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有助于提高电源PFC效率的650V SiC SBD产品线扩展：TRS12N65FB，TRS16N65FB，TRS20N65FB，TRS24N65FB
产品新闻2020年7月
东芝电子元件及存储装置株式会社（简称“东芝”）为扩大其产品线，现推出了四款650V肖特基势垒二极管（SBD）：“TRS12N65FB”、“TRS16N65FB”、“TRS20N65FB”和“TRS24N65FB”。这四款SBD产品均为碳化硅材质，这种新兴材料能提高电源功率因数校正（PFC）效率。这些产品均采用TO-247封装并具有12A、16A、20A、24A等四种正向直流额定值（双支路），可提高设备功率。
这几款新产品均为采用优化JBS（结势垒控制肖特基）架构的东芝第二代工艺碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD），具有大浪涌电流和低损耗等性能特性，其非重复性峰值正向浪涌额定电流（单支路）和典型正向电压（单支路）分别为92A[1]及1.45V，相较于我们的第一代工艺产品，该额定电流约提高了53%[2]，该电压约降低了6%[2]。这些特性使我们在进行设备的散热设计时提高了效率和裕度。
东芝未来还会扩展该系列产品线，帮助通信设备、服务器、逆变器和其他产品提升效率并实现小型化。
注：
[1] 以TRS24N65FB为例
[2] TRS24N65FB与TRS24N65D相比较
特性
- 较高的非重复性峰值正向浪涌额定电流：
IFSM（单支路）／（双支路）＝52A／104A（TRS12N65FB）
IFSM（单支路）／（双支路）＝65A／130A（TRS16N65FB）
IFSM（单支路）／（双支路）＝79A／158A（TRS20N65FB）
IFSM（单支路）／（双支路）＝92A／184A（TRS24N65FB）
- 较低的正向电压：
VF（单支路）=1.45V（典型值），在IF＝6A条件下（TRS12N65FB）
VF（单支路）=1.45V（典型值），在IF＝8A条件下（TRS16N65FB）
VF（单支路）＝1.45V（典型值），在IF＝10A条件下（TRS20N65FB）
VF（单支路）＝1.45V（典型值），在IF＝12A条件下（TRS24N65FB）
应用
- 工业设备的电源
（基站、PC服务器，电车供电设施和激光加工机床等）
- 消费设备的电源
（有机EL电视、音频放大器、投影仪和多功能打印机等）
产品规格
（除非另有说明，@Ta=25 °C）
| 器件型号 | TRS12N65FB | TRS16N65FB | TRS20N65FB | TRS24N65FB | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 封装 | TO-247 | |||||
| 绝对最大额定值 | 反向重复峰值电压 VRRM（V） |
650 | ||||
| 正向直流电流 IF(DC)（A） |
双支路 | 12 | 16 | 20 | 24 | |
| 非重复性峰值正向浪涌电流IFSM（A） @t＝10ms |
单支路 | 52 | 65 | 79 | 92 | |
| 双支路 | 104 | 130 | 158 | 184 | ||
| 结温Tj（°C） | 175 | |||||
| 反向电流 IR典型值（μA） @VR＝650V |
单支路 | 0.3 | 0.4 | 0.5 | 0.6 | |
| 正向电压VF典型值（V） | 单支路 | 1.45 | ||||
| @IF（A） | 6 | 8 | 10 | 12 | ||
结电容总电荷Qcj 典型值（nC） @VR＝0.1至400V |
单支路 | 15 | 19.4 | 24 | 30 | |
| 热导通阻抗（结到管壳） Rth(j-c)最大值（°C/W） @Tc＝25°C |
单支路 | 2.2 | 1.8 | 1.4 | 1.3 | |
| 双支路 | 1.1 | 0.9 | 0.7 | 0.65 | ||
内部电路
应用电路示例
本文所示应用电路仅供参考。需要进行全面评估，特别是在量产设计阶段。提供这些应用电路实例并不授予任何工业产权许可。
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