如何计算偏置电阻内置晶体管（BRT）的允许功耗？

BRT的功耗是内部晶体管（Q）和内置偏置电阻（R₁和R₂）功耗的总和。

在这里，我们计算图1所示的BRT处于“导通”状态时的功耗。
假设BRT为RN1402（R₁＝R₂＝10kΩ），输入电压（V_I）为10V，集电极-发射极电压（V_CE）为0.2V，基极-发射极电压（V_be）为0.7V， 并且内部晶体管的工作电流增益（hFE）为10。

然后，IB、IR2、Ib和IC的计算如下：
    I_B＝（V_I–V_be）／R₁＝（10–0.7）／10＝0.93mA
    I_R2＝V_be／R₂＝0.7／10＝0.07mA
    I_b＝I_B–I_R2＝0.93–0.07＝0.86mA
    I_C＝I_b*h_FE＝0.86*10＝8.60mA

假设R₁和R₂的功耗分别为P_R1和P_R2，晶体管的集电极-发射极和基极-发射极的功耗分别为P_CE和P_be。
    R₁：P_R1＝（ V_I–V_be）* I_R1＝（ 10–0.7）*0.93＝8.65mW
    R₂：P_R2＝V_be * I_R2＝0.7*0.007＝0.05mW
    V_CE：P_CE＝V_CE*I_C＝0.2*8.6＝1.72mW
    V_be：P_be＝V_be*I_b＝0.7*0.86＝0.60mW

因此，BRT的功耗（P）计算如下：
    P＝P_R1＋P_R2＋P_CE＋P_be＝11.02mW