关于如何计算偏置电阻内置晶体管（BRT）的基极电流和输入电压的基本思路

BRT通常用作开关。理想情况下，其导通电压（集电极-发射极电压，V_CE）应尽可能接近零。
为达到该条件，应考虑基极电流。
为使V_CE最小化，在图1所示的饱和区中使用了BRT。通常，双极晶体管被认为可保证hFE=100。但是，由于BRT在饱和区工作，因此有必要假定其h_FE介于10至20之间。这意味着基极电流应为集电极电流的1/10至1/20。

假设我们需要V_CE＝0.2V且I_C＝10mA。这里，RN1402（R₁＝R₂＝10kΩ）用作BRT。查看RN1402数据表中的V_CE(sat)–IC曲线（图3）。当h_FE＝IC／IB＝20且I_C＝10mA时，V_CE(sat)的读数范围可为0.05V至0.06V。因此，让我们假设这些条件。

图2所示的基本BRT电路的内部基极电流（Ib）为：
    I_b＝I_C/h_FE＝10mA/20＝0.5mA
为简单起见，假定内部基极电压（V_be）等于常用值0.7V，则流经R₂的I_R2的计算公式如下：
    I_R2＝0.7V/10 kΩ＝0.07mA
因此，BRT的基极电流（I_B）中心值为：
    I_B＝I_b＋I_R2＝0.57mA
保证IB=0.57mA的输入电压（VI）的计算公式如下：
    V_I＝R₁ * I_B＋V_be＝10kΩ*0.57mA＋0.7＝6.4V

因此，尽管必须考虑器件变化和温度特性，但可以认为通过施加6.4V或更高的输入电压可以实现V_CE＝0.2V和I_C＝10mA。


实际上，应将高于6.4V的输入电压（V_I）施加至B端子。下文描述了VI> 6.4V时BRT的操作。

可以在B端子上施加高于6.4V的电压。增加输入电压只会使BRT达到更深的饱和度（即降低V_CE(sat)）。这会导致内部晶体管的基极-发射极电压略微增大，但不会显著增大。（详见图4，图4显示2SC2712的V_BE(sat)-IC曲线（h_FE＝10），其相当于RN1402的内部晶体管。）在通常使用BRT的集电极电流（I_C）范围内，基极-发射极电压变化仅为数百毫伏。
由于基极电压几乎不变，因此输入电压升高会导致R₁两端的电压升高，从而导致基极电流（i_b）增大。取决于负载电阻和其它外部因素的饱和集电极电流几乎不变。由于仅基极电流增大，故内部晶体管的h_FE减小，导致饱和电平增大（即V_CE(sat)减小）。
谨记，饱和电平的增大可能会导致晶体管关断时间增加。
规定了输入电压（V_I）的最大值。请参阅以下常见问题（FAQ）。

• FAQ：偏置电阻内置晶体管（BRT）的基极可施加的最大电压是多少？