金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）

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金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）是目前最受关注的晶体管。
MOSFET有两种类型：N沟道（参见下图3-4（a）N沟道）和P沟道（参见下图3-4（b）P沟道）。
N沟道广泛用于AC/DC电源、DC/DC转换器、逆变器设备等，而P沟道则用于负载开关、高边开关等。
双极晶体管和MOSFET之间的差异如表3-1所示。

图3-4（a）N沟道MOSFET的符号和操作
图3-4（a）N沟道MOSFET的符号和操作
P沟道MOSFET的符号和操作
图3-4（b）P沟道MOSFET的符号和操作
BJT（电流驱动器件） MOSFET（电压驱动器件）
  • 低输入阻抗
  • 大的反向传输电容
  • 狭窄的安全工作区域
  • 启用低压操作（接通电压是0.6V-0.7V）
  • 高输入阻抗
  • 小的反向传输电容
  • 宽阔的安全工作区域
  • 低栅极功耗
  • 易于驱动

表3-1 BJT和MOSFET的比较

第Ⅲ章：晶体管

晶体管的类型
详细信息
双极晶体管（BJT）
详细信息
内置偏置电阻型晶体管（BRT）
详细信息
结型场效应晶体管（JFET）
详细信息
BJT和MOSFET的差异
详细信息
MOSFET的结构和工作原理
详细信息
MOSFET性能改进：RDS(ON)的决定因素
详细信息
MOSFET性能改进：低RDS(ON)的解决方案
详细信息
MOSFET性能改进：超级结MOSFET（SJ-MOS）
详细信息
按结构分类的MOSFET特性摘要
详细信息
MOSFET的性能：漏极电流和功耗
详细信息
MOSFET的性能：雪崩能力
详细信息
MOSFET的性能：电容的特性
详细信息
MOSFET的性能：安全工作区域（或安全操作区域）
详细信息
绝缘栅双极晶体管（IGBT）
详细信息
绝缘栅双极晶体管（IGBT）的工作原理
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IGBT的性能改进：垂直设计的发展
详细信息
什么是RC-IGBT和IEGT?
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IGBT的应用
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IGBT和MOSFET的正向特性比较
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晶体管的结构比较
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MOSFET的数据表：最大额定值
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MOSFET的数据表：电气特性
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MOSFET的数据表：电容和开关特性
详细信息
MOSFET的数据表：体二极管
详细信息

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