有助于提高电源PFC效率的650V SiC SBD产品线扩展:TRS12N65FB,TRS16N65FB,TRS20N65FB,TRS24N65FB

产品新闻2020年7月

有助于提高电源PFC效率的650V SiC SBD产品线扩展:TRS12N65FB,TRS16N65FB,TRS20N65FB,TRS24N65FB

东芝电子元件及存储装置株式会社(简称“东芝”)为扩大其产品线,现推出了四款650V肖特基势垒二极管(SBD):“TRS12N65FB”、“TRS16N65FB”、“TRS20N65FB”和“TRS24N65FB”。这四款SBD产品均为碳化硅材质,这种新兴材料能提高电源功率因数校正(PFC)效率。这些产品均采用TO-247封装并具有12A、16A、20A、24A等四种正向直流额定值(双支路),可提高设备功率。
这几款新产品均为采用优化JBS(结势垒控制肖特基)架构的东芝第二代工艺碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD),具有大浪涌电流和低损耗等性能特性,其非重复性峰值正向浪涌额定电流(单支路)和典型正向电压(单支路)分别为92A[1]及1.45V,相较于我们的第一代工艺产品,该额定电流约提高了53%[2],该电压约降低了6%[2]。这些特性使我们在进行设备的散热设计时提高了效率和裕度。

东芝未来还会扩展该系列产品线,帮助通信设备、服务器、逆变器和其他产品提升效率并实现小型化。

注:
[1] 以TRS24N65FB为例
[2] TRS24N65FB与TRS24N65D相比较

特性

  • 较高的非重复性峰值正向浪涌额定电流:
      IFSM(单支路)/(双支路)=52A/104A(TRS12N65FB)
      IFSM(单支路)/(双支路)=65A/130A(TRS16N65FB)
      IFSM(单支路)/(双支路)=79A/158A(TRS20N65FB)
      IFSM(单支路)/(双支路)=92A/184A(TRS24N65FB)
  • 较低的正向电压:
      VF(单支路)=1.45V(典型值),在IF=6A条件下(TRS12N65FB)
      VF(单支路)=1.45V(典型值),在IF=8A条件下(TRS16N65FB)
      VF(单支路)=1.45V(典型值),在IF=10A条件下(TRS20N65FB)
      VF(单支路)=1.45V(典型值),在IF=12A条件下(TRS24N65FB)

应用

  • 工业设备的电源
    (基站、PC服务器,电车供电设施和激光加工机床等)
  • 消费设备的电源
    (有机EL电视、音频放大器、投影仪和多功能打印机等)

产品规格

(除非另有说明,@Ta=25 °C)

器件型号 TRS12N65FB TRS16N65FB TRS20N65FB TRS24N65FB
封装 TO-247
绝对最大额定值 反向重复峰值电压
VRRM(V)
650
正向直流电流
IF(DC)(A)
双支路 12 16 20 24
非重复性峰值正向浪涌电流IFSM(A)
@t=10ms
单支路 52 65 79 92
双支路 104 130 158 184
结温Tj(°C) 175
反向电流
IR典型值(μA)
@VR=650V
单支路 0.3 0.4 0.5 0.6
正向电压VF典型值(V) 单支路   1.45
@IF(A) 6 8 10 12

结电容总电荷Qcj 典型值(nC)
@VR=0.1至400V
单支路 15 19.4 24 30
热导通阻抗(结到管壳)
Rth(j-c)最大值(°C/W)
@Tc=25°C
单支路 2.2 1.8 1.4 1.3
双支路 1.1 0.9 0.7 0.65

内部电路

有助于提高电源PFC效率的650V SiC SBD产品内部电路:TRS12N65FB,TRS16N65FB,TRS20N65FB,TRS24N65FB

应用电路示例

有助于提高电源PFC效率的650V SiC SBD产品应用电路示例:TRS12N65FB,TRS16N65FB,TRS20N65FB,TRS24N65FB

本文所示应用电路仅供参考。需要进行全面评估,特别是在量产设计阶段。提供这些应用电路实例并不授予任何工业产权许可。

本文档中的产品价格和规格、服务内容和联系方式等信息,在公告之日仍为最新信息,如有变更,恕不另行通知。

在新窗口打开