如何提高偏置电阻内置晶体管（BRT）的开关速度？

双极晶体管的开关速度定义如图1所示。
BRT导通需经过上升时间（t_r），而BRT关断则需经过存储时间（t_stg）和下降时间（t_f）的总和。表1显示了这些BRT特性的测量结果示例。
在V_CC=5V条件下测量，将输入电压从0V切换至5V，反之亦然。负载电阻为1kΩ。

BRT主要用作开关，在导通状态下处于饱和区。因此，存储时间（t_stg；即从基极去除少数载流子所需的时间）占开关时间的主要部分。
缩短t_stg有两个注意事项：

a）快速去除多余载流子
尽管载流子去除路径略有不同，但主要通过R₂去除积聚在基极中的多余载流子，具体取决于前级电路的配置。（如果前级电路的输出在低电平时具有低阻抗，则也可通过R₁去除多余载流子）。因此，R₂值较低的BRT适用于提高开关速度。

b）尽量避免多余载流子积聚。
这意味着BRT导通时，其饱和深度会降低。为尽量避免多余载流子积聚，必须减小施加至内部晶体管基极的电流（I_b）。可通过以下方法实现此目的：1）降低BRT的输入电流（I_B）；及2）降低内部晶体管的基极电流（即增加流向R₂的电流）。因此，具有大R₁值和大电阻比（R₁/R₂）的BRT比较适合。但请注意一点，尽量避免多余载流子积聚可能会降低饱和深度，从而导致V_CE(sat)增大。