晶体管：MOSFET的规格书：电容和开关特性
  • 第III章：晶体管：MOSFET的规格书：主体二极管
  • 第IV章：本地电源IC：开关稳压器的工作原理
  • 第IV章：本地电源IC：为什么需要POL电源IC？
  • 第IV章：本地电源IC：LDO的功能
  • 第IV章：本地电源IC：本地电源IC的类型
  • 第IV章：本地电源IC：负载开关 IC
  • 第IV章：本地电源IC：负载开关IC的功能
  • 第IV章：本地电源IC：电源管理IC
  • 第IV章：本地电源IC：线性稳压器的工作原理
  • 第IV章：本地电源IC：系统中的电源线结构实例
  • 第V章：光半导体：光半导体的类型
  • 第V章：光半导体：光耦的特性（电流传输比：CTR）
  • Chapter V : Optical Semiconductors : Principal Characteristics of Photocouplers(Trigger LED Current)
  • 第V章：光半导体：光耦的老化变化数据
  • 第V章：光半导体：如何使用光耦
  • Chapter V : Optical Semiconductors : Types of Photocouplers
  • Chapter V : Optical Semiconductors : Types of Photocouplers (Internal Structure)
  • 第V章：光半导体：如何使用光耦“输出侧电阻器”
  • Chapter V : Optical Semiconductors : Types of Photocouplers (Packages)
  • 第V章：光半导体：LED的波长范围
  • Chapter V : Optical Semiconductors : Safety Standards of Photocouplers
  • 第V章：光半导体：如何使用光耦“输入电流”
  • 第V章：光半导体：如何使用光耦检查
  • 第V章：光半导体：如何使用光耦“输出电流”
  • 第V章：光半导体：什么是光耦？
  • Chapter V : Optical Semiconductors : Why Are Photocouplers Necessary?
  • 第V章：光半导体：LED的发光原理
  • 难题解决案例
  • 案例1.【低耐压MOSFET U-MOS Ⅸ-H系列】
  • 案例2.【40V系列容限不足，通过45V系列解决问题】
  • 案例3.【中高电压MOSFET DTMOSⅣ系列】
  • 案例4.【通过模拟分析解决EMI噪音问题】
  • 案例5.【IGBT／MOSFET驱动用光耦TLP5214】
  • 案例6.【光伏输出光耦TLP3906】
  • Example of Toshiba’s Solution for a Customer’s Problem
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  • 射频器件
  • 常问问题（FAQ）
  • 二极管
  • 绝对最大额定值
  • 对于采用小封装的小信号器件，为何原因未规定结到外壳（或通道到外壳）的热阻？
  • 对于温度是否有什么特殊考虑？
  • 齐纳二极管的温度系数是否有什么特殊考虑？
  • 使用开关二极管有什么特殊考虑？
  • 电气特性表中的术语定义
  • SBD是否具有反向恢复特性（trr）?
  • 齐纳二极管的使用目的是什么？
  • How can I calculate the junction-to-ambient thermal resistance, Rth(j-a), of a small-signal diode?
  • 如何区分阳极和阴极端？
  • 如何使用齐纳二极管创造相对恒定的电压，不会受到温度和电源电压变化的显著影响？
  • 二极管的工作原理是什么？
  • 快速恢复二极管（FRD）用于什么样的应用？
  • 齐纳二极管用于什么样的电路中？
  • 将多个同一器件型号的二极管进行并联是否可行？
  • 并联多个齐纳二极管是否可行？
  • 串联多个齐纳二极管是否可行？
  • 齐纳二极管能否采用与典型二极管同样的方式进行使用？
  • 什么是二极管？
  • 什么是肖特基二极管（SBD）？
  • 齐纳电压的特性是什么？
  • varicap二极管的主要特性是什么？
  • 如果trr太大会发生什么？
  • 什么是FRD？
  • 什么是HED？
  • 什么是开关二极管?
  • 什么是变容二极管（varicap二极管）？
  • 什么是齐纳二极管?
  • 整流二极管和一般开关二极管有什么不同？
  • SBD的正向电压（VF）是什么？
  • 齐纳二极管的阻抗是指什么？
  • 使用FRD时的工作频率是多少？
  • 什么是trr?
  • FRD的trr是什么级别？
  • SBD具有什么样的特性？
  • 二极管类型有几种？
  • Why is no operating temperature range specified?
  • 通用线性IC
  • How does a boost converter work?
  • How does a buck converter work?
  • In what parts are power supply ICs used?
  • What kinds of local power supply ICs exist?
  • What kinds of switching-type local power supply ICs (switching regulators) exist?
  • 光半导体器件
  • What is a photocoupler?
  • Why is a photocoupler necessary?
  • What types of photocouplers are available?
  • What is the internal structure of a photocoupler?
  • How many volts can be applied to the input side LED?
  • Is it possible to use a photocoupler in such a way that for items such as the LED current, output current, and output voltage, the value specified for the absolute maximum rating is exceeded for a short time?
  • What are the parameters specific to photocoupler and photorelay optical isolation devices, transfer ratio (CTR), trigger LED current, and threshold input current?
  • How are the current transfer ratio (CTR), trigger LED current, and threshold input current measured?
  • For a photocoupler and photorelay incorporating a LED device, in designing equipment, which should be considered: LED life or photodetector life?
  • A photocoupler is an isolation device. What is dielectric strength, which indicates its insulation capability?
  • What is the difference between a photocoupler and a photorelay?
  • What are the safety standards required for photocouplers?
  • What are required by safety standards applicable to photocouplers? How are they specified in products?
  • How can I find safety standard authentication information about photocouplers?
  • What is the current transfer ratio?
  • What is the CTR classification by rank?
  • Why are there two current transfer ratios: CTR and CTR (Saturation)?
  • What is the difference between a dark current and OFF-state collector current?
  • Why is VECO very low (0.3V) for Darlington transistors such as TLP187 and TLP387? What precautions should be taken when using such transistors?
  • In designing a circuit using a transistor coupler, how should the current transfer ratio be reflected?
  • How should a circuit driving the LED of a transistor coupler be selected?
  • In a circuit using a transistor coupler, how should load resistance be selected?
  • How many volts are minimally required for transistor couplers to operate?
