内置偏置电阻型晶体管（BRT）

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BRT是指偏置电阻内置型晶体管。BJT通常配合电子设备中的电阻器使用。使用BRT（集成了晶体管和电阻器）可以减少安装面积。

BJT应用示例／BRT等效电路

图3-2（a）BJT的应用示例

图3-2（b）BRT的等效电路

BJT的基本电路为什么需要电阻
图3-2（c）BJT的基本电路为什么需要电阻

第Ⅲ章：晶体管

晶体管的类型
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双极晶体管（BJT）
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结型场效应晶体管（JFET）
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金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）
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BJT和MOSFET的差异
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MOSFET的结构和工作原理
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MOSFET性能改进：RDS(ON)的决定因素
详细信息
MOSFET性能改进：低RDS(ON)的解决方案
详细信息
MOSFET性能改进：超级结MOSFET（SJ-MOS）
详细信息
按结构分类的MOSFET特性摘要
详细信息
MOSFET的性能：漏极电流和功耗
详细信息
MOSFET的性能：雪崩能力
详细信息
MOSFET的性能：电容的特性
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MOSFET的性能：安全工作区域（或安全操作区域）
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绝缘栅双极晶体管（IGBT）
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绝缘栅双极晶体管（IGBT）的工作原理
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IGBT的性能改进：垂直设计的发展
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什么是RC-IGBT和IEGT?
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IGBT的应用
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IGBT和MOSFET的正向特性比较
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晶体管的结构比较
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MOSFET的数据表：最大额定值
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MOSFET的数据表：电气特性
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MOSFET的数据表：电容和开关特性
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MOSFET的数据表：体二极管
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