当eFuse IC(电子保险丝/熔断器)的输入或输出端子上施加尖峰电压时,如何采取措施?

如果eFuse IC的输入端瞬态电压超过绝对最大额定值,请在输入端和GND之间连接一个齐纳二极管。
对于输出侧产生的负尖峰电压,可以连接SBD(肖特基势垒二极管)以防止输出电位降至GND以下。
为降低与eFuse IC连接的图案的电感,输入和输出侧的长度应尽可能短、GND区域尽可能宽,从而降低阻抗。

图1:典型的eFuse IC尖峰电压保护二极管
图1:典型的eFuse IC尖峰电压保护二极管
在新窗口打开