  • How many milliamps are minimally required for transistor couplers to operate?
  • Up to what frequency can transistor couplers transmit signals?
  • For a transistor coupler with the base terminal, if not using the base terminal, is it OK to keep the base terminal open and do nothing?
  • For IC couplers, there is a requirement related to common-mode transient immunity. However, for transistor couplers, such a requirement does not exist. Why?
  • What is the threshold input current?
  • In designing a circuit using an IC coupler, how should the threshold input current be reflected?
  • How should a circuit driving the LED at the input side of an IC coupler be selected?
  • In a circuit using a high-speed IC coupler, how should output pull-up resistance be selected?
  • For example, for 1Mbps-type IC couplers such as TLP109 and TLP759 to operate, how many volts are minimally required?
  • For IC couplers, some products are defined with a threshold input current, and others are defined with a current transfer ratio. What is the difference between them?
  • Is a bypass capacitor required between the VCC and GND terminals?
  • How should a frequency for signals that can be transmitted by a high-speed IC coupler be estimated?
  • What is the UVLO function?
  • Is there any problem with waveforms with input signals rising or falling gently?
  • What is the difference between the open collector output type and the totempole output type? Also, what precautions should be taken for use?
  • What is the voltage range in which IC couplers can operate?
  • What is common-mode transient immunity? Why is this required for IC couplers?
  • How can I find the resistance values when the photorelay is OFF and when it is ON?
  • Up to what level of voltage can be used at the switch section of a photorelay?
  • How much input current should be passed for switch operation?
  • Up to what level of current can be used at the switch section of a photorelay? Also, for a pulsed current or AC current, what happens?
  • For signals to be switched, up to what frequency can be used?
  • How long does it take from when an input signal enters until the switch changes?
  • Can photorelays be used by series connections or parallel connections? If yes, what points require attention?
  • What is the CR product of the photorelay?
  • Can photorelays be replaced with and used in the same way as mechanical relays? What is the difference, if any?
  • What are Form A contacts and Form B contacts in a photorelay? Also, what are A, B, and C connections? What is the difference?
  • For what purposes are triac couplers used?
  • What precautions should be taken when replacing mechanical relays with triac couplers?
  • What are the differences among triac couplers, SSR (solid state relays), and photorelays?
  • What is the difference between zero-cross triac couplers and non-zero-cross triac couplers? How should they be used properly?
  • What precautions should be taken when performing phase control with triac couplers?
  • For triac couplers, how should a VDRM (400V, 600V, 800V) be selected?
  • How much input current should be set for turning the triac ON/OFF?
  • What precautions should be taken when using triac couplers for a long time?
  • How should values be selected for the constants for the snubber circuit connected to the triac?
  • When using a triac coupler to drive the main triac, how should the current limiting resistor RT directly connected to the triac be determined?
  • Can high-frequency signals be switched ON/OFF with a triac coupler?
  • When controlling a load with a triac coupler, can a load be controlled even if using a rectangular wave power supply at the load side instead of a sinusoidal wave (AC) power supply?
  • What are fiber couplers (TOSLINK?) used for?
  • What are the characteristics of optical transmission?
  • What is a fiber coupler (TOSLINK™)?
  • What is optical fiber?
  • What is optical transmission?
  • What types of optical connectors are available?
  • MOSFETs / Bipolar Transistors
  • A dotted line in a safe operating area is annotated as “This area is limited by RDS(ON).” What does it mean?
  • Aren't there maximum guaranteed values for capacitance, gate charge (Qg) and switching characteristics?
  • Are there any reasons why forward transfer admittance,
  • Are there any special considerations for using MOSFETs?
  • Electrical characteristics of MOSFETs (Static Characteristics IGSS/IDSS/V(BR)DSS/V(BR)DXS)
  • Electrical characteristics of MOSFETs (Body diode IDR/IDRP/VDSF/trr/Qrr/dv/dt)
  • Electrical characteristics of MOSFETs (Charge Characteristic Qg/Qgs1/Qgd/QSW/QOSS)
  • Electrical characteristics of MOSFETs (Dynamic Characteristics Ciss/Crss/Coss)
  • Electrical characteristics of MOSFETs (Dynamic Characteristics　tr/ton/tf/toff)
  • Electrical characteristics of MOSFETs (Static Characteristics RDS(ON))
  • Electrical characteristics of MOSFETs (Static Characteristics Vth)
  • How can I calculate the channel-to-ambient thermal resistance, Rth(ch-a), of a small-signal MOSFET?
  • How does the series gate resistor affect the MOSFET?
  • How do N-channel MOSFETs work?
  • How much gate-source voltage should be applied to drive the MOSFET?
  • I heard that MOSFETs have a diode between drain and source. What kind of diode is it?
  • Why are two MOSFETs used in series in the Lithium-ion secondary battery protection circuit?
  • Is it OK to use the body diode (parasitic diode) between the drain and source for a particular purpose?
  • Is it possible to use the Zener diode between the gate and source for surge absorption?
  • Is the MOSFET drive current necessary?
  • Is the on-state resistance of a MOSFET dependent on temperature?
  • MOS is sensitive to static electricity. How do you protect MOSFETs from static electricity?
  • How to select a suitable high voltage MOSFET for the application that current flows in the body diode. (e.g. Bridge circuit)
  • How to calculate the avalanche energy.
  • Resistors are often inserted between a CPU and MOSFETs. Why are these resistors necessary?
  • The MOSFET does not turn off by a turn-off signal. How do I solve this problem?
  • What are super junction MOSFETs (SJ-MOSs)?
  • What are the capacitance characteristics of MOSFET.
  • What are the considerations when using MOSFETs in parallel?
  • What attention should be paid when the reverse voltage is applied between drain and source of power MOSFET?
  • What attention should be paid to rising and falling time of the driving signal for MOSFET?
  • What does derating of Safe Operating Area (SOA) mean?
  • What does the dv/dt of the MOSFET mean?
  • What is avalanche capability?
  • What is the avalanche capability specified as part of the absolute maximum ratings?
  • What is the definition of "drain current (DC) (Silicon limit)" listed in the Absolute Maximum Ratings table?
  • What is the definition of power dissipation?
  • What is the meaning of “Logic-Level Gate Drive” for the MOSFET?
