先进的双扩散MOSFET(D-MOS)π-MOSIX系列产品

低噪声

π-MOS系列采用D-MOS(双扩散MOS)结构,且该系列提供从200V到900V的宽电压范围,其中我们提供最新的第九代π-MOSⅨ系列600V耐压产品。
π-MOSⅨ系列能够取代市场上较为普遍的传统的600V MOSⅦ系列产品。我们优化了双扩散结构的设计,实现了高效率、低噪声和高雪崩性能。

通过优化芯片设计,我们的π-MOSⅨ系列能够达到与传统π-MOSⅦ系列和竞争对手同类产品相同的功率转换效率水平,同时降低EMI噪声。因此,在设计诸如适配器之类的开关电源时,可以在不改变MOSFET以外的外围部件的情况下获得与传统产品相同的特性,从而轻松替换传统产品。

65W笔记本电脑电源适配器的电磁干扰(辐射)噪声/纵向
65W笔记本电脑电源适配器的电磁干扰(辐射)噪声/横向

在评估65W笔记本电脑电源适配器的电磁干扰(辐射)噪声时,与我们传统的π-MOSⅦ系列同等产品TK10A60D(600V/0.75Ω最大值/TO-220SIS封装)相比,π-MOSⅨ系列的TK750A60F在不改变MOSFET外围电路参数(漏源间电容、栅极串联电阻等)的情况下降低了辐射噪声。

电路仿真

利用开关电源选型工具库(SMPS Lib.),您可以根据实际需求选择和下载电源单元的各种基本拓扑,以便在仿真环境中验证MOSFET的性能。  

在线电路仿真器

在线电路仿真器是帮助用户验证和选择MOSFET,无需构建仿真环境,即可轻松验证运行情况。

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