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东芝推出可延长电池使用时间的小型低导通电阻共漏极MOSFET

2020年09月30日

东芝电子元件及存储装置株式会社

TCSP6A-172101

中国上海—东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出12V共漏极N沟道MOSFET“SSM6N951L”,用于移动设备锂离子电池组中的电池保护电路。新产品将于今日开始出货。

锂离子电池组中的电池保护电路要求电阻极低,不仅要降低充放电过程中的热损耗,而且还要同时具备高密度和高冗余度,提高保护电路自身的安全性。满足这样的要求需要小巧纤薄、导通电阻非常低的MOSFET。

东芝已开发出一种专用的微细加工技术,它具备优异的低导通电阻特性,能够满足快充等新需求。将该技术应用于SSM6N951L有助于通过降低待机功耗来延长电池使用时间,这是因为栅源漏电流较低,而且具备行业领先[1]的低导通电阻,从而实现降低功耗。

这种新型MOSFET采用超小、超薄的芯片封装尺寸(CSP)(2.14mm×1.67mm 厚度:0.11mm(典型值)),可用于电池组狭小的贴装空间中。

东芝将继续针对此类应用开发产品。

应用

采用锂离子电池组的设备

  • 办公设备与个人设备(智能手机、平板电脑、充电宝和可穿戴设备解决方案等)
  • 消费类电子设备
    (游戏控制器、电动牙刷、迷你数码相机和数码单反相机)

特性

  • 行业领先[1]的低导通电阻:RSS(ON)=4.6mΩ(典型值)@VGS=3.8V
  • 行业领先[1]的低栅源漏电流:IGSS=±1μA(最大值) @VGS=±8V
  • 小型表面贴装TCSP6A-172101封装:2.14mm×1.67mm 厚度:0.11mm(典型值)
  • 便于在电池保护电路中使用的共漏极结构

主要规格

 (@Ta=25℃)

器件型号

SSM6N951L

配置

N沟道

共漏极

绝对最大额定值

源极-源极电压VSSS(V)

12

栅源极电压VGSS(V)

±8

拉电流(DC)IS(A)

8

栅源漏电流IGSS最大值 @VGS=±8V(μA)

±1

源极-源极导通电阻

RSS(ON)典型值

(mΩ)

@VGS=4.5V

4.4

@VGS=3.8V

4.6

@VGS=3.1V

4.9

@VGS=2.5V

5.5

封装

名称

TCSP6A-172101

尺寸典型值(mm)

2.14×1.67 厚度:0.11

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注:
[1] 根据东芝截至到2020年9月29日的调研结果,与相同最大额定值的产品进行比较。

如需了解相关新产品的更多信息,请访问:

SSM6N951L

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MOSFET

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SSM6N951L

 

客户问询:

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电话:+81-3-3457-3411
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中国地区
分立器件市场部(Discrete Marketing)
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