  • What should I pay attention to when mounting a MOSFET?
  • When using a MOSFET as a load switch, how do I reduce the inrush current that occurs?
  • Where can I find information about the MOSFET naming conventions?
  • Why do Toshiba's power MOSFETs exhibit larger gate-source leakage current, IGSS, than those of other companies?
  • Why is no operating temperature range specified?
  • 所有半导体器件
  • 半导体器件的允许耗散功率是多少?
  • 如何将功耗波近似为方波？
  • 如何计算选择半导体器件的散热片（1）
  • 如何计算选择半导体器件的散热片（2）
  • 规格书中未包括“热阻”值的半导体器件的结点温度计算方法
  • 半导体器件功率耗散时结点温度的计算方法
  • 如何计算规格书中未包括的短脉冲宽度下的瞬态热阻抗
  • 如果封装相同，热阻是否相同?
  • 在电路板设计中，降低结点温度的方法有哪些?
  • 外壳温度或引线温度是否与结点温度相同?
  • 双面散热封装的效果是什么?
  • 热通孔的效果是什么?
  • 使用散热片时重要的考虑因素是什么?
  • Rth（j-c），Rth（j-a）和Rth（ch-c）的热阻后缀是什么意思？
  • 什么是辐射等效电路?
  • 什么是热阻?
  • 什么是瞬态热阻抗?
  • 当多个半导体器件布置在同一块板上时，是否需要考虑热干扰？
  • General-Purpose Logic ICs
  • 射频器件
  • Are there any special considerations for using RF devices?
  • How can I distinguish between the cathode and anode terminals?
  • What is an RF MMIC (RF cell pack)?
  • What is an RF MOSFET?
  • What is an RF Schottky barrier diode?
  • What is an RF switching diode?
  • What is a PIN diode?
  • What is a variable-capacitance diode?
  • What is important when selecting a variable-capacitance diode?
  • What is "rs" shown in the Electrical Characteristics table?
  • 射频器件
  • Microcomputer
  • Are there any products that allow memory to be connected without using an external address decoder ?
  • Are there any products that support an extended operating temperature range ?
  • Are there any products with a built-in CAN controller ?
  • What is the meaning of LSB in representation of AD conversion errors ?
  • How do I submit ROM data ?
  • Does Toshiba provide Flash programming service ?
  • Are there any products with a built-in CAN controller ?
  • Are there any products with a built-in LCD driver ?
  • What is the meaning of LSB in representation of AD conversion errors ?
  • How do I connect a microcontroller with 16-bit data bus and a NOR Flash memory with 16-bit data bus ?
  • How do I identify whether a malfunction is caused by hardware or software ?
  • Although operation checks with test tools in the development environment were successful, proper operation cannot be achieved with the actual device.
  • It looks as if the argument is not passed to the function properly.
  • It looks as if the function call returns an unintended value.
  • What is a wide-band-gap semiconductor?
  • What is surge current?
  • What is the temperature characteristic of the SiC-Schottky barrier diode (SBD)?
  • What is thermal runaway * of the SiC Schottky barrier diode (SBD)?
  • Why does the SiC Schottky barrier diode (SBD) have a high withstand voltage?
  • 电源线和接地线是否需要去耦电容？
  • 如何计算电流和功率消耗？
  • 如何购买样品和评估板？
  • 每个卷带式包装有多少个部件？
  • 能否将电容器与输出线相连？
  • 能否在漏极（D）和源极（S）之间使用等效二极管结构？
  • MOS设备通常对静电放电（ESD）比较敏感。应该如何保护 MOSFET不受ESD的影响？
  • 请解释准许功率消耗的含义
  • 请介绍推荐的连接盘图形
  • 绝对最大额定值和推荐工作条件之间的差异是什么？
  • 允许功率消耗”的定义是什么？
  • 若静电释放到电机驱动器逻辑电路，则会产生什么影响? 芯片是否有任何保护装置？
  • 电源线和接地线是否需要去耦电容？
  • 如何计算电流和功率消耗？
  • 如何购买样品和评估板？
  • 每个卷带式包装有多少个部件？
  • 能否将电容器与输出线相连？
  • 能否在漏极（D）和源极（S）之间使用等效二极管结构？
  • 使用无传感器直流电机时的重要事项有哪些？
  • MOS设备通常对静电放电（ESD）比较敏感。应该如何保护 MOSFET不受ESD的影响？
  • 请解释准许功率消耗的含义
  • 请介绍推荐的连接盘图形
  • 移相（超前角）控制的优点是什么？
  • 绝对最大额定值和推荐工作条件之间的差异是什么？
  • 什么会造成电机故障和正弦波性失真？
  • “允许功率消耗”的定义是什么？
  • 正弦波形驱动器ICs支持的最大转速是多少？
  • 若静电释放到电机驱动器逻辑电路，则会产生什么影响? 芯片是否有任何保护装置？
  • Are decoupling capacitors required across power and ground lines?
  • How can I calculate current and power consumption?
  • How can I program the output current?
  • How many parts are supplied per tape-and-reel?
  • How many watts does the REXT resistor need to be rated at?
  • How should the power and input signals be sequenced at power-up and power-down?
  • I want to connect multiple LED drivers in cascade. Is it okay if the SCK waveform becomes shallow?
  • What are the differences between the absolute maximum ratings and the recommended operating conditions?
  • What is the definition of “allowable power dissipation”?
  • You have announced that the TB62705CFG and TB62725BFG 8-channel LED drivers will be discontinued. Do you have any replacements for these devices?
  • You have announced that the TB62706BFG and TB62726AFG 16-channel LED drivers will be discontinued. Do you have any replacements for these devices?
  • What is a high-side switch?
  • What is a low-side switch?
  • What is a short to ground?
  • What is a short to power?
  • What is the difference between IPD and IPS?
  • What does the diagnostic function available with low-voltage IPDs do?
  • What is the open-load detection function available with low-voltage IPDs?
  • What is active clamping available with low-voltage IPDs?
  • How does a low-voltage IPD sense temperature for thermal shutdown?
  • How does the thermal shutdown of a low-voltage IPD work for device protection?
  • How does the overcurrent protection of a low-voltage IPD work?
  • Are low-voltage IPDs with a high-side and a low-side switch distinguished with part numbers?
