超结MOSFET与普通D-MOS有何不同？

SJ-MOS（我们称之为DTMOS）在N层的一部分上形成柱状P层（P-pillar layer），P-N层交替排列。
当应用VDS时，耗尽层会扩展到N层，即漂移层。 然而，普通D-MOS（我们称为 π-MOS）和SJ-MOS的分布不同。（参考电场强度图。电场强度表示耗尽层中的状态。）
在D-MOS中，P／N层之间的界面电场强度最高，当这部分超过材料硅的极限时就会发生击穿现象。这是击穿电压的极限。另外，SJ-MOS在N层中具有均匀的电场强度。
因此，SJ-MOS可以设计为具有较低电阻的N层，从而实现较低的导通电阻。