提供优良保护性能、同时在若干Gbps保持信号质量的车载应用低电容TVS二极管：DF2S5M4FS，DF2S6M4FS
产品新闻2019年9月
东芝电子元件及存储装置株式会社（"东芝"）推出了两个单向的低电容TVS二极管，“DF2S5M4FS”（VRWM最大值=3.6V）和“DF2S6M4FS”（VRWM最大值=5.5V），用于保护车载ADAS[2]相机模块和ADAS[2]等视频信号线路的SerDes ICs[1]输入／输出端口免受噪声和浪涌影响。
对于汽车来说，其安全功能的要求正变得前所未有的严格，并向着自动驾驶迈进。相机性能的提高（高图像质量和分辨率）增加了信息量，而且对于驱动系统的信息传输正在转向实时通信。因此，市场正在越来越多地使用高速LVDS[3]通信。
新产品DF2S5M4FS和DF2S6M4FS具有最大二极管电容0.55pF，可以处理若干Gbps的高速通信，并保持信号质量（眼睛模式）。此外，通过使用我们最新的原创工艺EAP-IV[4]，它们的典型钳位电压为7.5V[5]，静电放电电压为±30kV[6]，可以防止设备故障和失灵，帮助提高系统的可靠性。
它们采用符合行业标准SOD-923（1.0×0.6mm典型值）的小型贴片封装，适用于设备的小型化。此外，它们符合AEC-Q101标准，可以广泛应用于各种车载应用，比如IVI[7]和电子反射镜。
注：
[1] SerDes IC（串行器-解串器IC：将并行数据转换为串行数据的图片信号IC，反之亦然）
[2] ADAS（高级驾驶员辅助系统）
[3] LVDS（低压差分信号，传输速度：若干Gbps）
[4] EAP-IV：第四代静电放电阵列过程
[5] DF2S6M4FS
[6] 根据ISO10605
[7] IVI（车载信息娱乐）
特点
- 符合AEC-Q101
- 在若干Gbps的高速通信时，信号质量由低电容保持：
Ct=0.55pF（最大值） - 钳位电压低：VC=7.5V（典型值）（DF2S6M4FS）
应用
- 车载ADAS[2]相机和IVI[7]等
产品规格
（@Ta＝25°C）
| 器件型号 | DF2S5M4FS | DF2S6M4FS | ||
|---|---|---|---|---|
| 配置 | 单向 | |||
| 封装 | SOD-923 | |||
| 最大绝对额定值 | 静电放电电压 VESD（kV） |
@接触[8] | ±20 | ±20 |
| @空气[8] | ±20 | ±20 | ||
| @接触[6] | ±30 | ±30 | ||
| @空气[6] | ±30 | ±30 | ||
| 峰值脉冲功率PPK（W） | @tp=8/20μs | 30 | 30 | |
| 峰值脉冲电流IPP（A） | 2 | 2 | ||
| 建议的工作条件 | 峰值反向工作电压VRWM最大值（V） | 3.6 | 5.5 | |
| 电气特性 | 反向击穿电压VBR最小值（V） | @IR=1mA | 3.7 | 5.6 |
| 反向击穿电压VBR最大值（V） | 5.5 | 7.9 | ||
| 反向电流IR最大值（μA） | @VRWM最大值 | 0.1 | 0.1 | |
| 钳位电压VC典型值[9]（V） | @IPP=1A | 6.8 | 7.5 | |
| 动态电阻RDYN典型值[10]（Ω） |
0.35 | 0.35 | ||
| 总电容Ct最大值（pF） | @VR＝0V，f＝1MHz | 0.55 | 0.55 | |
注：
[8] 根据IEC61000-4-2
[9] 根据IEC61000-4-5
[10] TLP参数：Z0＝50Ω，tp＝100ns，tr＝300ps，平均窗口t1＝30ns至t2＝60ns，
动态电阻的提取采用介于IPP1＝8A和IPP2=16A之间TLP特性的最小二乘拟合
等效电路
应用电路示例
本文所示应用电路仅供参考。
需要进行全面评估，特别是在量产设计阶段。
提供这些应用电路实例并不授予任何工业产权许可。
特性曲线（参考）
注：
[12] 截至2019年5月，东芝的测量值
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