  • Are decoupling capacitors required across power and ground lines?
  • Do stepping motor drivers incorporate body diodes to absorb back-EMF?
  • How can I calculate current and power consumption?
  • How can I purchase samples and evaluation boards?
  • How many parts are supplied per tape-and-reel?
  • Is it OK to connect capacitors to the output lines?
  • Is it OK to make deliberate use of the equivalent diode structure between the drain (D) and the source (S)?
  • MOS devices are typically sensitive to electrostatic discharge (ESD). How should I protect MOSFETs against ESD?
  • Please explain permissible power dissipation.
  • Tell me about the recommended land pattern.
  • What are the differences between the absolute maximum ratings and the recommended operating conditions?
  • What is the definition of “allowable power dissipation”?
  • What would happen if static electricity were discharged to the motor driver logic? Isn’t any protection implemented on-chip?
  • Are the collector and emitter terminals of a bipolar transistor interchangeable?
  • Are there any special considerations for heat dissipation from bipolar transistors?
  • Electrical characteristics of bipolar transistors
  • Example of measurement of the key bipolar transistor characteristics
  • How can I calculate the junction-to-ambient thermal resistance, Rth(j-a), of a small-signal transistor?
  • How does an ambient temperature rise affect the transistor breakdown voltage?
  • How do npn and pnp transistors operate?
  • Reading individual technical datasheets for bipolar transistors
  • Datasheets and other documents for bipolar transistors contain a safe operating area (SOA) graph. What is it?
  • Transient thermal resistance vs. safe operating area (SOA)
  • What is the difference between small-signal transistors and power transistors?
  • What are the applications of bipolar transistors (bipolar junction transistors: BJTs)?
  • What is the relationship between the base-emitter and collector-emitter voltages of a bipolar transistor?
  • What types of bipolar transistors (bipolar junction transistors: BJTs) are available?
  • What occurs if voltage exceeding the absolute maximum rated emitter-base voltage is applied to the base terminal?
  • A junction FET is widely used for impedance conversion. What is it for?
  • Are there any reasons why junction-to-case (or channel-to-case) thermal resistance is not specified for small-package devices?
  • Are there any special considerations for thermal calculation?
  • What drives transistors: current or voltage
  • I heard that a junction FET could be used as a constant-current source. How can I create a constant-current source?
  • Is it OK to use a transistor as diodes?
  • Neither Rth(ch-a) nor Rth(j-a) is specified for MOSFETs, IGBTs and bipolar transistors. Why is that?
  • Technical documents for MOSFETs and bipolar transistors contain a safe operating area (SOA) graph. What is it?
  • What is a bias resistor built-in transistor?
  • What is a bipolar transistor?
  • What is a JFET?
  • What is a MOSFET?
  • What is a multi-chip discrete device?
  • What is an IGBT?
  • What kinds of tape packing does Toshiba offer for transistors?
  • What types of transistors are available?
  • Why is no operating temperature range specified?
  • What is an IPD?
  • What is an SOI?
  • How can I distinguish high-voltage IPDs for sine-wave and square-wave drive based on part numbers?
  • What are the applications of high-voltage IPDs?
  • How does a high-voltage IPD detect temperature for thermal shutdown?
  • What is the bootstrap circuit in high-voltage IPDs?
  • What is the level-shift driver in high-voltage IPDs?
  • What type of Hall-effect devices is suitable for use with a high-voltage IPD?
  • Does the E-Pad (metal frame) exposed on the surface of a high-side IPD have the same potential as GND?
  • Is it possible to use the E-Pad (metal frame) exposed on the surface of a high-voltage IPD as a conductive pin?
  • Metals are exposed on the sides of the SSOP30 package for high-voltage IPDs. What voltage potential do they have?
  • How are local power supply ICs used?
  • What kinds of linear-type local power supply ICs (linear regulators) exist?
  • Do linear-type local power supply ICs (linear regulators) need external parts?
  • About absolute maximum ratings (Understanding datasheet values)
  • About electrical characteristics (Understanding datasheet values)
  • Is it possible to use LDO regulators at low supply voltage? What is the minimum voltage required for their proper operation?
  • How can a low-noise power supply be created using an LDO regulator?
  • What is the resistance of the pulldown resistor connected to the CONTROL pin of the LDO regulator?
  • How does overcurrent protection work in an LDO regulator?
  • When the operating mode of the load-side IC is changed, the output voltage of an LDO regulator drops, causing the IC to malfunction. What can I do to prevent a malfunction?
  • What is the thermal shutdown (TSD) that is available with LDO regulators?
  • Are there any LDO regulators with adjustable output voltage available (requiring external resistors)?
  • What type of capacitor is suitable for use with an LDO regulator?
  • What is the quiescent current of an LDO?
  • Which characteristics in a datasheet should I refer to in order to determine whether a given LDO maintains a regulated output voltage even when input voltage varies?
  • The output voltage of an LDO drops when I increase the output current even though it is operating within the rated conditions. What type of LDO should I choose to avoid such a problem?
  • A small noise is superimposed on the output voltage of an LDO. What can I do to reduce the noise?
  • What voltage is required at the CONTROL terminal to enable an LDO?
  • Why does the LDO output voltage oscillate?
  • How can I quickly bring the output voltage of a circuit with an LDO to zero in order to set a power supply sequence for the load IC?
  • Why is the output of an LDO disabled when its input voltage decreases?
  • How can I prevent the output voltage from overshooting following the application of the control voltage to an LDO?
  • Large inrush current flows when an LDO is enabled. What can I do to prevent this?
  • Is the power-on sequence of the input voltage (VIN) and the control voltage (VCT) of an LDO significant?
  • What is the purpose of the capacitor connected to one of the external resistors for an adjustable-output LDO?
  • Is it OK to reverse-bias an LDO, causing its output voltage to become higher than the input voltage?
  • How can I calculate the junction temperature of an LDO?
  • What is an output discharge function of the load switch IC?
  • What is the input-tolerant function?
  • Is it OK to apply the input voltage following the application of an “on” signal to the CONTROL terminal?
  • How can I suppress inrush current with a load switch IC?
  • What is the value of the pull-down resistor connected to the active-High CONTROL terminal of load switch ICs?
