采用有助于提高电源效率的新工艺80V N沟道功率MOSFET的产品线扩展：TPH2R408QM，TPH4R008QM，TPN8R408QM，TPN12008QM
产品新闻2020年7月
东芝电子元件及存储装置株式会社（简称“东芝”）的新工艺80V N沟道功率MOSFET“U-MOSX-H系列”产品线中新增了四位“新成员”，该系列产品专门用于工业设备的开关式电源。其中，“TPH2R408QM”和“TPH4R008QM”采用SOP Advance(N)[1]贴片式封装技术实现焊盘图案的工业兼容性；“TPN8R408QM”和“TPN12008QM”采用TSON Advance封装技术。
通过采用最新工艺的U-MOSX-H制程和一种低压沟槽结构，这几款新产品具有行业领先的[2]低漏源导通电阻。同时，通过优化器件结构，还提高了导通电阻与输出电荷之间的互商性[3]，从而可减少导通损耗并有助于降低设备能耗。此外，这几款新产品沿袭了现有工艺U-MOSVIII-H的低栅极开关电荷特性，因此降低了“漏源导通电阻与栅极开关电荷的乘积”[4]，该值为开关应用领域的一个品质因数。
注：
[1] SOP Advance(N)：4.90×6.10mm（典型值）封装技术可实现焊盘图案的工业兼容性，优于SOP Advance。
[2] 截止2020年6月，在额定值相同的产品中。东芝调研。
[3] 相较于TPH4R008NH（U-MOSVIII-H系列），TPH2R408QM的“典型漏源导通电阻与典型输出电荷的乘积”约提高了31%。
[4] 相较于TPH4R008NH（U-MOSVIII-H系列），TPH2R408QM的“典型漏源导通电阻与典型栅极开关电荷的乘积”约降低了10%。
特性
- 行业最低水平的[2]导通电阻：
RDS(ON)＝2.43mΩ（最大值）@VGS＝10V（TPH2R408QM）
RDS(ON)＝4mΩ（最大值）@VGS＝10V（TPH4R008QM）
RDS(ON)＝8.4mΩ（最大值）@VGS＝10V（TPN8R408QM）
RDS(ON)＝12.3mΩ（最大值）@VGS＝10V（TPN12008QM） - 低输出电荷、低栅极开关电荷
- 低栅极电压驱动（6V驱动）
应用
- 工业设备的开关电源
（高效AC-DC逆变器，高效DC-DC逆变器等） - 电机控制设备（电机驱动器等）
产品规格
（除非另作说明，@Ta＝25°C）
| 器件型号 | 绝对最大额定值 | 漏源导通电阻 RDS(ON) 最大值 （mΩ） |
栅极总电荷 Qg 典型值 （nC） |
栅极开关电荷 QSW 典型值 （nC） |
输出电荷 Qoss 典型值 （nC） |
输入电容 （pF） |
封装 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源电压 VDSS （V） |
漏极电流 （DC） ID （A） |
||||||||
| @Tc= 25 °C |
@VGS= 10 V |
@VGS= 6 V |
|||||||
| TPH2R408QM | 80 | 120 | 2.43 | 3.5 | 87 | 28 | 90 | 5870 | SOP Advance(N) [1] |
| TPH4R008QM | 86 | 4 | 5.6 | 57 | 18 | 60 | 3750 | ||
| TPN8R408QM | 32 | 8.4 | 12.4 | 28 | 8.4 | 29.9 | 1750 | TSON Advance | |
| TPN12008QM | 26 | 12.3 | 17.7 | 22 | 6.5 | 21.1 | 1280 | ||
内部电路
应用电路示例
注：本文所示应用电路仅供参考。
需要进行全面评估，特别是在量产设计阶段。
提供这些应用电路实例并不授予任何工业产权许可。
本文档中的产品价格和规格、服务内容和联系方式等信息，在公告之日仍为最新信息，如有变更，恕不另行通知。