能否可以在漏极和源极之间使用体二极管?

可以在漏极和源极之间主动使用体二极管。它实际用于电机驱动电路、电源电路等。

下图显示了在MOSFET横截面中形成体二极管的位置,以及考虑寄生元件的等效电路。
对于这些应用中使用的MOSFET,我们在数据表中说明了体二极管的规格。

图1:绝对最大额定值示例
图1:绝对最大额定值示例
表1:项目和说明
项目 符号 单位 说明
反向漏极电流(直流)
反向漏极电流(脉冲)
IDR
IDRP
A MOSFET的体二极管允许的最大正向电流
正向电压(二极管) VDSF V 正向电流施加到体二极管时的漏极-源极电压
反向恢复时间 trr ns 在规定的测试条件下,体二极管执行反向恢复操作时,反向恢复电流达到零所需的时间(trr)和电荷量(Qrr)。此时的峰值电流为Irr
反向恢复电荷量 Qrr μC
反向恢复峰值电流 Irr A
二极管dv/dt耐力 dv/dt V/ns 二极管反向恢复期间对漏极-源极电压波动的抵抗力
表2:数据表的示例
项目 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
二极管正向电压 VDSF IDR=30.8A,VGS=0V - - -1.7 V
反向恢复时间 trr IDR=15.4A,VGS=0V
-dIDR/dt=100A/μs
- 135 220 ns
二极管反向恢复电荷 Qrr - 0.6 - μC
二极管反向恢复峰值电流 Irr - 10 - A
二极管dv/dt能力 dv/dt IDR=15.4A,VGS=0V,VDD=400V 50 - - V/ns

关于体二极管,在应用说明“Electrical properties: Power MOSFET application note”中也进行了说明。请参考。

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