分立半导体器件

第Ⅰ章讨论了半导体的基础知识，例如“半导体”的定义、半导体材料、n型和p型半导体以及pn结。.
视频和网页为您提供了相同的学习内容，您可以选择其中一种方式。

包括：

• 什么是半导体？
• 半导体材料
• n型半导体
• p型半导体
• 什么是化合物半导体？
• 什么是pn结?
• 半导体器件的类型

第Ⅱ章介绍不同类型的二极管，并讨论它们的工作原理和特性。

包括：

• 二极管的类型
• 整流二极管的功能
• 整流二极管的正向特性（I_F-V_F特性）
• FRD（快速恢复二极管）
• 稳压二极管（齐纳二极管）
• TVS二极管（ESD保护二极管）
• TVS二极管和齐纳二极管之间的差异
• 可变电容二极管（变容二极管）
• 肖特基势垒二极管（SBD）
• 肖特基势垒二极管（SBD）的反向恢复特性
• 肖特基势垒二极管（SBD）的金属差异
• 各种二极管的特性应用

第三章将介绍不同类型的晶体管，并讨论它们的工作原理和特性。

包括

• 晶体管的类型
• 双极晶体管（BJT）
• 内置偏置电阻型晶体管（BRT）
• 结型场效应晶体管（JFET）
• 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）
• BJT和MOSFET的差异
• MOSFET的结构和工作原理
• MOSFET性能改进：R_DS(ON)的决定因素
• MOSFET性能改进：低R_DS(ON)的解决方案
• MOSFET性能改进：超级结MOSFET（SJ-MOS）
• 按结构分类的MOSFET特性摘要
• MOSFET的性能：漏极电流和功耗
• MOSFET的性能：雪崩能力
• MOSFET的性能：电容的特性
• MOSFET的性能：安全工作区域（或安全操作区域）
• 绝缘栅双极晶体管（IGBT）
• 绝缘栅双极晶体管（IGBT）的工作原理
• IGBT的性能改进：垂直设计的发展
• 什么是RC-IGBT和IEGT?
• IGBT的应用
• IGBT和MOSFET的正向特性比较
• 晶体管的结构比较
• MOSFET的规格书：最大额定值
• MOSFET的规格书：电气特性
• MOSFET的规格书：电容和开关特性
• MOSFET的规格书：主体二极管

第四章将讨论不同类型的电源IC、设备中的电源条件以及为什么需要负载点（POL）电源。本章还将介绍线性和开关稳压器的工作原理。

包括：

• 电源管理IC
• 系统中的电源线结构示例
• 为什么需要POL电源IC？
• 本地电源IC的类型
• 线性稳压器的工作原理
• 开关稳压器的工作原理
• LDO的功能
• 负载开关IC
• 负载开关IC的功能

第五章将讨论包括光耦在内的不同类型的隔离器／固态继电器，并讨论它们的工作原理和特性。

包括：

• 光半导体的类型
• LED的发光原理
• LED的波长范围
• 什么是光耦？
• 为什么需要光耦？
• 光耦的类型
• 光耦的类型（封装）
• 光耦的类型（内部结构）
• 光耦的安全标准
• 光耦的特性（电流传输比：CTR）
• 光耦的主要特性（触发LED电流）
• 光耦的老化变化数据
• 如何使用光耦
• 如何使用光耦“输入电流”
• 如何使用光耦“输出电流”
• 如何使用光耦“输出侧电阻器”
• 如何使用光耦检查