在功率MOSFET的漏极与源极之间施加反向电压时有哪些注意事项？

功率MOSFET在源极与漏极之间具有相当于一个二极管的电路结构。
当在功率MOSFET的漏极与源极之间施加反向电压时，电流将在该体二极管中流动，如下图所示。
指定了反向漏极电流I_DR（直流）和反向漏极电流（脉冲）I_DRP的MOSFET（硅型）不得发送超过绝对最大额定值的I_DR和I_DRP的电流。
有必要考虑流过体二极管的电流所导致的升温。
上升的温度不超过绝对最大额定值的结温Tch。
请考虑温度降额，并确认实际设备无任何问题。
对于未指定反向漏极电流I_DR（直流）和反向漏极电流（脉冲）I_DRP的MOSFET（硅型），请联系您当地的东芝销售代表。