  • Does the overvoltage lockout of the load switch IC recover automatically?
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  • What is the FLAG output function of the load switch IC?
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  • How can I calculate the power dissipation and junction temperature of a load switch IC?
  • What is a bus switch?
  • Tell me about the handling of the input of bus switches and analog switches.
  • Are the output states of flip-flops, registers, counters and one-shot multi-vibrators determinate?
  • Is it OK to leave the bidirectional pin of a bidirectional bus buffer open when it is floating?
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  • The output of a CMOS logic IC does not stabilize in the High or Low state. What could be the cause of this?
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  • The output voltage from a buffer type does not reach the supply voltage. What can I do to prevent this?
  • The output waveform of a CMOS logic IC has transients that look like spikes. What can I do to prevent this?
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  • What is the meaning of alphanumeric characters at the end of the product name?
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  • 车载微控制器产品阵容：电动助力转向（EPS）应用的PMD微控制器：TMPM351F10TFG（量产）
  • 车载微控制器产品阵容：HEV和EV应用的M/G微控制器：TMPM354F10TAFG（量产）
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  • 07
  • 东芝将开始量产针对可穿戴应用的ApP Lite™处理器系列IC
  • 东芝Visconti™4图像识别处理器为DENSO的前置摄像头主动安全系统提供支持
  • 08
  • 东芝存储器株式会社推出采用64层3D闪存的BGA NVMe™ SSD
  • Update on Toshiba Memory Corporation’s Investment in Production Equipment for Fab 6 at Yokkaichi Operations
  • 东芝存储器株式会社推出采用64层3D闪存的客户级SATA SSD
  • 东芝存储器株式会社推出全球首款采用64层3D闪存的企业级SSD
  • Update on the Sale of Toshiba Memory Corporation
  • 09
  • 东芝面向三相无刷风扇电机推出采用小型表面贴装型封装的500V正弦波驱动器IC
  • 东芝存储器株式会社将在Kitakami（北上）市和Iwate（岩手）市筹备新工厂以扩大闪存运营
  • 东芝宣布面向移动客户端存储应用推出新的1TB硬盘驱动器
  • 东芝推出用于电源线保护的高性能、高峰值脉冲电流瞬态抑制二极管
  • 东芝宣布推出具有防失速反馈结构的步进电机驱动器IC新产品阵容
  • 东芝即将推出用于下一代无线LAN的低电压5GHz接收器
  • 东芝推出10TB企业级HDD
  • 东芝面向数字控制开关电源和IPM驱动推出具备欠压锁定功能的光电耦合器
  • 东芝推出具备业界最小尺寸的新系列高速信号传输光继电器
  • Update on the Sale of Toshiba Memory Corporation
  • Notice on the Sale of Toshiba Memory Corporation
  • 东芝面向继电器驱动器推出小型有源钳位MOSFET
  • 东芝300mA小型LDO稳压器IC结合低静态偏置电流与高波纹抑制比及快速负载瞬态响应
  • 东芝面向移动和消费应用推出采用业界领先小型封装的N沟道MOSFET驱动IC
  • Notice on the Signing of a Share Purchase Agreement with a Bain Capital-Led Consortium for the Sale of Toshiba Memory Corporation
  • 东芝将推动汽车半导体解决方案业务
  • 东芝推出可轻松切换至多极电机的新型三相无刷风扇电机控制器IC
  • 10
  • 东芝启动面向汽车应用的恒流两相步进电机驱动器样品发货
  • 东芝推出采用DPAK表面贴装型封装的第二代650V碳化硅肖特基势垒二极管
  • Toshiba Memory Corporation to Further Invest in Production Equipment for Fab 6 at Yokkaichi Operations
  • SDHC/SDXC Memory Card with embedded wireless LAN functionality FlashAir™ may have a security vulnerability related to the generation and management of WPA2 key
  • Toshiba Contributions Make Toshiba the Winner of the 2017 MIPI Corporate Award
  • 东芝推出新型表面贴装型有刷电机驱动器IC
  • 11
  • 东芝推出中压、高容量、小型封装的光继电器
  • 东芝面向移动应用推出采用业界最小封装的1.5A LDO稳压器
  • 东芝发布10TB监控型硬盘
  • 东芝存储器株式会社推出采用64层3D闪存的UFS器件
  • 东芝存储器株式会社推出2TB客户级NVMe™ SSD
