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通过降低EMI噪声以允许更大设计灵活性的600V平面MOSFET π-MOSIX系列产品扩大阵容:TK1K0A60F,TK1K7A60F,TK2K2A60F,TK4K1A60F

产品新闻2018年9月

通过降低EMI噪声以允许更大设计灵活性的600V平面MOSFET π-MOSIX系列产品扩大阵容的封装照片:TK1K0A60F,TK1K7A60F,TK2K2A60F,TK4K1A60F。

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)推出了最新的[1]600V N沟道平面MOSFET π-MOSIX系列产品“TK1K0A60F”, “TK1K7A60F” ,”TK2K2A60F” 和 ”TK4K1A60F” ,以扩大其产品阵容。
与传统的π-MOSVII系列产品相比,新产品通过优化芯片设计,在保持效率的同时,降低了EMI噪声峰值,提高了设计的灵活性,节省了设计工作。TK750A60F(π-MOSIX)是该系列中现有的产品,与传统产品TK10A60D (π-MOSVII)相比,其EMI噪声峰值降低了5dB[2]。此外,π-MOSIX系列具有相当于额定直流电流的额定雪崩电流,使其成为传统MOSFET的简单替代品。
未来,这个系列的产品阵容将继续扩大。

注:
[1] 截止于2018年9月
[2] 200MHz区域中的65W笔记本电脑适配器

特点

  • 采用最新的[1]平面MOSFET工艺(π-MOSIX系列)
  • 保持高效率和低噪声
  • 安全雪崩电流额定值等于漏极电流(DC)额定值。

应用

  • 小到中等开关电源(笔记本电脑的交流适配器、游戏机充电器等)
  • 照明电源

产品规格

(@Ta=25°C)

器件型号 封装 最大绝对额定值 漏极-源极导通电阻
RDS(ON)
最大值
@VGS=10V
(Ω)
总栅极电荷
Qg
典型值
(nC)
输入电容
Ciss
典型值
(pF)
传统系列
(π-MOSVII系列)
器件型号
漏极-源极电压
VDSS
(V)
漏极电流
(DC)
ID
(A)
TK1K0A60F TO-220SIS 600 7.5 1 24 890 TK8A60DA
TK1K7A60F 4 1.7 16 560 TK4A60D
TK2K2A60F 3.5 2.2 13 450 TK4A60DA
TK4K1A60F 2 4.1 8 270 2SK3767[3]
(RDS(ON)=4.5Ω)

注:
[3] π-MOSVI

内部电路

通过降低EMI噪声以允许更大设计灵活性的600V平面MOSFET π-MOSIX系列产品扩大阵容的内部电路图示:TK1K0A60F,TK1K7A60F,TK2K2A60F,TK4K1A60F。

应用电路实例

通过降低EMI噪声以允许更大设计灵活性的600V平面MOSFET π-MOSIX系列产品扩大阵容的应用电路实例说明:TK1K0A60F,TK1K7A60F,TK2K2A60F,TK4K1A60F。

本文所示应用电路仅供参考。需要进行全面评估,特别是在量产设计阶段。东芝电子元件及存储装置株式会社提供这些应用电路实例并不表示提供了任何的工业产权许可。

最新[1]系列和传统系列的比较[4](参考数据)

通过降低EMI噪声以允许更大设计灵活性的600V平面MOSFET π-MOSIX系列产品扩大阵容的最新系列和传统系列的比较说明:TK1K0A60F,TK1K7A60F,TK2K2A60F,TK4K1A60F。

注:
[4] 东芝测量值(最新系列TK750A60F和传统系列TK10A60D)

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