能否可以在漏极和源极之间使用体二极管？

可以在漏极和源极之间主动使用体二极管。它实际用于电机驱动电路、电源电路等。

下图显示了在MOSFET横截面中形成体二极管的位置，以及考虑寄生元件的等效电路。
对于这些应用中使用的MOSFET，我们在数据表中说明了体二极管的规格。

图1：绝对最大额定值示例
图1：绝对最大额定值示例
表1：项目和说明
项目 符号 单位 说明
反向漏极电流（直流）
反向漏极电流（脉冲）		 IDR
IDRP		 A MOSFET的体二极管允许的最大正向电流
正向电压（二极管） VDSF V 正向电流施加到体二极管时的漏极-源极电压
反向恢复时间 trr ns 在规定的测试条件下，体二极管执行反向恢复操作时，反向恢复电流达到零所需的时间（trr）和电荷量（Qrr）。此时的峰值电流为Irr。
反向恢复电荷量 Qrr μC
反向恢复峰值电流 Irr A
二极管dv/dt耐力 dv/dt V/ns 二极管反向恢复期间对漏极-源极电压波动的抵抗力
表2：数据表的示例
项目 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
二极管正向电压 VDSF IDR＝30.8A，VGS＝0V - - -1.7 V
反向恢复时间 trr IDR＝15.4A，VGS＝0V
-dIDR/dt＝100A/μs		 - 135 220 ns
二极管反向恢复电荷 Qrr - 0.6 - μC
二极管反向恢复峰值电流 Irr - 10 - A
二极管dv/dt能力 dv/dt IDR＝15.4A，VGS＝0V，VDD＝400V 50 - - V/ns

关于体二极管，在应用说明“Electrical properties: Power MOSFET application note”中也进行了说明。请参考。

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