  • Nexty Electronics and Toshiba Microelectronics Establish Software Development Joint Venture
  • 12
  • 东芝推出10TB NAS硬盘
  • 东芝面向汽车应用推出新款低功耗Bluetooth® IC
  • 东芝推出汽车音响用4声道高效率线性功率放大器
  • 东芝推出全球首款传统磁记录技术的14TB硬盘
  • 东芝推出符合UFS Ver.2.1标准的嵌入式NAND闪存
  • Toshiba and Western Digital Reach Global Settlement and Agree to Strengthen Flash Memory Collaboration
  • UPDATE:SDHC/SDXC Memory Card with embedded wireless LAN functionality FlashAir™ may have a security vulnerability related to the generation and management of WPA2 key
  • 东芝电子元件及存储装置株式会社为汽车音响推出采用纯MOS的功放IC
  • 东芝面向工业应用推出拥有业界最低导通电阻的100V N沟道功率MOSFET
  • Toshiba Launches New Series of Next Generation 10,500 RPM Enterprise Performance 2.5-inch HDD
  • 东芝面向工厂自动化及其他工业应用推出可以取代机械继电器的大电流光继电器
  • Toshiba Memory Corporation to Prepare New Semiconductor Fabrication Facility
  • 元旦放假通知
  • 2018
  • 01
  • 东芝推出两款符合Bluetooth® Ver.5.0标准的新IC
  • 东芝推出新一代600V平面MOSFET系列
  • 东芝电子元件及存储装置株式会社面向智能手机低噪声射频放大器推出实现低噪声系数的SOI工艺
  • 东芝电子元件及存储装置株式会社面向继电器驱动器推出小型双MOSFET
  • 02
  • 春节放假通知
  • Toshiba Memory Corporation to Make Next Investment in Fab 6 at Yokkaichi Operations
  • Default Password Vulnerability in CANVIO (STOR.E) wireless products
  • 东芝推出新的消费级2TB硬盘
  • 03
  • 东芝电子（中国）有限公司参展“electronica China 2018”
  • 东芝发布英文版的环境报告2017
  • 东芝为SO6L IC输出型光电耦合器扩展新的封装选项
  • 东芝推出搭载高效静电放电保护、用于驱动LED前照灯的小型MOSFET
  • 东芝新型三相无刷风扇电机驱动器IC具有转速控制（闭环控制）功能
  • 04
  • 东芝面向工厂自动化和其他工业应用推出采用小型4引脚SO6封装的中压光继电器
  • 东芝推出采用新型封装的车规40V N沟道功率MOSFET
  • 东芝发布全系列消费级硬盘
  • 东芝高微步步进电机驱动器IC样品出货即将启动
  • 东芝电子元件及存储装置株式会社的技术提高了远距离高像素分辨率车载激光雷达的可靠性
  • 05
  • 东芝电子元件及存储装置株式会社宣布董事及审计师更新名单
  • 东芝面向工厂自动化和其他工业应用推出光继电器
  • 东芝电子元件及存储装置株式会社和日本半导体株式会社的新技术提高了用于0.13μm模拟电源IC的N通道LDMOS的可靠性
  • 东芝推出支持1.8V低电压和1.6A大电流驱动的H桥驱动器IC
  • 东芝基于Arm® Cortex®-M内核的微控制器支持Mbed™ OS
  • 06
  • 东芝电子元件及存储装置株式会社和艾普凌科有限公司将建立混合信号IC业务的联盟
  • 东芝面向汽车信息娱乐应用推出接口转换芯片
  • 东芝电子亮相PCIM Asia 2018，为客户提供全方位系统级解决方案
  • 东芝电子元件及存储装置株式会社推出具有远程通信和低功耗特点的Bluetooth®低功耗SoC
  • 东芝宣布14TB硬盘获得超微优选存储服务器可用性认证
  • 07
  • 东芝宣布推出新的汽车应用模拟输出IC光耦
  • Toshiba Announces 14TB HDD Availability on Select Supermicro Storage Servers
  • 东芝开发出散热性能更强的低反向电流肖特基二极管
  • 东芝启动通过UL508认证的工业控制设备光继电器的出货
  • 东芝推出紧凑型功率MOSFET栅极驱动器智能功率器件
  • TDSCSA00436: CANVIO网络存储产品存在多个漏洞
  • CANVIO网络存储产品的软件更新终止
  • 东芝推出用于短距离数据传输的单向光模块适配器
  • 东芝推出专为NAS平台打造的全新MN07系列硬盘，可满足OEM和集成商要求
  • 东芝面向消费设备和工业设备推出基于Arm® Cortex®-M3且具备先进功能的低功耗微控制器
  • 东芝推出采用DIP4封装的大电流光继电器
  • 东芝开发出散热性能更强的40V N沟道功率MOSFET
  • 08
  • 东芝宣布推出新一代超结功率MOSFET
  • 东芝再次扩大SAS HDD产品容量
  • 09
  • 东芝面向汽车音响推出具备卓越抗电涌性能的功率放大器
  • 国庆放假通知
  • 东芝推出具备限流检测功能的有刷直流电机驱动器IC
  • 东芝高级Bluetooth®低功耗SoC采用紧凑式模块提供远程通信
  • 10
  • 东芝推出面向汽车应用的Bluetooth® 5 IC
  • 东芝推出最大输出功率达45W的新型汽车音响用4声道高效率线性功放
  • 11
  • 东芝推出具备高性能、低功耗和低成本结构阵列的130nm FFSA™开发平台
  • 东芝测试实验室符合国际标准，获得ISO/IEC 17025认证
  • 12
  • 东芝多款CANVIO系列移动硬盘推出全新4TB大容量
  • Toshiba adds new 12TB and 14TB helium-sealed models to both the N300 NAS and X300 Performance Hard Drive Product Line
  • 东芝推出支持1.8V低电压和4.0A大电流驱动的H桥驱动器IC
  • 元旦放假通知
  • 2019
  • 01
  • 东芝将基于Arm® Cortex®-M内核的微控制器引入中科创达生产的MCU板
  • 东芝成功研发出面向汽车驾驶员辅助系统的图像识别人工智能处理器Visconti™5的DNN硬件IP
  • 东芝发布16TB MG08系列硬盘
  • 东芝扩大用于汽车和工业应用的以太网桥接芯片产品线
  • 东芝具备LIN从属功能的车载直流电机驱动器IC样品开始发货
  • 春节放假通知
  • 02
  • 东芝将基于Arm® Cortex®-M内核的微控制器引入中科创达生产的MCU板
  • 东芝汽车级图像识别芯片集成深度神经网络加速器
