BRT的功耗是内部晶体管(Q)和内置偏置电阻(R1和R2)功耗的总和。
在这里,我们计算图1所示的BRT处于“导通”状态时的功耗。
假设BRT为RN1402(R1=R2=10kΩ),输入电压(VI)为10V,集电极-发射极电压(VCE)为0.2V,基极-发射极电压(Vbe)为0.7V, 并且内部晶体管的工作电流增益(hFE)为10。
然后,IB、IR2、Ib和IC的计算如下:
IB=(VI–Vbe)/R1=(10–0.7)/10=0.93mA
IR2=Vbe/R2=0.7/10=0.07mA
Ib=IB–IR2=0.93–0.07=0.86mA
IC=Ib*hFE=0.86*10=8.60mA
假设R1和R2的功耗分别为PR1和PR2,晶体管的集电极-发射极和基极-发射极的功耗分别为PCE和Pbe。
R1:PR1=( VI–Vbe)* IR1=( 10–0.7)*0.93=8.65mW
R2:PR2=Vbe * IR2=0.7*0.007=0.05mW
VCE:PCE=VCE*IC=0.2*8.6=1.72mW
Vbe:Pbe=Vbe*Ib=0.7*0.86=0.60mW
因此,BRT的功耗(P)计算如下:
P=PR1+PR2+PCE+Pbe=11.02mW