金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）
下载“第Ⅲ章：晶体管” (PDF:2.0MB)
金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）是目前最受关注的晶体管。
MOSFET有两种类型：N沟道（参见下图3-4（a）N沟道）和P沟道（参见下图3-4（b）P沟道）。
N沟道广泛用于AC/DC电源、DC/DC转换器、逆变器设备等，而P沟道则用于负载开关、高边开关等。
双极晶体管和MOSFET之间的差异如表3-1所示。
| BJT（电流驱动器件） | MOSFET（电压驱动器件） |
|---|---|
|
|
表3-1 BJT和MOSFET的比较
第Ⅲ章：晶体管
晶体管的类型
双极晶体管（BJT）
内置偏置电阻型晶体管（BRT）
结型场效应晶体管（JFET）
BJT和MOSFET的差异
MOSFET的结构和工作原理
MOSFET性能改进：RDS(ON)的决定因素
MOSFET性能改进：低RDS(ON)的解决方案
MOSFET性能改进：超级结MOSFET（SJ-MOS）
按结构分类的MOSFET特性摘要
MOSFET的性能：漏极电流和功耗
MOSFET的性能：雪崩能力
MOSFET的性能：电容的特性
MOSFET的性能：安全工作区域（或安全操作区域）
绝缘栅双极晶体管（IGBT）
绝缘栅双极晶体管（IGBT）的工作原理
IGBT的性能改进：垂直设计的发展
什么是RC-IGBT和IEGT?
IGBT的应用
IGBT和MOSFET的正向特性比较
晶体管的结构比较
MOSFET的数据表：最大额定值
MOSFET的数据表：电气特性
MOSFET的数据表：电容和开关特性
MOSFET的数据表：体二极管
相关信息
- 产品
- 应用说明
- FAQ
在新窗口打开