Asia-Pacific
English
简体中文
繁體中文
한국어
日本語
Americas
English
Europe (EMEA)
English



型号搜索

交叉搜索

About information presented in this cross reference

The information presented in this cross reference is based on TOSHIBA's selection criteria and should be treated as a suggestion only. Please carefully review the latest versions of all relevant information on the TOSHIBA products, including without limitation data sheets and validate all operating parameters of the TOSHIBA products to ensure that the suggested TOSHIBA products are truly compatible with your design and application.
Please note that this cross reference is based on TOSHIBA's estimate of compatibility with other manufacturers' products, based on other manufacturers' published data, at the time the data was collected.
TOSHIBA is not responsible for any incorrect or incomplete information. Information is subject to change at any time without notice.

关键词搜索

参数搜索

库存查询与购买

分立半导体器件基础知识

在这门电子学习课程中,您将学习到“半导体”的定义和半导体器件的基础知识,包括二极管、晶体管、光学半导体器件和电源IC。

第Ⅰ章:半导体基础

第Ⅰ章讨论了半导体的基础知识,例如“半导体”的定义、半导体材料、n型和p型半导体以及pn结。
视频和网页为您提供了相同的学习内容,您可以选择其中一种方式。

包括:

  • 什么是半导体?
  • 半导体材料
  • n型半导体
  • p型半导体
  • 什么是化合物半导体?
  • 什么是pn结?
  • 半导体器件的类型

请点击下方观看视频

请点击下方下载并查看PDF资料

请点击下方查看相关网页

什么是半导体?
半导体材料
n型半导体
p型半导体
什么是化合物半导体?
什么是pn结?
半导体器件的类型

第Ⅱ章:二极管

第Ⅱ章介绍不同类型的二极管,并讨论它们的工作原理和特性。

包括:

  • 二极管的类型
  • 整流二极管的功能
  • 整流二极管的正向特性(IF-VF特性)
  • FRD(快速恢复二极管)
  • 稳压二极管(齐纳二极管)
  • TVS二极管(ESD保护二极管)
  • TVS二极管和齐纳二极管之间的差异
  • 可变电容二极管(变容二极管)
  • 肖特基势垒二极管(SBD)
  • 肖特基势垒二极管(SBD)的反向恢复特性
  • 肖特基势垒二极管(SBD)的金属差异
  • 各种二极管的特性应用

请点击下方观看视频

请点击下方下载并查看PDF资料

请点击下方查看相关网页

二极管的类型
整流二极管的功能
整流二极管的正向特性(IF-VF特性)
FRD(快速恢复二极管)
稳压二极管(齐纳二极管)
TVS二极管(ESD保护二极管)
TVS二极管和齐纳二极管之间的差异(1)
TVS二极管和齐纳二极管之间的差异(2)
可变电容二极管(变容二极管)
肖特基势垒二极管(SBD)
肖特基势垒二极管(SBD)的反向恢复特性
肖特基势垒二极管(SBD)金属的差异
各种二极管的特性应用

第Ⅲ章:晶体管

第Ⅲ章将介绍不同类型的晶体管,并讨论它们的工作原理和特性。

包括

  • 晶体管的类型
  • 双极晶体管(BJT)
  • 内置偏置电阻型晶体管(BRT)
  • 结型场效应晶体管(JFET)
  • 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
  • BJT和MOSFET的差异
  • MOSFET的结构和工作原理
  • MOSFET性能改进:RDS(ON)的决定因素
  • MOSFET性能改进:低RDS(ON)的解决方案
  • MOSFET性能改进:超级结MOSFET(SJ-MOS)
  • 按结构分类的MOSFET特性摘要
  • MOSFET的性能:漏极电流和功耗
  • MOSFET的性能:雪崩能力
  • MOSFET的性能:电容的特性
  • MOSFET的性能:安全工作区域(或安全操作区域)
  • 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
  • 绝缘栅双极晶体管(IGBT)的工作原理
  • IGBT的性能改进:垂直设计的发展
  • 什么是RC-IGBT和IEGT?
  • IGBT的应用
  • IGBT和MOSFET的正向特性比较
  • 晶体管的结构比较
  • MOSFET的数据表:最大额定值
  • MOSFET的数据表:电气特性
  • MOSFET的数据表:电容和开关特性
  • MOSFET的数据表:体二极管

