MOSFET的数据表:最大额定值

<最大绝对额定值>

  • 漏极-源极电压(VDSS
    可施加的最大漏极-源极电压
  • 栅极-源极电压(VGSS
    可施加的最大栅极-源极电压
    设计电路时不得超过这个电压,包括浪涌电压。
  • 漏极电流(ID
    最大漏极电流
  • 漏极电流(脉冲)(IDP
    最大脉冲漏极电流
    通常,脉宽如安全工作区域中所述。
  • 功耗(PD
    允许在器件中产生的功率损失
    Tc=25℃时的容许热容量。
  • 单脉冲和连续雪崩能量(EAS
    在指定条件下的最大允许能量
  • 雪崩电流(IAR
    雪崩操作时的最大电流
  • 结温(Tch
    器件运行时的最高结温
  • 存储温度(Ttsg
    不使用MOSFET的存储温度范围
绝对最大额定值

注1:确保结温不超过150℃。
注2:VDD=90V,Tch=25℃(初始),L=4.36mH,RG=25Ω,IAR=3.0A
注3:重复额定值:由最大结温限制的脉宽。该晶体管是静电敏感器件。请小心处理。

第Ⅲ章:晶体管

晶体管的类型
双极晶体管(BJT)
内置偏置电阻型晶体管(BRT)
结型场效应晶体管(JFET)
金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
BJT和MOSFET的差异
MOSFET的结构和工作原理
MOSFET性能改进:RDS(ON)的决定因素
MOSFET性能改进:低RDS(ON)的解决方案
MOSFET性能改进:超级结MOSFET(SJ-MOS)
按结构分类的MOSFET特性摘要
MOSFET的性能:漏极电流和功耗
MOSFET的性能:雪崩能力
MOSFET的性能:电容的特性
MOSFET的性能:安全工作区域(或安全操作区域)
绝缘栅双极晶体管(IGBT)
绝缘栅双极晶体管(IGBT)的工作原理
IGBT的性能改进:垂直设计的发展
什么是RC-IGBT和IEGT?
IGBT的应用
IGBT和MOSFET的正向特性比较
晶体管的结构比较
MOSFET的数据表:电气特性
MOSFET的数据表:电容和开关特性
MOSFET的数据表:体二极管

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