东芝拓展有助于降低汽车设备功耗的40V N沟道功率MOSFET产品线

产品新闻2023年9月

东芝扩展有助于降低车载设备功耗的40V N沟道功率MOSFET产品线

东芝电子元件及存储装置株式会社(简称“东芝”)扩展其产品线,开始量产三款采用SOP Advance(WF)封装的40V N沟道MOSFET。产品型号分别为XPHR9904PS、XPH2R404PS和XPH3R304PS。

与东芝先前发布的产品XPHR7904PS和XPH1R104PS一样,这几款新产品同样采用U-MOSIX工艺降低漏源导通电阻。XPH2R404PS的漏源导通电阻为2.4mΩ(最大值),与东芝现有产品TPCA8083[1]相比,约降低了27%;XPH3R304PS的漏源导通电阻为3.3mΩ(最大值),与东芝现有产品TPCA8085[1]相比,约降低了42%;而XPHR9904PS的漏源导通电阻为0.99mΩ(最大值)。这些产品的漏源导通电阻的降低将有助于实现车载设备的低功耗。此外,这些产品已通过车载器件可靠性标准AEC-Q101认证。IATF16949标准的生产件批准程序(PPAP)亦适用于这些产品[2]

其封装方式为表贴式封装SOP Advance(WF),具有可焊锡侧翼引脚结构,便于对电路板贴装状态进行自动目视检测(AVI)。

东芝的车载MOSFET产品支持各种车载应用,可满足客户的广泛需求。

注:
[1]SOP Advance封装
[2]请与东芝销售代表联系,了解更多详情。

应用

  • 汽车设备:电机驱动器、开关电源、负载开关等。

特性

  • 低导通电阻
    XPHR9904PS:RDS(ON)=0.99mΩ(最大值)(VGS=10V)
    XPH2R404PS:RDS(ON)=2.4mΩ(最大值)(VGS=10V)
    XPH3R304PS:RDS(ON)=3.3mΩ(最大值)(VGS=10V)
  • 符合AEC-Q101认标准
  • IATF16949的PPAP也适用[2]

主要规格

(在Ta=25°C条件下,除非另有规定)

器件型号

极性

绝对最大额定值

电气特性 热特性

封装

漏极-源极电压

VDSS(V)

漏极电流(DC)

ID(A)

漏极电流(脉冲)

IDP(A)

结温

Tch(°C)

漏极-源极导通电阻

RDS(ON)

(mΩ)

结壳热阻

Zth(ch-c)(°C/W)

VGS

6V

VGS

10V

Tc=25°C

最大值

最大值

最大值

XPH3R304PS

N沟道

40

60

120

175

6.3

3.3

1.95

SOP Advance(WF)

XPH2R404PS

90

180

4.1

2.4

1.6

XPH1R104PS[3]

120

360

1.96

1.14

1.13 

XPHR9904PS

130

390

1.63

0.99

0.98

XPHR7904PS[3]

150

450

1.3

0.79

0.88

注:
[3]东芝之前发布的产品

内部电路

内部电路

应用电路示例

应用电路示例

注:
本文所示应用电路仅供参考。
需要进行全面评估,特别是在量产设计阶段。
提供这些应用电路示例并不授予任何工业产权许可。

 

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