如何选择偏置电阻内置晶体管（BRT）？

偏置电阻内置晶体管（BRT）通常用作开关。因此，假设将BRT用作开关。
作为开关，当控制信号为正逻辑时，使用NPN晶体管；当控制信号为负逻辑时，使用PNP晶体管。BRT的注意事项包括：

1. 控制信号的逻辑极性（NPN／PNP）
2. 通过控制信号（V_I(ON)和V_I(OFF)电压），顺利地打开和关闭晶体管。
3. 晶体管导通时获得必要的电压（即降低“导通”状态下集电极-发射极电压降）
4. 缩短导通或关断时间（即提高开关速度）

下面使用图1所示的带有NPN BRT的基本电路来解释这些注意事项。BRT包含在虚线框中。V_I是一个控制信号，V_CC是电源，R_L是负载，包括上拉电阻。

1.晶体管的极性（NPN／PNP）

根据前级电路的逻辑，选择一个NPN或PNP BRT。如果前级电路的输出可以呈现高阻态，并且在处于高阻态时被下拉至GND电平，请使用NPN BRT。如果前级电路的输出上拉至V_CC电平，请使用PNP BRT。当前级电路的输出处于高阻态时，BRT可能会在上拉电阻和内置偏置电阻器之间的中点电位下发生故障。
当前级电路既没有上拉电阻也没有下拉电阻时，可以同时使用PNP和NPN BRT。在这种情况下，请根据以下电路的规格选择PNP或NPN BRT。
（例如，如果以下电路在初始状态下需要逻辑高电平，则选择一个NPN晶体管；如果在逻辑状态下需要逻辑低电平，则选择一个PNP晶体管。）请勿如图3所示那样并联多个NPN和PNP BRT，因为其内置偏置电阻之间的中点电位会引发误故障。

2.通过控制信号（V_I(ON)和V_I(OFF)电压），顺利地打开和关闭晶体管。

将导通信号的电压设为高于最大V_I(ON)电压，将关断信号的电压设为低于最小V_I(OFF)电压。请注意，V_I(ON)和V_I(OFF)特性是在25°C时指定的。 根据使用环境预留足够的设计余量。
请参阅以下常见问题（FAQ）。

常见问题：偏置电阻内置晶体管（BRT）的导通电压和关断电压分别是多少？

3.晶体管导通时获得必要的电压（即降低“导通”状态下集电极-发射极电压降）

当NPN双极晶体管在饱和区导通时，由于外部电阻（R_L）和集电极电流（I_C），集电极电压降至GND电平。但是，实际上，集电极和GND（发射极）电位之间有一个称为V_CE(sat)的电压电平。可通过增加基极电流（I_B）来降低V_CE(sat)。
I_b等式表明可通过使用BRT来增加I_b：
I_b＝I_B–I_R2 =（V_I–V_be ）／R₁–V_be／R₂
1.R₁小值
2.R₂大值　
这并不意味着电阻比（R₁／R₂）较小的BRT，而是R₁值较小的BRT。这种BRT在特定输入电压（V_I）下会向基极传输更大的电流。
有关输入电压的详情，请参阅以下常见问题（FAQ）。

常见问题：当偏置电阻内置晶体管（BRT）导通时获得必要的电压（即降低“导通”状态下集电极-发射极电压降）

4.缩短导通或关断时间（即提高开关速度）

选择BRT时，请注意以下几点。请参阅以下常见问题（FAQ）。

常见问题：如何提高偏置电阻内置晶体管（BRT）的开关速度？

a）切勿使BRT超过必要深度的饱和电平。
    当BRT导通时，I_b受R₁和R₂限制。通过限制I_b来控制饱和电平。因此，为提高开关速度，请选择R1值较大且R₂值较小的BRT。
b）减小去除过多载流子的通路阻抗。
    选择R₂值较小的BRT，因为主要是通过R₂去除了过多的载流子，尽管载流子去除通路会根据前级电路的配置而略微变化。