7、TVS二极管（ESD保护二极管）的电气特性

电气特性

反向工作峰值电压，V_RWM
电压低于工作峰值反向电压时，ESD保护二极管阻抗非常高。（即使施加反向工作峰值电压，也只有小于规定漏电流的电流流过。）设计师可以用这个参数作为指导，确保其高于被保护信号线的最大工作电压。

总电容，C_t
C_T是在指定反向电压和频率下施加小信号时，二极管端子上的等效电容。总电容是二极管的结电容与其封装的寄生电容之和。结电容随反向电压的增加而减少。

动态电阻，R_DYN
动态电阻是指ESD保护二极管随着反向电压的增加反向击穿时，V_BR与V_C之间V_F–I_F 曲线的电流斜率。下面描述的动态电阻和钳位电压表示ESD保护二极管的ESD性能。

反向击穿电压，V_BR
反向击穿电压是ESD保护二极管在规定条件下（通常定义为1mA，尽管因器件而异）开始传导规定量电流时的电压。V_BR最初是为齐纳二极管定义的参数。V_BR定义为ESD保护二极管导通电压。

反向电流，I_R
反向电流是ESD保护二极管在规定电压下反向偏置时，反向流动的漏电流。对于ESD保护二极管，I_R按工作峰值反向电压（V_RWM）定义。

钳位电压，V_C
钳位电压是ESD保护二极管指定峰值脉冲电流条件下最大钳制电压。V_C通常在多个峰值脉冲电流点测量。如第6节（图6.1）所示，峰值脉冲电流使用8/20μs波形。动态电阻和钳位电压代表ESD保护二极管的ESD性能。