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有助于减少开关电源的损耗
随着先进信息社会的到来，人们每天要处理的信息量急剧增加，数据中心和信息通信设备耗电量的增加已成为全球性的问题。因此，近年来市场对于数据中心和信息通信设备电源开关的高效性需求不断增长。东芝电子元件及存储装置株式会社特此开发了适用于提高电源开关效率的功率MOSFET。
采用最新一代工艺制造而成的80V U-MOSX-H系列产品不仅降低了导通电阻（RDS(ON)）， 还改进了导通电阻与栅极电荷的乘积（RDS(ON)×Qg）*、导通电阻与栅极开关电荷的乘积（RDS(ON)×QSW）*，以及导通电阻与输出电荷的乘积（RDS(ON)×Qoss）*，这些都是开关电源等开关应用中的关键品质因数，可作为与上一代工艺“U-MOSVIII-H”制造而成的相同电压产品进行比较的指标。采用U-MOSX-H可以降低系统的功耗。
* 通过以折衷关系计算导通电阻和电荷量特性的乘积来比较适用于开关应用的指标。该值越小，性能越好。
特性
主要特性
下表显示了配备SOP Advance封装的U-MOSX-H系列和U-MOSVIII-H系列典型产品的主要特性。U-MOSX-H系列采用最新的工艺技术，可显著降低漏源导通电阻。U-MOSX-H系列产品通过减少安装元件的数量，降低了因导通电阻引起的设备损耗并且缩小了电路板面积。
U-MOSX-H系列和U-MOSVIII-H系列产品关键特性
|
特性 |
U-MOSX-H系列 |
U-MOSVIII-H系列 |
|
|---|---|---|---|---|
绝对最大额定值 |
漏源电压 VDSS（V） |
80 |
80 |
|
结温 Tch（℃） |
175 |
150 |
||
电气特性 |
栅极阈值电压 Vth（V） |
＠VDS＝10V，ID＝1.0mA | 2.5至3.5 |
2.0至4.0 |
漏源导通电阻 RDS(ON)典型值（mΩ） |
＠VGS＝10V |
1.9 |
3.3 |
|
总栅极电荷 Qg典型值（nC） |
87 |
59 |
||
栅极开关电荷 QSW典型值（nC） |
28 |
18 |
||
输出电荷 Qoss典型值（C） |
90 |
77 |
||
输入电容 Ciss典型值（pF） |
5870 |
4100 |
||
开关品质因数
U-MOSX-H 系列采用最新的细间距技术优化了单元结构，显著改进了（降低了）RDS(ON)×Qg, RDS(ON)×QSW 和 RDS(ON)×QOSS，即MOSFET的关键性能指标。下图对U-MOSX-H和U-MOSVIII-H系列的性能指标进行了比较。这些性能指标的改进降低了主要损耗，包括导通损耗、驱动损耗、开关损耗和输出电荷损耗等，并且有助于提高电源设备的效率和降低器件温度。
RDS(ON)：导通电阻（导通损耗的品质因数）
Qg：栅极电荷（驱动损耗的品质因数）
QSW ：栅极开关电荷（开关损耗的品质因数）
QOSS：输出电荷（输出电荷损耗的品质因数）
推荐产品列表
器件型号 |
TPH2R408QM |
TPN19008QM |
||
|---|---|---|---|---|
数据表 |
||||
封装 （宽×长×高mm） |
SOP Advance（N）  |
TSON Advance
|
||
绝对最大额定值 |
漏源电压 VDSS（V） |
80 |
80 |
|
结温 Tch（℃） |
175 |
175 |
||
电气特性 |
栅极阈值电压 Vth（V） |
＠VDS＝10V，ID＝1.0mA |
2.5至3.5 |
2.5至3.5 |
漏源导通电阻 RDS(ON)典型值（mΩ） |
＠VGS＝10V |
1.9 |
14.7 |
|
总栅极电荷 Qg典型值（nC） |
87 |
16 |
||
栅极开关电荷 QSW典型值（nC） |
28 |
5.5 |
||
输出电荷 Qoss典型值（nC） |
90 |
16.5 |
||
输入电容 Ciss典型值（pF） |
5870 |
1020 |
||
