3-1正常工作状态（无ESD事件）主要特性（2）

降低总电容
（总电容由二极管结电容和封装中的寄生电容组成。其中很大一部分是结电容。）

反向偏置时，二极管因pn结（p:p型半导体，n:n型半导体）形成耗尽层产生电容。与电容相反，耗尽层起阻挡层的作用，只有少数载流子通过。降低半导体区掺杂浓度会增加耗尽层宽度。因此，为了减小二极管的电容，有必要减小pn结面积或提高反向击穿电压（V_BR），但任何一种方式都会导致ESD抗扰度下降。当两个二极管串联时，它们的组合电容减小。此外，二极管反向ESD能量耐受性比正向差。东芝低电容（C_t）ESD保护二极管采用ESD二极管阵列工艺（EAP）制造，多个二极管组合在一起减小电容，不影响ESD抗扰度。
图3.5显示EAP配置中低电容ESD保护二极管电路图。它由三个二极管组成：低电容二极管1和二极管2（电容分别为C₁和C₂）和高电容二极管3（电容为C₃）。二极管1和二极管2的pn结面积小，反向击穿电压（V_BR）高，而二极管3的pn结面积大，并且有足够大的反向击穿电压（V_BR）。加到阳极的ESD电流沿正向流过二极管1，加到阴极的ESD电流沿正向流过二极管2，然后反向流过二极管3，因为二极管3的V_BR低于二极管1。通常，二极管反向ESD能量耐受性低于正向。由于二极管1和二极管2的pn结面积较小，因此它们的反向ESD能量耐受性更差。然而，ESD保护二极管配置如图3.5（a）所示时，ESD电流不会反向流过二极管1和二极管2。因此，这个电路整体上提高了ESD抗扰度。图3.5（b）显示这个ESD保护二极管的等效电容电路。低电容二极管2和高电容二极管3串联，可以减小组合电容。此外，由于该电路V_BR由二极管3的V_BR决定，因此可以根据被保护的信号线调整二极管3的V_BR，从而提高ESD抗扰度。

粗略总电容与信号频率

根据信号频率选择ESD保护二极管时，可参考图3.6。