东芝面向工业应用推出拥有业界最低导通电阻的100V N沟道功率MOSFET
2017年12月18日
东芝公司
扩大低电压U-MOS IX-H功率MOSFET系列的产品阵容
东京—东芝电子元件及存储装置株式会社今日启动“TPH3R70APL”和“TPN1200APL”的产品出货，这两款产品是该公司低电压U-MOS IX-H N沟道功率MOSFET系列的最新100V产品。这些新器件适用于工业设备的电源应用。
TPH3R70APL和TPN1200APL采用该公司最先进的低电压U-MOS IX-H沟道工艺制造，对元件结构进行了优化，具备业界最低的导通电阻[1]。此外，与使用U-MOS VIII-H工艺的现有器件相比，这些新器件拥有更低的“RDS（ON） × Qoss”（导通电阻×输出电荷）和“RDS（ON）× QSW”（导通电阻×栅极开关电荷），它们是面向开关应用的MOSFET的关键品质因数[2]。
为了顺应市场趋势，东芝电子元件及存储装置株式会社将继续扩大其MOSFET产品阵容，以帮助提高电源效率。
应用场合
- 工业设备电源
- 电机控制设备
特点
- 业界最低导通电阻[1]
RDS（ON）=3.7mΩ（最大值）@ VGS=10V（TPH3R70APL）
RDS（ON）=11.5mΩ（最大值）@ VGS=10V（TPN1200APL） - 低输出电荷和低栅极开关电荷
- 支持4.5V逻辑电平驱动
主要规格
（除非另作说明，Ta=25℃）
| 产品型号 | 绝对 最大额定值 |
漏源极
导通电阻 RDS（ON）最大值 （mΩ） |
总
栅极 电荷 Qg典型值 （nC） |
栅极开关电荷 Qsw典型值 （nC） |
输出
电荷 Qoss典型值 （nC） |
输入
电容 Ciss典型值 （pF） |
封装 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
漏
源极 电压VDSS（V） |
漏极
电流（DC） ID @Tc=25℃ （A） |
@VGS=10V | @VGS=4.5V | ||||||
| TPH3R70APL | 100 | 90 | 3.7 | 6.2 | 67 | 21 | 74 | 4850 | SOP Advance |
| TPN1200APL | 40 | 11.5 | 20 | 24 | 7.5 | 24 | 1425 | TSON Advance | |
注：
[1]截至2017年12月18日，针对具备等效额定值的MOSFET。东芝电子元件及存储装置株式会社调查。
[2]TPH3R70APL的RDS（ON） × Qoss值比U-MOS VIII-H系列TPH4R10ANL低10%。
TPH3R70APL的RDS（ON） × QSW值比U-MOS VIII-H系列TPH4R10ANL低10%。
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功率器件销售&市场部门
电话：+81-3-3457-3933
中国地区
分立器件市场部（Discrete Marketing）
上海：021-6139-3888 / 深圳：0755-2399-6897
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