具有业内小型封装、用于移动和消费应用的N通道MOSFET驱动器IC：TCK401G、TCK402G
产品新闻2017年11月
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“TCK401G”（高电平有效[1]）和“TCK402G”（低电平有效[2]）属于N通道MOSFET驱动器，它们支持的输入电压高达28V，所以适用于快速充电和其它要求高电流供应的应用。
全新的TCK401G和TCK402G具有各种内置功能，包括过电压保护、浪涌电流降低和自动输出放电，但是仍然采用业内领先的[3]小型WCSP6E封装，其尺寸规格为0.8 × 1.2 × 0.55mm（典型值）。
采用具有外部N通道MOSFET的全新驱动器，可实现高效电源电路，因为该N通道MOSFET具有适用于目标应用的最大额定电压和导通电阻。例如，SSM6K513NU结合采用了全新的MOSFET驱动器和低导通电阻MOSFET，适用于移动和消费类应用，因为它可以在很小的空间内置100W级别的电源电路。
注：
[1]当模式控制输入端为高电平时，外部MOSFET被打开。当模式控制输入端为低电平时，外部MOSFET被关闭。
[2]当模式控制输入端为低电平时，外部MOSFET被打开。当模式控制输入端为高电平时，外部MOSFET被关闭。
[3]作为N通道MOSFET驱动器IC，截止于2017年9月东芝电子元件及存储装置株式会社的调查。
特点
- 高输入工作电压：VIN_opr=2.7~28V
- 小型WCSP6E封装：0.8 × 1.2mm，t=0.55mm（典型值）
- 过电压保护、浪涌电流降低、自动输出放电
应用
- 移动设备（智能手机和平板电脑等）
- 消费类产品（便携式游戏机等）
产品规格
（@Ta=25°C）
| 器件型号 | 封装 | 绝对最大额定值 | 输入工作电压 VIN_opr （V） |
输入静态电流 IQ（ON）典型值 @VIN=5V （μA） |
栅极驱动电压 VGS典型值（V） |
VGATE 接通时间 tON典型值[4] @VIN=5V， VGATE=6V， CGATE= 2000pF （ms） |
VGATE 断开时间 tOFF典型值[4] @VIN=5V， VGATE=0.5V， CGATE= 2000pF （μs） |
||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 名称 | 尺寸典型值 （mm） |
输入电压 VIN （V） |
@VIN =3V |
@VIN =5V |
@VIN =9V |
@12V ≤VIN ≤28V |
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| TCK401G （高电平有效） |
WCSP6E | 0.8 x 1.2、 t=0.55 |
40 | 2.7~28 | 121 | 4.0 | 6.5 | 6.5 | 8.5 | 0.58 | 16.6 |
| TCK402G （低电平有效） |
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注：
[4]VGATE从VCT=1／2VIH.时开始直至达到规定值所需要的时间。
引脚分布
应用电路示例
本文所示应用电路仅供参考。需要进行全面评估，特别是在量产设计阶段。东芝电子元件及存储装置株式会社提供这些应用电路实例并不表示提供了任何的工业产权许可。
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