  • 东芝推出支持低压运行的单电源单门逻辑IC
  • 东芝电子元件及存储装置株式会社发布了英文版的2018年环境报告
  • 03
  • 东芝推出全新小型表面贴装LDO稳压器系列
  • 东芝推出车载直流无刷电机无传感器预驱动器IC
  • 东芝新半导体公司将强化提出解决方案的能力并提高研发效率
  • 东芝推出基于Arm® Cortex®-M4的新款微控制器，内置定时器和通信通道，可实现高速数据处理
  • 东芝员工获得2018年MIPI终身成就奖
  • 04
  • 东芝推出正弦波驱动型三相无刷电机控制器IC
  • 东芝新算法大大提高了汽车激光雷达的角分辨率
  • 05
  • 东芝推出缩影镜头类型的5340像素×3行线性图像传感器面向办公室自动化和工业设备领域的应用
  • 稳定系统LSI业务的措施
  • 东芝开始为工控设备提供UL 508认证的光继电器
  • 有关东芝停止与华为合作的报道
  • 东芝推出低功耗有刷直流电机驱动器IC采用兼容引脚分配HSOP8封装
  • 06
  • 东芝推出全新低压驱动光继电器系列 --采用微型封装的光继电器支持测试设备应用的高密度装配--
  • 搭载东芝高级图像识别处理器的丰田Alphard／Vellfire荣获日本预防安全性能最高奖项
  • 东芝的IGBT／IEGT紧凑模型实现了对能效和电磁干扰噪声的高精度预测
  • 东芝电子亮相PCIM Asia 2019，展示电力能源方面先进技术
  • 09
  • 东芝推出采用业界最小封装的低输入功耗型电压驱动光继电器
  • 东芝推出高压双通道螺线管驱动器IC
  • 东芝推出适用于3相无刷电机的600V正弦波PWM驱动器IC
  • 10
  • 东芝推出低电容TVS二极管满足Thunderbolt 3和其他高速信号线的静电保护要求
  • 东芝推出采用智能相位控制与闭环速度控制技术的新款三相无刷电机控制预驱IC
  • 东芝即将参展第二届中国国际进口博览会
  • 11
  • 逻辑LSI（先进ASIC）业务策略
  • 东芝推出首款可以重复使用的电子熔断器eFuse
  • 投标要约登记声明（投标要约人：东芝电子元件及存储装置株式会社，目标公司：NUFLARE TECHNOLOGY, INC.）
  • 采用东芝图像识别处理器的丰田雷克萨斯UX和雷克萨斯NX获得日本预防安全性能评估满分
  • 投标要约登记声明的修订（投标要约人：东芝电子元件及存储装置株式会社，目标公司：NUFLARE TECHNOLOGY, INC.）
  • 关于开始NuFlare Technology，Inc.股份的投标要约公告（证券号：6256）
  • 东芝电子元件及存储装置株式会社发布了英文版的环境报告2019
  • 科技赋能数字时代 东芝亮相第二届中国国际进口博览会
  • 12
  • 东芝推出适用于NVR和DVR平台的6TB监控硬盘
  • 东芝推出无需传感器控制采用闭环转速控制技术的新型三相无刷电机控制预驱IC
  • 东芝推出通用系统电源IC，采用多路输出保障汽车功能安全
  • （更新） 关于开始NuFlare Technology，Inc.股份的投标要约公告（证券号：6256）
  • 东芝面向电压谐振电路推出新款分立IGBT有助于降低功耗并简化设备设计
  • 由于对于NuFlare Technology，Inc.股份的投标要约延长修改“关于开始NuFlare Technology，Inc.股份的投标要约公告（证券号：6256）”的公告
  • 东芝面向车载应用推出采用紧凑型封装的100V N沟道功率MOSFET
  • 东芝电子元件及存储装置株式会社宣布更换首席执行官计划
  • 关于我公司股份代号NUFLARE TECHNOLOGY的要约结果的通知（证券号：6256）
  • 春节放假通知
  • 东芝电子元件及存储装置株式会社宣布董事变更计划
  • Toshiba Materials将开设氮化硅衬底第二生产基地（Toshiba Materials Co., Ltd.）
  • 东芝推出适用于可编程逻辑控制器的紧凑型高速通信逻辑输出光电耦合器
  • 东芝推出紧凑型低功耗、高分辨率微步步进电机驱动IC
  • 东芝集团支援抗击新型冠状病毒感染性肺炎疫情
  • 东芝推出适用于工厂自动化和工业应用的小型6引脚SOP封装大电流光继电器
  • 东芝新增新型低功耗有刷直流电机驱动IC
  • 东芝的新型100V N沟道功率MOSFET有助于降低汽车设备的功耗
  • 今日宣布研发出“ TaRF11”，这是东芝最先进的射频SOI [1]工艺（TarfSOI™），针对5G智能手机等移动设备中的射频开关和低噪声放大器（LNA）进行了优化。
  • 东芝面向中大电流IGBT／MOSFET 推出内置保护功能的光耦
  • 东芝最新企业级硬盘通过Microchip Technology’s Adaptec®主机总线适配卡和RAID适配卡兼容性测试
  • 东芝扩大微控制器产品线—推出用于物联网设备的32位微控制器TXZ+™家族—
  • 东芝推出采用其最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET，助力提高电源效率
  • 东芝电子元件及存储装置株式会社及其集团公司的日本公司减少4月的工作日
  • 关于东芝消费级存储产品中采用SMR技术的硬盘型号
  • 东芝面向车载ECU推出MOSFET栅极驱动器开关IPD
  • 东芝推出600V小型智能功率器件，有助降低电机功率损耗
  • 东芝面向车载信息娱乐系统推出全新车载显示器桥接IC
  • 东芝面向工业设备推出适合缩影镜头的1500像素单色CCD线性图像传感器
  • 新建新型冠状病毒（SARS-CoV-2）抗原检测试剂盒新工厂
  • 搭载东芝高级图像识别处理器的丰田汽车连续两年荣膺日本预防安全性能最高奖项
  • 东芝推出行业首款能够在2.2V电压下工作的高速通信光耦
  • Introducing Storage & Electronic Devices Solutions Company
  • Regarding Advertisement "Storage & Electronic Devices Solutions Company Takes Off"
  • 新产品
  • transistor
  • 用于继电器驱动器的小型有源钳位MOSFET：SSM3K357R
  • 采用小型封装、具有高允许功率耗散的100V双型N通道MOSFET产品：SSM6N815R
  • 新一代600V平面功率MOSFET π-MOSIX系列产品：TK750A60F，TK1K2A60F，TK1K9A60F，TK650A60F
  • 用于工业设备、具有业内最低导通电阻的100V N沟道功率MOSFET产品：TPH3R70APL，TPN1200APL
  • 继电器驱动用小型双MOSFET：SSM6N357R
  • 扩大有助于提高工业设备电源效率的100V N通道功率MOSFET U-MOSIX-H系列产品线：TPW3R70APL、TPH5R60APL
  • 扩大有助于提高电源效率的100V N沟道功率MOSFET U-MOSIX-H系列产品线：TK2R9E10PL等
  • 我们60V N沟道功率MOSFET U-MOSIX-H系列中有助于降低电源EMI的低峰值产品：TPH1R306P1
