提供优良保护性能、同时在若干Gbps保持信号质量的车载应用低电容TVS二极管:DF2S5M4FS,DF2S6M4FS

产品新闻2019年9月

提供优良保护性能、同时在若干Gbps保持信号质量的车载应用低电容TVS二极管的封装照片:DF2S5M4FS,DF2S6M4FS。

东芝电子元件及存储装置株式会社("东芝")推出了两个单向的低电容TVS二极管,“DF2S5M4FS”(VRWM最大值=3.6V)和“DF2S6M4FS”(VRWM最大值=5.5V),用于保护车载ADAS[2]相机模块和ADAS[2]等视频信号线路的SerDes ICs[1]输入/输出端口免受噪声和浪涌影响。

对于汽车来说,其安全功能的要求正变得前所未有的严格,并向着自动驾驶迈进。相机性能的提高(高图像质量和分辨率)增加了信息量,而且对于驱动系统的信息传输正在转向实时通信。因此,市场正在越来越多地使用高速LVDS[3]通信。
新产品DF2S5M4FS和DF2S6M4FS具有最大二极管电容0.55pF,可以处理若干Gbps的高速通信,并保持信号质量(眼睛模式)。此外,通过使用我们最新的原创工艺EAP-IV[4],它们的典型钳位电压为7.5V[5],静电放电电压为±30kV[6],可以防止设备故障和失灵,帮助提高系统的可靠性。
它们采用符合行业标准SOD-923(1.0×0.6mm典型值)的小型贴片封装,适用于设备的小型化。此外,它们符合AEC-Q101标准,可以广泛应用于各种车载应用,比如IVI[7]和电子反射镜。

注:
[1] SerDes IC(串行器-解串器IC:将并行数据转换为串行数据的图片信号IC,反之亦然)
[2] ADAS(高级驾驶员辅助系统)
[3] LVDS(低压差分信号,传输速度:若干Gbps)
[4] EAP-IV:第四代静电放电阵列过程
[5] DF2S6M4FS
[6] 根据ISO10605
[7] IVI(车载信息娱乐)

特点

  • 符合AEC-Q101
  • 在若干Gbps的高速通信时,信号质量由低电容保持:
      Ct=0.55pF(最大值)
  • 钳位电压低:VC=7.5V(典型值)(DF2S6M4FS)

应用

  • 车载ADAS[2]相机和IVI[7]

产品规格

(@Ta=25°C)

器件型号 DF2S5M4FS DF2S6M4FS
配置 单向
封装 SOD-923
最大绝对额定值 静电放电电压
VESD(kV)
@接触[8] ±20 ±20
@空气[8] ±20 ±20
@接触[6] ±30 ±30
@空气[6] ±30 ±30
峰值脉冲功率PPK(W) @tp=8/20μs 30 30
峰值脉冲电流IPP(A) 2 2
建议的工作条件 峰值反向工作电压VRWM最大值(V) 3.6 5.5
电气特性 反向击穿电压VBR最小值(V) @IR=1mA 3.7 5.6
反向击穿电压VBR最大值(V) 5.5 7.9
反向电流IR最大值(μA) @VRWM最大值 0.1 0.1
钳位电压VC典型值[9](V) @IPP=1A 6.8 7.5
动态电阻RDYN典型值[10](Ω)
0.35 0.35
总电容Ct最大值(pF) @VR=0V,f=1MHz 0.55 0.55

注:
[8] 根据IEC61000-4-2
[9] 根据IEC61000-4-5
[10] TLP参数:Z0=50Ω,tp=100ns,tr=300ps,平均窗口t1=30ns至t2=60ns,
       动态电阻的提取采用介于IPP1=8A和IPP2=16A之间TLP特性的最小二乘拟合

等效电路

提供优良保护性能、同时在若干Gbps保持信号质量的车载应用低电容TVS二极管的等效电路图示:DF2S5M4FS,DF2S6M4FS。

应用电路示例

提供优良保护性能、同时在若干Gbps保持信号质量的车载应用低电容TVS二极管的应用电路示例说明:DF2S5M4FS,DF2S6M4FS

本文所示应用电路仅供参考。
需要进行全面评估,特别是在量产设计阶段。
提供这些应用电路实例并不授予任何工业产权许可。

特性曲线(参考)

提供优良保护性能、同时在若干Gbps保持信号质量的车载应用低电容TVS二极管的特性曲线图示:DF2S5M4FS,DF2S6M4FS。

注:
[12] 截至2019年5月,东芝的测量值

本文档中的产品价格和规格、服务内容和联系方式等信息,在公告之日仍为最新信息,如有变更,恕不另行通知。

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