二极管是一种半导体器件,它有两个端子:阳极和阴极,并且只允许电流沿一个方向流动(从阳极到阴极,称为正向流动)。电流不会反向流动,除非在特殊情况下,例如施加超过击穿电压的电压时。它是一种有源器件,具有一个p-n结,或者说一个金属-半导体结。由于通用pn结二极管的能量效率低(导通时需要VFxIF的功率)和开关速度慢,近年来其需求有所下降,但它们仍然是主流的半导体器件。
图1是一个概念图,以树状结构显示了二极管的分类关系,二极管位于树状结构的顶端。
该图概述了二极管与其分类之间的整体关系,重点在于结构造方法的差异。图中每个类别均根据应用场景和特性进一步细分。
二极管主要依据结类型分为PN结二极管与金属-半导体结二极管(肖特基势垒二极管)。PN结二极管又细分为整流二极管与齐纳二极管。
以下常见问题说明了二极管的类型。
图2显示了pn结二极管和肖特基势垒二极管的简化结构图和符号。
在pn结二极管中,结面是p层与n层之间的界面;而在肖特基势垒二极管中,结面则是n型半导体与金属之间的界面。图中还展示了双引脚表面贴装型的外部结构示例,可直观了解阳极与阴极侧的对应关系。
在符号方面,肖特基势垒二极管有时用特殊符号表示,但现在它们与图中所示的符号统一起来。
如图2(a)所示,pn结二极管的结构由p层和n层组成。然而,在实际应用中,p层通常是通过将杂质(例如硼,B)离子注入或热扩散到n型衬底中形成的。在某些情况下,也可以通过在p型衬底中引入杂质(例如磷,P)来形成n型层。
肖特基势垒二极管通常是通过在n型衬底上蒸镀金属颗粒制成的。虽然也可以用p型衬底构建肖特基势垒二极管,但其漏电流较大,难以用于通用应用,因此n型衬底更为常用。
如前所述,二极管只允许电流沿一个方向流动。电流流动的方向称为正向,不流动的方向称为反向。相应地,电压也被定义为正向偏置电压和反向偏置电压,如图所示。
图3显示了二极管电流-电压特性(IF-VF 特性)的典型示例,以及用于测量的简单电路配置。
该测量涵盖反向偏置方向下从低电流区域直至接近击穿电压(VR)的范围,以及正向偏置方向下接近上升时间的范围。
当电压施加于正向偏置方向(阳极侧+)且电压逐渐升高时,电流会在特定电压下开始流动。该电压因产品而略有差异,pn结二极管约为700mV,肖特基势垒二极管约为200mV。此电压称为正向电压(VF)。此时流过的电流称为正向电流(IF)。
当反向偏置(阴极为+)施加电压并逐渐增大时,电流会在达到某一特定电压(击穿电压VR)时突然开始流动。该电压因器件类型而异,但对于pn结二极管而言,其电压通常为几十到几百伏;而对于肖特基势垒二极管而言,其电压通常为几十伏。这种电流突然流动的现象称为击穿。由于电流的突然增加发生在较大的电压下,因此普通二极管的击穿会导致元件性能下降甚至损坏。所以,除了专门利用这种现象的齐纳二极管和静电放电保护二极管之外,其他二极管不能在超过其绝对最大额定反向电压(VR)的电压下工作。
常见问题:"二极管的工作原理是什么?"中也说明了二极管的工作原理。此外,e-learning:"肖特基势垒二极管基础知识"中也说明了它们的物理特性。
二极管是最简单的半导体元件,已被广泛应用于各类电路中。虽然某些应用已被IC取代,但以下列举一些二极管至今仍在使用的例子。
限幅电路、限速电路:
图5显示了正向限幅电路、反向限幅电路和将它们组合在一起的限幅电路的示例,以及IC中使用的输入保护电路的示例配置等。
利用二极管限制信号电压幅度的基本原理,结合输入和输出波形进行了展示。
限幅电路中有正向限幅器和反向限幅器。限幅电路就是其中的一个应用。该电路至今仍用于IC的输入保护(过压保护)。f
二极管封装
二极管封装主要为双引脚封装,包含两个端子:阳极和阴极。我们主要提供从超小型到大型的表面贴装封装。此外还有多引脚封装,内置多个二极管。
以下是一些示例。
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