有助于实现工业设备高效化和小型化的1200V SiC MOSFET模块产品线扩展
2024年6月产品新闻
东芝电子元件及存储装置株式会社（简称“东芝”）现已开始量产适用于工业设备的第三代碳化硅（SiC）1200V、漏极电流（DC）额定值为400A的SiC MOSFET模块“MG400Q2YMS3”，扩大了其产品线。
新产品MG400Q2YMS3的漏极-源极导通电压（感应）低至0.9 V（典型值）[1]，可实现低导通损耗。它还具有低开关损耗，开通损耗和关断损耗低至13mJ（典型值）[2]。这些特性都有助于减小设备功耗以及散热装置的尺寸。
MG400Q2YMS3的杂散电感低至12nH（典型值），可执行高速开关操作。此外，其可在开关操作时抑制浪涌电压。因此，其可用于高频隔离DC-DC转换器。
东芝的2-153A1A封装式SiC MOSFET模块的产品线由现有的五款产品组成（包括新产品）分别为MG250YD2YMS3（2200V/250A）、MG400V2YMS3（1700V/400A）、MG250V2YMS3（1700V/250A）和MG600Q2YMS3（1200V/600A）。这为客户提供了更广泛的产品选择。
东芝将继续努力以满足工业设备对高效率和小型化的需求。
注
[1]测试条件：ID＝400 A，VGS＝+20 V，Tch＝25 °C
[2]测试条件：VDD＝600 V，ID＝400 A，Tch＝150 °C
应用
工业设备
- 轨道车辆的辅助电源
- 可再生能源发电系统
- 工业设备的电机控制设备
- 高频DC-DC转换器等
特性
- 低漏极-源极导通电压（感应）：
VDS(on)sense＝0.9 V（典型值）（ID＝400 A，VGS＝+20 V，Tch＝25 °C） - 低开通损耗：:
Eon＝13 mJ（典型值）（VDD＝600 V，ID＝400 A，Tch＝150 °C） - 低关断损耗：
Eoff＝13 mJ（典型值）（VDD＝600 V，ID＝400 A，Tch＝150 °C） - 低杂散电感：
LsPN＝112 nH（典型值）
主要规格
（除非另有规定，Tc＝25 °C）
| 器件型号 | MG400Q2YMS3 | |||
|---|---|---|---|---|
| 东芝封装名称 | 2-153A1A | |||
| 绝对最大额定值 | 漏极-源极电压VDSS（V） | 1200 | ||
| 栅极-源极电压VGSS（V） | +25 / -10 | |||
| 漏极电流（DC）ID（A） | 400 | |||
| 漏极电流（脉冲）IDP（A） | 800 | |||
| 结温Tch（°C） | 150 | |||
| 隔离电压Visol（Vrms） | 4000 | |||
| 电气特性 |
漏极-源极导通电压（感应）VDS(on)sense（V） |
ID＝400 A，VGS＝+20 V，Tch＝25 °C | 典型值 | 0.9 |
源极-漏极导通电压（感应）VSD(on)sense（V） |
IS＝400 A，VGS＝+20 V，Tch＝25 °C | 典型值 | 0.8 | |
| 源极-漏极关断电压（感应） VSD(off)sense（V） |
IS＝400 A，VGS＝-6 V，Tch＝25 °C | 典型值 | 1.6 | |
开通损耗Eon（mJ） |
VDD＝600 V，ID＝400 A，Tch＝150 °C | 典型值 | 13 | |
| 关断损耗 Eoff（mJ） |
典型值 | 13 | ||
| 杂散电感LsPN（nH） | 典型值 | 12 | ||
内部电路
应用电路示例
注：
本文所示应用电路仅供参考。
需要进行全面评估，特别是在量产设计阶段。
提供这些应用电路示例并不授予任何工业产权许可。
*本文提及的公司名称，产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。
*本文档中的产品价格和规格、服务内容和联系方式等信息，在公告之日仍为最新信息，如有变更，恕不另行通知。
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