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金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)

金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)是目前最受关注的晶体管。
MOSFET有两种类型:N沟道(参见下图3-4(a)N沟道)和P沟道(参见下图3-4(b)P沟道)。
N沟道广泛用于AC/DC电源、DC/DC转换器、逆变器设备等,而P沟道则用于负载开关、高边开关等。
双极晶体管和MOSFET之间的差异如表3-1所示。

图3-4(a)N沟道MOSFET的符号和操作
图3-4(a)N沟道MOSFET的符号和操作
P沟道MOSFET的符号和操作
图3-4(b)P沟道MOSFET的符号和操作
BJT(电流驱动器件) MOSFET(电压驱动器件)
  • 低输入阻抗
  • 大的反向转移电容
  • 狭窄的安全工作区域
  • 启用低压操作(接通电压是0.6V-0.7V)
  • 高输入阻抗
  • 小的反向转移电容
  • 宽阔的安全工作区域
  • 低栅极功耗
  • 易于驱动

表3-1 BJT和MOSFET的比较

第Ⅲ章:晶体管

晶体管的类型
双极晶体管(BJT)
内置偏置电阻型晶体管(BRT)
结型场效应晶体管(JFET)
BJT和MOSFET的差异
MOSFET的结构和工作原理
MOSFET性能改进:RDS(ON)的决定因素
MOSFET性能改进:低RDS(ON)的解决方案
MOSFET性能改进:超级结MOSFET(SJ-MOS)
按结构分类的MOSFET特性摘要
MOSFET的性能:漏极电流和功耗
MOSFET的性能:雪崩能力
MOSFET的性能:电容的特性
MOSFET的性能:安全工作区域(或安全操作区域)
绝缘栅双极晶体管(IGBT)
绝缘栅双极晶体管(IGBT)的工作原理
IGBT的性能改进:垂直设计的发展
什么是RC-IGBT和IEGT?
IGBT的应用
IGBT和MOSFET的正向特性比较
晶体管的结构比较
MOSFET的规格书:最大额定值
MOSFET的规格书:电气特性
MOSFET的规格书:电容和开关特性
MOSFET的规格书:主体二极管

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