This webpage doesn't work with Internet Explorer. Please use the latest version of Google Chrome, Microsoft Edge, Mozilla Firefox or Safari.
请输入3个以上字符
The information presented in this cross reference is based on TOSHIBA's selection criteria and should be treated as a suggestion only. Please carefully review the latest versions of all relevant information on the TOSHIBA products, including without limitation data sheets and validate all operating parameters of the TOSHIBA products to ensure that the suggested TOSHIBA products are truly compatible with your design and application.
Please note that this cross reference is based on TOSHIBA's estimate of compatibility with other manufacturers' products, based on other manufacturers' published data, at the time the data was collected.
TOSHIBA is not responsible for any incorrect or incomplete information. Information is subject to change at any time without notice.
请输入3个以上字符
BRT通常用作开关。理想情况下,其导通电压(集电极-发射极电压,VCE)应尽可能接近零。
为达到该条件,应考虑基极电流。
为使VCE最小化,在图1所示的饱和区中使用了BRT。通常,双极晶体管被认为可保证hFE=100。但是,由于BRT在饱和区工作,因此有必要假定其hFE介于10至20之间。这意味着基极电流应为集电极电流的1/10至1/20。
假设我们需要VCE=0.2V且IC=10mA。这里,RN1402(R1=R2=10kΩ)用作BRT。查看RN1402数据表中的VCE(sat)–IC曲线(图3)。当hFE=IC/IB=20且IC=10mA时,VCE(sat)的读数范围可为0.05V至0.06V。因此,让我们假设这些条件。
图2所示的基本BRT电路的内部基极电流(Ib)为:
Ib=IC/hFE=10mA/20=0.5mA
为简单起见,假定内部基极电压(Vbe)等于常用值0.7V,则流经R2的IR2的计算公式如下:
IR2=0.7V/10 kΩ=0.07mA
因此,BRT的基极电流(IB)中心值为:
IB=Ib+IR2=0.57mA
保证IB=0.57mA的输入电压(VI)的计算公式如下:
VI=R1 * IB+Vbe=10kΩ*0.57mA+0.7=6.4V
因此,尽管必须考虑器件变化和温度特性,但可以认为通过施加6.4V或更高的输入电压可以实现VCE=0.2V和IC=10mA。
实际上,应将高于6.4V的输入电压(VI)施加至B端子。下文描述了VI> 6.4V时BRT的操作。
特性 | 符号 | 测试电路 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
集电极-发射极 饱和电压 |
RN1401至1406 | VCE(sat) | — | IC=5mA,IB =0.25mA |
— | 0.1 | 0.3 | V |
可以在B端子上施加高于6.4V的电压。增加输入电压只会使BRT达到更深的饱和度(即降低VCE(sat))。这会导致内部晶体管的基极-发射极电压略微增大,但不会显著增大。(详见图4,图4显示2SC2712的VBE(sat)-IC曲线(hFE=10),其相当于RN1402的内部晶体管。)在通常使用BRT的集电极电流(IC)范围内,基极-发射极电压变化仅为数百毫伏。
由于基极电压几乎不变,因此输入电压升高会导致R1两端的电压升高,从而导致基极电流(ib)增大。取决于负载电阻和其它外部因素的饱和集电极电流几乎不变。由于仅基极电流增大,故内部晶体管的hFE减小,导致饱和电平增大(即VCE(sat)减小)。
谨记,饱和电平的增大可能会导致晶体管关断时间增加。
规定了输入电压(VI)的最大值。请参阅以下常见问题(FAQ)。