产品新闻2022年2月
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”) 推出10款"CUHZ" 系列齐纳二极管产品,同时扩充了其产品线。这些产品可保护半导体器件免受开关浪涌、雷电浪涌[1],以及静电放电(ESD)[2]的影响。
在实际的电源电路中,当电路开关时,可产生高达数千伏、脉冲宽度达毫秒级的开关浪涌电压。而该新产品可保护半导体器件,避免受到这些浪涌电压以及过电压影响,使其接近于一个直流电压。同时,还可以防止半导体器件受宽度达数百纳秒的静电放电影响[2],以及微秒级脉冲宽度的雷电浪涌[1]的影响。与现有产品相比,由于具有更低的动态电阻和钳位电压,因此具有更好的浪涌吸收能力。例如与现有CUZ5V6产品相比,新产品CUHZ5V6动态电阻约降低88%,钳位电压约降低37%,从而减小了施加在半导体器件上的浪涌电压,有助于提高产品的可靠性。产品采用具有具有高散热率[3]的SOD-323HE(US2H)封装,适用于需要高功耗的应用。
该产品线的10款新产品覆盖了5.6V-36V(典型值)范围的齐纳电压,适用于绝大多数电源电路,扩展后的产品线还可以支持各种其它的电源电路。
注:
[1] 基于IEC61000-4-5,tp=8/20μs
[2] 基于IEC61000-4-2
[3] 1200mW,当安装在25.4mm×25.4mm×1.6mm玻璃环氧树脂电路板上时,铜焊盘大小:645mm2
(@Ta=25°C)
器件型号 |
封装 | 绝对最大额定值 | 齐纳电压 VZ(V) |
钳位电压 VC[5][6] 典型值(V) |
动态电阻 RDYN[5] 典型值(Ω) |
|||||||
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名称 | 尺寸 典型值(mm) |
静电放电电压 VESD[2](kV) |
峰值脉冲电流 IPP[1](A) |
功耗 PD[4](mW) |
||||||||
接触放电 | 空气放电 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 测试电流 IZ(mA) |
|||||||
CUHZ5V6 | SOD-323HE (US2H) |
2.5×1.4×0.6 | ±30 | 91 | 1200 | 5.3 | 5.6 | 6.0 | 10 | 5.7 | 0.02 | |
CUHZ6V2 | 87 | 5.8 | 6.2 | 6.6 | 6.1 | 0.02 | ||||||
CUHZ6V8 | 73 | 6.4 | 6.8 | 7.2 | 7.2 | 0.014 | ||||||
CUHZ8V2 | 68 | 7.7 | 8.2 | 8.7 | 8.5 | 0.035 | ||||||
CUHZ12V | 60 | 11.4 | 12 | 12.6 | 13.6 | 0.13 | ||||||
CUHZ16V | 42 | 15.3 | 16 | 17.1 | 17 | 0.085 | ||||||
CUHZ20V | 36 | 18.8 | 20 | 21.2 | 20.6 | 0.13 | ||||||
CUHZ24V | 27 | 22.8 | 24 | 25.6 | 25.5 | 0.14 | ||||||
CUHZ30V | 26 | 28.0 | 30 | 32.0 | 33.8 | 0.21 | ||||||
CUHZ36V | 23 | 34.0 | 36 | 38.0 | 9 | 41.2 | 0.39 |
注:
[4]安装在25.4mm×25.4mm×1.6mm玻璃环氧树脂电路板上,铜焊盘:645mm2
[5]TLP参数:Z0=50Ω,tp=100ns,tr=300ps,平均时间窗口:t1=30ns至t2=60ns,利用最小二乘法拟合ITLP1=16A和ITLP2=30A之间的TLP特性求出动态电阻。
[6] ITLP=16A
本文所示应用电路仅供参考。应用时需要进行全面评估,特别是在量产设计阶段。
提供这些应用电路实例并不授予任何工业产权许可。
注:
[7] 截至2022年1月,东芝测量的值
[8] 当Ta=25°C时,TLP参数:Z0=50Ω,tp=100ns,tr=300ps, 平均窗口:t1=30ns至t2=60ns
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