东芝推出可延长电池使用时间的小型低导通电阻共漏极MOSFET
2020年09月30日
东芝电子元件及存储装置株式会社
中国上海—东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出12V共漏极N沟道MOSFET“SSM6N951L”，用于移动设备锂离子电池组中的电池保护电路。新产品将于今日开始出货。
锂离子电池组中的电池保护电路要求电阻极低，不仅要降低充放电过程中的热损耗，而且还要同时具备高密度和高冗余度，提高保护电路自身的安全性。满足这样的要求需要小巧纤薄、导通电阻非常低的MOSFET。
东芝已开发出一种专用的微细加工技术，它具备优异的低导通电阻特性，能够满足快充等新需求。将该技术应用于SSM6N951L有助于通过降低待机功耗来延长电池使用时间，这是因为栅源漏电流较低，而且具备行业领先[1]的低导通电阻，从而实现降低功耗。
这种新型MOSFET采用超小、超薄的芯片封装尺寸（CSP）（2.14mm×1.67mm 厚度：0.11mm（典型值）），可用于电池组狭小的贴装空间中。
东芝将继续针对此类应用开发产品。
应用
采用锂离子电池组的设备
- 办公设备与个人设备（智能手机、平板电脑、充电宝和可穿戴设备解决方案等）
- 消费类电子设备
（游戏控制器、电动牙刷、迷你数码相机和数码单反相机）
特性
- 行业领先[1]的低导通电阻：RSS(ON)＝4.6mΩ（典型值）@VGS＝3.8V
- 行业领先[1]的低栅源漏电流：IGSS＝±1μA（最大值） @VGS＝±8V
- 小型表面贴装TCSP6A-172101封装：2.14mm×1.67mm 厚度：0.11mm（典型值）
- 便于在电池保护电路中使用的共漏极结构
主要规格
（@Ta＝25℃）
器件型号 |
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|---|---|---|
配置 |
N沟道 共漏极 |
|
绝对最大额定值 |
源极-源极电压VSSS（V） |
12 |
栅源极电压VGSS（V） |
±8 |
|
拉电流（DC）IS（A） |
8 |
|
栅源漏电流IGSS最大值 @VGS＝±8V（μA） |
±1 |
|
源极-源极导通电阻 RSS(ON)典型值 （mΩ） |
@VGS＝4.5V |
4.4 |
@VGS＝3.8V |
4.6 |
|
@VGS＝3.1V |
4.9 |
|
@VGS＝2.5V |
5.5 |
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封装 |
名称 |
TCSP6A-172101 |
尺寸典型值（mm） |
2.14×1.67 厚度：0.11 |
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库存查询与购买 |
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注：
[1] 根据东芝截至到2020年9月29日的调研结果，与相同最大额定值的产品进行比较。
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SSM6N951L
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