东芝推出采用DFN8×8封装的新型650V第3代SiC MOSFET
2025年5月20日
东芝电子元件及存储装置株式会社
中国上海—东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和 “TW123V65C”。这些器件配备其最新的[1]第3代SiC MOSFET 技术，并采用紧凑型DFN8×8封装，适用于开关电源、光伏发电机功率调节器等工业设备。四款器件于今日开始支持批量出货。
四款新器件是首批采用小型表贴DFN8×8封装的第3代SiC MOSFET的器件，与TO-247和TO-247-4L(X)等通孔型封装相比，其体积减小90%以上，并提高了设备的功率密度。表贴封装还允许使用比通孔型封装更小的寄生阻抗[2]元件，从而降低开关损耗。DFN8×8是一种4引脚[3]封装，支持对其栅极驱动的信号源端子进行开尔文连结。这减少了封装内部源极线电感的影响，实现高速开关性能；以TW054V65C为例，与东芝现有产品相比[5]，其开通损耗降低了约55%，关断损耗降低约25%[4]，有助于降低设备中的功率损耗。
未来东芝将继续扩大其SiC功率器件产品线，为提高设备效率和增加功率容量做出贡献。
测量条件：VDD＝400V，VGS＝18V／0V，ID＝20A，Ta＝25°C，L＝100μH，Rg (外部栅极电阻) ＝4.7Ω
续流二极管采用各产品源极和漏极之间的二极管。（截至2025年5月，东芝对比结果）
图1 TO-247与DFN8x8封装的导通损耗（Eon）和关断损耗（Eoff）比较
注：
[1] 截至2025年5月。
[2] 电阻、电感等。
[3] 一种信号源引脚靠近FET芯片连接的产品。
[4] 截至2025年5月，东芝测量值。请参考图1。
[5] 采用TO-247封装且无开尔文连接的、具有同等电压和导通电阻的650V东芝第3代SiC MOSFET。
应用
- 服务器、数据中心、通信设备等的开关电源
- 电动汽车充电站
- 光伏逆变器
- 不间断电源
特性
- DFN8×8表面贴装封装，实现设备小型化和自动化组装，低开关损耗。
- 东芝第3代SiC MOSFET
- 通过优化漂移电阻和沟道电阻比，实现漏源导通电阻的良好温度依赖性
- 低漏源导通电阻×栅漏电荷
- 低二极管正向电压：VDSF＝–1.35V（典型值）（VGS＝–5V）
主要规格
（除非另有说明，Ta＝25°C）
| 器件型号 | TW031V65C | TW054V65C | TW092V65C | TW123V65C | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 封装 | 名称 | DFN8×8 | |||||
| 尺寸 （mm） | 典型值 | 8.0×8.0×0.85 | |||||
| 绝对最大额定值 | 漏极-源极电压VDSS（V） | 650 | |||||
| 栅极-源极电压VGSS（V） | -10至25 | ||||||
| 漏极电流（ DC）ID（A） | Tc＝25°C | 53 | 36 | 27 | 18 | ||
| 电气特性 | 漏极-源极导通电阻 RDS(ON)（mΩ） | VGS=18V | 典型值 | 31 | 54 | 92 | 123 |
| 栅极阈值电压 Vth （V） | VDS＝10V | 3.0至5.0 | |||||
| 总栅极电荷 Qg（nC） | VGS＝18V | 典型值 | 65 | 41 | 28 | 21 | |
| 栅极-漏极电荷 Qgd（nC） | VGS＝18V | 典型值 | 10 | 6.2 | 3.9 | 2.3 | |
| 输入电容 Ciss（pF） | VDS＝400V | 典型值 | 2288 | 1362 | 873 | 600 | |
| 二极管正向电压 VDSF（V） | VGS＝-5V | 典型值 | -1.35 | ||||
| 库存查询与购买 |  |
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相关链接
Features of third generation SiC MOSFET (PDF: 1,318KB)
FAQ SiC MOSFET (PDF: 818KB)
Comparison of SiC MOSFET and Si IGBT (PDF: 922KB)
SiC MOSFET Absolute Maximum Ratings and Electrical Characteristics (PDF: 812KB)
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