  • 用于汽车应用、采用SOP Advance（WF）封装的U-MOSIX-H系列40V N沟道功率MOSFET：TPHR7904PB、TPH1R104PB
  • 通过降低EMI噪声以允许更大设计灵活性的600V平面MOSFET π-MOSIX系列产品扩大阵容：TK1K0A60F，TK1K7A60F，TK2K2A60F，TK4K1A60F
  • 用于空调电源PFC，具有宽安全工作区域（SOA）的分立IGBT：GT50J123
  • 通过降低EMI噪声以允许更大设计灵活性的600V平面MOSFET π-MOSIX系列产品扩大阵容：TK430A60F，TK370A60F
  • 有助于提高电源效率的新一代超结N沟道功率MOSFET“DTMOSVI系列”扩大阵容：TK040Z65Z，TK065N65Z，TK065Z65Z，TK090N65Z，TK090Z65Z，TK090A65Z
  • 用于车载应用，采用-4.5V驱动电压，即使在电池电压跌落期间也能工作的-40V P沟道功率MOSFET：XPH3R114MC，XPH4R714MC，XPN9R614MC
  • 用于车载设备，具有低导通电阻，提供低功耗的小型MOSFET扩大阵容：SSM6J808R，SSM6K819R
  • 新一代超结N沟道功率MOSFET“DTMOSVI系列”的阵容扩展，有助于提高电源效率：TK110N65Z，TK110Z65Z，TK110A65Z，TK125V65Z，TK155A65Z，TK170V65Z，TK190A65Z，TK210V65Z
  • 有助于降低车载设备功耗的小型表面贴装的40V／60V N沟道功率MOSFET：XPN3R804NC，XPN7R104NC，XPN6R706NC，XPN12006NC
  • diode
  • 采用DPAK封装的第二代650V SiC SBD 产品：TRS2P65F等
  • 采用TO-220-2L封装的第二代SiC SBD产品的扩大阵容：TRS2E65F、TRS3E65F
  • 保护高电压线路（比如NFC天线）的TVS二极管：DF2B12M4SL、DF2B26M4SL
  • 适用于对低电压信号线进行ESD保护的TVS二极管：DF2B5SL
  • 适用于液晶背光的升压电路的小型低正向电压肖特基二极管：CLS10F40
  • 改进高速信号线路静电放电保护性能的TVS二极管：DF2B5M5SL，DF2B6M5SL，DF2S5M5SL，DF2S6M5SL
  • 具有高ESD保护能力的节能型通用整流器：CRG09A，CRG10A
  • 增加峰值脉冲电流额定值以提高移动设备浪涌保护性能的TVS二极管：DF2B5BSL
  • 可降低设备功耗的通用整流二极管的扩大阵容：CRG04A
  • 东芝采用了紧凑封装、具有高散热能力、简化热设计的30V／40V SBD产品扩大阵容：CUHS20F40，CUHS20F30，CUHS15F40，CUHS15F30，CUHS20S40，CUHS20S30，CUHS15S40，CUHS15S30
  • 增加峰值脉冲电流额定值以提高移动设备浪涌保护性能的TVS二极管产品扩大阵容：DF2B7BSL
  • 提供优良保护性能、同时在若干Gbps保持信号质量的车载应用低电容TVS二极管：DF2S5M4FS，DF2S6M4FS
  • 有助于提高IC电源线的可靠性的具有更高峰值脉冲电流额定值的双向TVS二极管：DF2B5PCT、DF2B7PCT
  • 有助于节电并提高电源PFC效率的650V／12A的SiC SBD：TRS12A65F、TRS12E65F
  • opto
  • 200V，0.4A小型光继电器：TLP3145
  • 可取代机械继电器的用于工厂自动化和其他工业应用的大电流光继电器：TLP3543A等
  • 扩大SO6L（LF4）封装IC输出光耦的产品线：TLP2710（LF4）等
  • 采用4引脚SO6封装，用于工厂自动化和其它工业应用的60V／0.7A光继电器：TLP176AM
  • 用于工厂自动化和工业应用、支持高达1.4A的小型光继电器：TLP3122A
  • 采用紧凑式4引脚SO6封装、提高其关闭状态输出端电压至400V以允许简化设计的光继电器：TLP172GAM
  • 东芝推出了采用轻薄小巧的5引脚SO6封装，帮助缩小设备尺寸的IPM驱动光耦：TLP2304
  • 扩大SO6L和SO6L（LF4）封装IC输出光耦的产品线：TLP2719等
  • 推出用于IGBT和MOSFET栅极驱动，支持高温工作，可以安装在板的背面或高度受限位置的轻薄型光耦：TLP5751H（LF4），TLP5752H（LF4），TLP5754H（LF4）
  • linear
  • 具有业内小型封装、用于移动和消费应用的N通道MOSFET驱动器IC：TCK401G、TCK402G
  • 具有高纹波抑制比和快速负载瞬态响应特点和300mA低静态偏置电流的小型LDO稳压器IC：TCR3UG系列
  • 用于移动应用、具有业内最小封装的1.5A LDO稳压器：TCR15AG系列
  • 允许物联网设备和可穿戴设备长期稳定运行的小型贴片式封装LDO稳压器：TCR3UM系列
  • 东芝开始量产高精度微步进电机驱动IC
  • 使用模具树脂提高封装强度的紧凑型负载开关IC：TCK207AN
  • 用于实现物联网设备长期稳定运行的东芝小型贴片式封装LDO稳压器产品阵容最新推出了一款通用型封装TCR3UF系列产品
  • 用于车载大电流应用的MOSFET栅极驱动器开关IPD：TPD7106F
  • logic
  • 有助于降低车载设备功耗的4位电平转换器：TC7MP3125FK
  • 通过提高工作温度，通用逻辑IC的产品线得以扩展，可广泛用于各种应用
  • 车载用单电源4位电平转换器，可轻松设计电压电平转换电路：74LV4T125FK，74LV4T125FT，74LV4T126FK，74LV4T126FT
  • sensor
  • rf
  • automotive
  • 东芝开始量产高分辨率汽车面板视频处理器
  • Relationship with Wor(l)d Media Technology Corp.
  • Technical Review
  • 企业基本信息
  • 社长寄语
  • 管理组织架构
  • 业务概要
  • 海外制造公司
  • 东芝半导体（泰国）公司（TST）
  • Toshiba Information Equipment (Philippines), Inc. (TIP)
  • 子公司和关联公司
  • 全球销售网点
  • 环保活动
  • Current Status of Environmental Impact and Environmental Targets and Outcomes
  • Statement of Environmental Philosophy of Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Group
  • Top Management Commitment
  • Commendation
  • Environmental Report
  • Acquisition of ISO14001 Certification
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