请点击下方观看视频

请点击下方下载并查看PDF资料

请点击下方查看相关网页

晶体管的类型
双极晶体管(BJT)
内置偏置电阻型晶体管(BRT)
结型场效应晶体管(JFET)
金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
BJT和MOSFET的差异
MOSFET的结构和工作原理
MOSFET性能改进:RDS(ON)的决定因素
MOSFET性能改进:低RDS(ON)的解决方案
MOSFET性能改进:超级结MOSFET(SJ-MOS)
按结构分类的MOSFET特性摘要
MOSFET的性能:漏极电流和功耗
MOSFET的性能:雪崩能力
MOSFET的性能:电容的特性
MOSFET的性能:安全工作区域(或安全操作区域)
绝缘栅双极晶体管(IGBT)
绝缘栅双极晶体管(IGBT)的工作原理
IGBT的性能改进:垂直设计的发展
什么是RC-IGBT和IEGT?
IGBT的应用
IGBT和MOSFET的正向特性比较
晶体管的结构比较
MOSFET的数据表:最大额定值
MOSFET的数据表:电气特性
MOSFET的数据表:电容和开关特性
MOSFET的数据表:体二极管

第Ⅳ章:本地电源IC

第Ⅳ章将讨论不同类型的电源IC、设备中的电源情况以及为什么需要负载点(POL)电源。本章还将介绍线性和开关稳压器的工作原理。

包括:

  • 电源管理IC
  • 系统中的电源线结构示例
  • 为什么需要POL电源IC?
  • 本地电源IC的类型
  • 线性稳压器的工作原理
  • 开关稳压器的工作原理
  • LDO的功能
  • 负载开关IC
  • 负载开关IC的功能

请点击下方观看视频

请点击下方下载并查看PDF资料

请点击下方查看相关网页

电源管理IC
系统中的电源线结构示例
为什么需要POL电源IC?
本地电源IC的类型
线性稳压器的工作原理
开关稳压器的工作原理
LDO的功能
负载开关IC
负载开关IC的功能

第Ⅴ章:隔离器/固态继电器

第Ⅴ章将讨论包括光耦在内的不同类型的隔离器/固态继电器,并讨论它们的工作原理和特性。

包括:

  • 光半导体的类型
  • LED的发光原理
  • LED的波长范围
  • 什么是光耦?
  • 为什么需要光耦?
  • 光耦的类型
  • 光耦的类型(封装)
  • 光耦的类型(内部结构)
  • 光耦的安全标准
  • 光耦的特性(电流传输比:CTR)
  • 光耦的主要特性(触发LED电流)
  • 光耦的老化变化数据
  • 如何使用光耦
  • 如何使用光耦“输入电流”
  • 如何使用光耦“输出电流”
  • 如何使用光耦“输出侧电阻器”
  • 如何使用光耦检查

请点击下方观看视频

请点击下方下载并查看PDF资料

请点击下方查看相关网页

光半导体的类型
LED的发光原理
LED的波长范围
什么是光耦?
为什么需要光耦?
光耦的类型
光耦的类型(封装)
光耦的类型(内部结构)
光耦的安全标准
光耦的特性(电流传输比:CTR)
光耦的主要特性(触发LED电流)
光耦的老化变化数据
如何使用光耦
如何使用光耦“输入电流”
如何使用光耦“输出电流”
如何使用光耦“输出侧电阻器”
如何使用光耦检查
在新窗口打开