什么是二极管反向恢复时间（trr）？
即使施加在二极管上的电压从正向变为反向，它也不会立即关断。从ON到OFF的转变需要一定的时间。在该转变所需的时间中，电流沿相反方向流动的时间称为反向恢复时间（trr）。
东芝拥有可缩短这一时间的快速恢复二极管（FRD）和一些开关二极管。东芝的FRD产品包括超快整流二极管（S-FRD）和高效整流二极管（HED）。另外，肖特基势垒二极管（SBD）是不使用少数载流子的单极器件，因此原则上不存在反向恢复时间。
在pn结二极管等双极器件中，当器件导通时，作为p型半导体中少数载流子的电子以及作为n型半导体中少数载流子的空穴充当电流的载流子。（详细内容请参考e-learning《肖特基势垒二极管基础知识1-3.pn结》）
另外，在pn结二极管中，当二极管导通时，通过在低杂质浓度层中积累多余的载流子来降低导通电阻。 （详细内容请参考e-learning《肖特基势垒二极管基础知识2-3.电导率调制》）
当从导通状态转变为关断状态时，必须释放储存的电荷（载流子）。为此，需经过一段反向恢复时间，即释放这些载流子所需的时间。
当在时间t0时，二极管开始从导通状态转变为关断状态。由于二极管处于导电状态，少数载流子返回原来的区域或复合，寄生电容中积聚的电荷发生放电，电流减小至零，进一步变为负值。这种反向电流称为反向恢复电流。该电流的峰值为Irr。当电流达到这种峰值电流时，二极管的电压也变为零。此时，二极管处于非导通状态。少数载流子仍然存在。由于这些少数载流子无法返回到耗尽层之外，因此它们只能通过复合而消失。因此，峰值后的时间取决于寿命。
在FRD和HED中，通过将铂（Pt）等重金属嵌入漂移区，在施加反向偏压时产生晶体缺陷并捕获少数载流子，从而缩短反向恢复时间。
肖特基势垒二极管（SBD）是一种不使用少数载流子进行电流传输的单极器件，反向恢复时间几乎为零。硅肖特基势垒二极管（SBD）的绝缘强度最高可达60V，而作为宽禁带（WBG）半导体器件的碳化硅肖特基势垒二极管（SiC SBD）具有高介电击穿强度，其绝缘强度最高可达650V。
如今，对日益小型化和轻型化的电子元件的需求正在增长。解决方案之一就是提高电源的开关频率。这有助于减小变压器的尺寸。
因此，需降低它们的开关损耗，这使得提高二极管的反向恢复特性比以往任何时候都更加重要。
东芝提供适合此应用的650V碳化硅肖特基势垒二极管（SiC SBD）。
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关于反向恢复时间的信息请参考以下内容。
