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分立半导体器件

在这门电子学习课程中,您将学习到“半导体”的定义和半导体器件的基础知识,包括二极管、晶体管、光学半导体器件和电源IC。

第Ⅰ章:半导体基础

第一章将讨论半导体的基础知识,比如“半导体”的定义、半导体材料、n型和p型半导体以及p-n结。

什么是半导体?
半导体材料
n型半导体
p型半导体
什么是化合物半导体?
什么是pn结?
半导体器件的类型

第Ⅱ章:二极管

第二章将介绍不同类型的二极管,并讨论它们的工作原理和特性。

二极管的类型
整流二极管的功能
整流二极管的正向特性(IF-VF特性)
FRD(快速恢复二极管)
稳压二极管(齐纳二极管)
TVS二极管(ESD保护二极管)
TVS二极管和齐纳二极管之间的差异(1)
TVS二极管和齐纳二极管之间的差异(2)
可变电容二极管(变容二极管)
肖特基势垒二极管(SBD)
肖特基势垒二极管(SBD)的反向恢复特性
肖特基势垒二极管(SBD)的金属差异
各种二极管的特性应用

第Ⅲ章:晶体管

第三章将介绍不同类型的晶体管,并讨论它们的工作原理和特性。

晶体管的类型
双极晶体管(BJT)
内置偏置电阻型晶体管(BRT)
结型场效应晶体管(JFET)
金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
BJT和MOSFET的差异
MOSFET的结构和工作原理
MOSFET性能改进:RDS(ON)的决定因素
MOSFET性能改进:低RDS(ON)的解决方案
MOSFET性能改进:超级结MOSFET(SJ-MOS)
按结构分类的MOSFET特性摘要
MOSFET的性能:漏极电流和功耗
MOSFET的性能:雪崩能力
MOSFET的性能:电容的特性
MOSFET的性能:安全工作区域(或安全操作区域)
绝缘栅双极晶体管(IGBT)
绝缘栅双极晶体管(IGBT)的工作原理
IGBT的性能改进:垂直设计的发展
什么是RC-IGBT和IEGT?
IGBT的应用
IGBT和MOSFET的正向特性比较
晶体管的结构比较
MOSFET的规格书:最大额定值
MOSFET的规格书:电气特性
MOSFET的规格书:电容和开关特性
MOSFET的规格书:主体二极管

第Ⅳ章:本地电源IC

第四章将讨论不同类型的电源IC、设备中的电源条件以及为什么需要负载点(POL)电源。本章还将介绍线性和开关稳压器的工作原理。

电源管理IC
系统中的电源线结构实例
为什么需要POL电源IC?
本地电源IC的类型
线性稳压器的工作原理
开关稳压器的工作原理
LDO的功能
负载开关IC
负载开关IC的功能

第Ⅴ章:光半导体

第五章将讨论包括光耦在内的不同类型的光半导体器件,并讨论它们的工作原理和特性。

光半导体的类型
LED的发光原理
LED的波长范围
什么是光耦?
为什么需要光耦?
光耦的类型
光耦的类型(封装)
光耦的类型(内部结构)
光耦的安全标准
光耦的特性(电流传输比:CTR)
光耦的主要特性(触发LED电流)
光耦的老化变化数据
如何使用光耦
如何使用光耦“输入电流”
如何使用光耦“输出电流”
如何使用光耦“输出侧电阻器”
如何使用光耦检查
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