东芝推出其最先进的SOI工艺用于5G智能手机的射频开关和低噪声放大器IC

东京—东芝电子元件及存储装置株式会社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation，简称“东芝”）今日宣布研发出“ TaRF11”，这是东芝最先进的射频SOI ^[1]工艺（TarfSOI™），针对5G智能手机等移动设备中的射频开关和低噪声放大器（LNA）进行了优化。

近年来，智能手机和其他移动设备的性能有所提高，它们已经迁移到更高的无线频段频率。通常，频率越高，天线与接收电路之间的信号损耗就越大，因此需要具有增强特性的LNA，以通过补偿信号损耗来改善接收信号质量。

东芝新开发的TaRF11工艺改进了当前SOI工艺技术TaRF10的射频特性。采用TaRF11工艺制造的用于LNA的MOSFET在8GHz时的最小噪声指数（NF ^[2]）为0.48dB，比TaRF10降低0.3dB ^[3]。与TaRF10一样，TaRF11工艺可以将LNA、射频开关和控制电路集成到单个芯片上。

东芝利用其子公司Japan Semiconductor Corporation采用最新的SOI-CMOS技术研发出射频 IC。东芝可以实施从射频工艺技术研发到设计和制造的全部生产流程，以确保产品快速上市。

东芝将继续推进其先进的TarfSOI™工艺技术，以确保进一步的性能改进，并为Wi-Fi设备、计划从5GHz扩展到7GHz频段的5G智能手机、以及使用7GHz至10GHz频率的超宽带应用提供射频开关和LNA IC。  

•  优异的噪声系数：:
  　　NF=0.48dB（最小值）@8GHz（与TaRF10相比，提高了约0.3dB）
•  LNA、射频开关和控制电路可以集成到单个芯片上。
•  集最新的半导体工艺开发和产品开发于一体，可以尽早推出高频开关产品。

* Wi-Fi是Wi-Fi Alliance的注册商标。
* TarfSOI™是东芝电子元件及存储装置株式会社的商标。
* 公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。