MOSFET的数据表：最大额定值
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＜最大绝对额定值＞
- 漏极-源极电压（VDSS）
可施加的最大漏极-源极电压 - 栅极-源极电压（VGSS）
可施加的最大栅极-源极电压
设计电路时不得超过这个电压，包括浪涌电压。 - 漏极电流（ID）
最大漏极电流 - 漏极电流（脉冲）（IDP）
最大脉冲漏极电流
通常，脉宽如安全工作区域中所述。 - 功耗（PD）
允许在器件中产生的功率损失
Tc＝25℃时的容许热容量。 - 单脉冲和连续雪崩能量（EAS）
在指定条件下的最大允许能量 - 雪崩电流（IAR）
雪崩操作时的最大电流 - 结温（Tch）
器件运行时的最高结温 - 存储温度（Ttsg）
不使用MOSFET的存储温度范围
注1：确保结温不超过150℃。
注2：VDD＝90V，Tch＝25℃（初始），L＝4.36mH，RG＝25Ω，IAR＝3.0A
注3：重复额定值：由最大结温限制的脉宽。该晶体管是静电敏感器件。请小心处理。
第Ⅲ章：晶体管
晶体管的类型
双极晶体管（BJT）
内置偏置电阻型晶体管（BRT）
结型场效应晶体管（JFET）
金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）
BJT和MOSFET的差异
MOSFET的结构和工作原理
MOSFET性能改进：RDS(ON)的决定因素
MOSFET性能改进：低RDS(ON)的解决方案
MOSFET性能改进：超级结MOSFET（SJ-MOS）
按结构分类的MOSFET特性摘要
MOSFET的性能：漏极电流和功耗
MOSFET的性能：雪崩能力
MOSFET的性能：电容的特性
MOSFET的性能：安全工作区域（或安全操作区域）
绝缘栅双极晶体管（IGBT）
绝缘栅双极晶体管（IGBT）的工作原理
IGBT的性能改进：垂直设计的发展
什么是RC-IGBT和IEGT?
IGBT的应用
IGBT和MOSFET的正向特性比较
晶体管的结构比较
MOSFET的数据表：电气特性
MOSFET的数据表：电容和开关特性
MOSFET的数据表：体二极管
相关信息
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