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东芝推出其最先进的SOI工艺用于5G智能手机的射频开关和低噪声放大器IC

2020年02月27日

东芝电子元件及存储装置株式会社

东京—东芝电子元件及存储装置株式会社(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation,简称“东芝”)今日宣布研发出“ TaRF11”,这是东芝最先进的射频SOI [1]工艺(TarfSOI™),针对5G智能手机等移动设备中的射频开关和低噪声放大器(LNA)进行了优化。

近年来,智能手机和其他移动设备的性能有所提高,它们已经迁移到更高的无线频段频率。通常,频率越高,天线与接收电路之间的信号损耗就越大,因此需要具有增强特性的LNA,以通过补偿信号损耗来改善接收信号质量。

东芝新开发的TaRF11工艺改进了当前SOI工艺技术TaRF10的射频特性。采用TaRF11工艺制造的用于LNA的MOSFET在8GHz时的最小噪声指数(NF [2])为0.48dB,比TaRF10降低0.3dB [3]。与TaRF10一样,TaRF11工艺可以将LNA、射频开关和控制电路集成到单个芯片上。

东芝利用其子公司Japan Semiconductor Corporation采用最新的SOI-CMOS技术研发出射频 IC。东芝可以实施从射频工艺技术研发到设计和制造的全部生产流程,以确保产品快速上市。

东芝将继续推进其先进的TarfSOI™工艺技术,以确保进一步的性能改进,并为Wi-Fi设备、计划从5GHz扩展到7GHz频段的5G智能手机、以及使用7GHz至10GHz频率的超宽带应用提供射频开关和LNA IC。  

应用

  • 智能手机
  • 无线设备,如Wi-Fi和UWB等

特性

  •  优异的噪声系数::
      NF=0.48dB(最小值)@8GHz(与TaRF10相比,提高了约0.3dB)
  •  LNA、射频开关和控制电路可以集成到单个芯片上。
  •  集最新的半导体工艺开发和产品开发于一体,可以尽早推出高频开关产品。

主要规格

频率

(GHz)

用于LNA的最小MOSFET NF

(dB)

TaRF11

TaRF10

8.0

0.48

0.79

6.0

0.44

0.69

4.0

0.40

0.50

注:

[1] TarfSOI(东芝先进射频SOI):TarfSOI是SOI-CMOS(绝缘体上互补金属氧化物半导体),这是东芝针对射频开关IC和低噪声放大器IC开发的前端处理技术。

[2] NF(噪声系数):放大电路输入端和输出端的信噪比。较低的值表示较少的噪音和优越的特性。

[3] 在4GHz时提高约0.1dB,在6GHz时提高约0.25dB。

* Wi-Fi是Wi-Fi Alliance的注册商标。
* TarfSOI™是东芝电子元件及存储装置株式会社的商标。
* 公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。

客户问询:

日本总部
小信号器件销售与市场部
电话:+81-3-3457-3411
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分立器件市场部(Discrete Marketing)
电话:021-6090-0610
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