未发生ESD事件时,RF信号质量不应下降

对于接收信号,考虑信号电平衰减就足够了。对于传输信号,确保不失真也很重要。同时调制相位和振幅的现代调制方法,如16-QAM和64-QAM*,则需要考虑谐波失真。
信号衰减应考虑寄生电容形成的低通滤波器频带。换言之,应使用低电容ESD保护二极管。理想情况下,最大信号频率约为截止频率的五分之一。
谐波失真**应与振幅呈线性关系。由于RF信号一般在天线末端接地(GND)电平上下摆动,因此应选择电压在接地电平上下对称摆动的双向ESD保护二极管。施加大振幅信号时,确保ESD保护二极管不会击穿也很重要。换言之,ESD保护二极管的反向工作峰值电压(VRWM)应高于最大输入振幅电平。
此外,由于寄生结电容,ESD保护二极管的工作取决于电压。因此,最好选择电容随电压变化不大的低电容二极管。

再次说明,选择符合以下条件的ESD保护二极管:

  1. 低电容;
  2. 双向;
  3. VRWM高于最大信号振幅;
  4. 电容变化小。
图2电气特性定义
图2电气特性定义
图3 I-V曲线(单向和双向ESD保护二极管)

图3 I-V曲线
(单向和双向ESD保护二极管)

标准电容ESD保护二极管(DF2B18FU)
标准电容ESD保护二极管(DF2B18FU)
低电容ESD保护二极管(DF2B12M4SL)
低电容ESD保护二极管(DF2B12M4SL)

图4总电容与反向电压
(标准和低电容ESD保护二极管)

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