IGBT的工作原理是什么？

IGBT的等效电路如下图所示。当栅极-发射极（G-E）和集电极-发射极（C-E）通路均发生正偏置时，N沟道MOSFET导通，导致漏极电流流动。该漏极电流也流向Q_PNP的基极并导致IGBT导通。由于Q_PNP的直流电流增益（α）非常小，因此几乎整个发射极电流（I_E(pnp)）都作为基极电流（I_B(pnp)）流动。但部分I_E(pnp)会作为集电极电流（I_C(pnp)）流动。I_C(pnp)无法开启Q_NPN，因为它绕过了Q_NPN基极和发射极之间插入的R_BE。

因此，IGBT的几乎所有集电极电流都通过Q_PNP的发射极-基极通路作为N沟道MOSFET的漏极电流流动。此时，空穴从Q_PNP的发射极注入到N通道MOSFET的高电阻漂移层。这导致漂移层的电阻率（R_d(MOS）大大降低，从而降低了导通期间的导通电阻。这种现象称为电导率调制。

关闭栅极（G）信号会导致N沟道MOSFET关断，从而导致IGBT关断。