偏置电阻内置晶体管（BRT）的基极可施加的最大电压是多少？（内置电阻的允许功耗是多少瓦？）

对于典型应用（输入电压（V_I）低于10V），您无需考虑最大允许基极电压，但是当V_I高于10V时，则需格外小心。
最大输入电压（VI）主要取决于以下因素：
1.串联基极电阻（R₁）的值（即R₁的功耗）
2.最大集电极电流（I_C）
最大输入电压因BRT（例如，hFE）使用条件的不同而有所变化，但是如果R₁值较小，则该电压通常取决于集电极电流；如果R₁值较大，则取决于R₁的值。

1. 串联基极电阻（R₁）的值与输入电压（V_I）之间的关系
BRT的内置电阻的允许功耗为1/8W。假设处于“导通”状态的内部晶体管的基极-发射极电压为V_be。然后，流过R₁（I_B）的电流用以下等式表示。为简单起见，设V_be ＝0.7V。
I_B＝（V_I – V_be ）／R₁ =（V_I – 0.7）／R₁
由于IB而引起的R1的功耗不得超过1/8W。因此：
    1/8 W > R₁ * { ( V_I – 0.7 ) / R₁ }^2
              > ( V_I – 0.7 ) ^2 / R₁    
    V_I < √( R₁ / 8 ) + 0.7

2. 最大集电极电流（I_C(最大值)）和输入电压（V_I）之间的关系The 将最大集电极电流（IC(最大值)）规定为绝对最大额定值，即使瞬时也不得超过该最大额定值。
由于BRT在饱和区工作，因此其hFE在10-20的范围内。可通过从上面计算的I_B值减去流至R₂（I_R2）的电流来计算流至内部晶体管（I_b）的基极（b）电流：
    I_b = I_B – I_R2 = ( V_I – V_be ) / R₁ – V_be / R₂ = ( V_I – 0.7 ) / R₁ – 0.7 / R₂
由于集电极电流（I_C）等于Ib乘以hFE，因此必须满足以下等式：
    I_C (max) > I_C = h_FE * I_B = h_FE * {( V_I – 0.7 ) / R₁ – 0.7 / R₂ }
    V_I < R₁ * I_C(max) / h_FE +( R₁ + R₂ ) * 0.7 / R₂
根据上述两个因素计算得出的VI值中的较小者即为最大允许基极电压。
1. 串联基极电阻值（R₁）
    V_I < √( R₁ / 8 ) + 0.7
2. 最大集电极电流(I_C(最大值))
    V_I < R₁ * I_C (max) / h_FE +( R₁ + R₂ ) * 0.7 / R₂
图2和图3显示了在不同电阻值条件下输入电压与集电极电流之间的关系。
尽管最大输入电压及其限制因素取决于BRT的hFE（I_C／I_B），但以下为正确情况：

• 当R₁值较小时：最大输入电压取决于数据表中规定的绝对最大集电极电流。
• 当R₁值较大时：最大输入电压取决于R₁的功耗。