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About information presented in this cross reference

The information presented in this cross reference is based on TOSHIBA's selection criteria and should be treated as a suggestion only. Please carefully review the latest versions of all relevant information on the TOSHIBA products, including without limitation data sheets and validate all operating parameters of the TOSHIBA products to ensure that the suggested TOSHIBA products are truly compatible with your design and application.
Please note that this cross reference is based on TOSHIBA's estimate of compatibility with other manufacturers' products, based on other manufacturers' published data, at the time the data was collected.
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射频器件

点击产品目录,您可以查看射频器件的器件命名规则。

射频二极管(EIAJ注册产品)

射频二极管(EIAJ注册产品)举例
射频二极管(EIAJ注册产品)举例

1. 从端子总数中减去1的值

2. S代表半导体

3. 二极管的类型
这个部分显示所用二极管的类型。
(在某些情况下省略。)

  • S:通用二极管、检测用二极管、频率转换用二极管和开关用二极管
  • V:可变电容二极管,PIN二极管
  • Z:齐纳二极管

4. 序列号
EIAJ注册号码

射频二极管(EIAJ未注册产品)

射频二极管(EIAJ未注册产品)举例
射频二极管(EIAJ未注册产品)举例

1. JD表示高频二极管

2. 器件的类型
这个部分显示所用器件的类型。
按加载的器件将其分类为H、P、S和V。

  • H:肖特基二极管
  • P:PIN二极管
  • S:频带开关二极管
  • V:可变电容二极管

3. 端子数

4. 内部连接
这个部分显示产品的内部连接类型。

  • S:单个
  • C:公共阴极
  • P:并联

5. 序列号

6. 封装类型

(无标记) S-MINI
U USC,USQ
T TESC,TESQ
E ESC
S sESC
FS fSC
CT CST3,CST4
SC SC2
FV VESM

射频晶体管(EIAJ注册产品)

射频晶体管(EIAJ注册产品)举例
射频晶体管(EIAJ注册产品)举例

1. 从端子总数中减去1的值

2. S代表半导体

3. 电路的类型
这个部分显示产品电路的类型。
按产品的电路将其分为A至K型。

  • A:高频PNP结构的晶体管
  • B:低频PNP结构的晶体管
  • C:高频NPN结构的晶体管
  • D:低频NPN结构的晶体管
  • J:效应晶体管的晶体管(FET)
  • K:N沟道场效应晶体管(FET)

4. 序列号
EIAJ注册号码

5. 更改
附加符号,显示某些更改。

射频晶体管(微波晶体管)

射频晶体管(微波晶体管)举例
射频晶体管(微波晶体管)举例

1. MT代表东芝微波晶体管

2. 端子数

3. 内部连接
这个部分显示产品的内部连接类型。

  • S:单个
  • C:级联布置
  • P:并联布置
  • L:横向布置

4. 序列号

5. 更改
附加符号,显示某些更改

6. 封装类型
这个部分显示封装类型。

(无标记) S-MINI,SMQ
U USM,USQ, US6
S SSM,sES6
T TESM,TU6,TESQ
E ES6
FS fSM, fS6
CT CST3

射频功率晶体管(EIAJ注册产品)

射频功率晶体管(EIAJ注册产品)举例
射频功率晶体管(EIAJ注册产品)举例

1. 从端子总数中减去1的值

2. S代表半导体

3. 电路的类型
这个部分显示产品电路的类型。
按所用电路将其分为A至K型。

  • A:高频PNP结构的晶体管
  • B:低频PNP结构的晶体管
  • C:高频NPN结构的晶体管
  • D:低频NPN结构的晶体管
  • J:P沟道场效应晶体管(FET)
  • K:N沟道场效应晶体管(FET)

4. 序列号
EIAJ注册号码

5. 更改
附加符号,显示某些更改。

射频功率晶体管(RF-MOSFET)

射频功率晶体管(RF-MOSFET)举例
射频功率晶体管(RF-MOSFET)举例

1. RFM代表东芝RF-MOSFET。

2. 这个部分显示产品的输出功率(W)。

  • 00:0.03W
  • 07:7.0W
  • 12:11.5W

3. 这个部分显示产品的工作频率(MHz)。

  • U:400至520MHz
  • M:700至950MHz

4. 这个部分显示产品的工作电压(V)。

  • 4:4.5V
  • 7:7.2V

5. 其它信息

6. 封装类型
这个部分显示封装类型。

  • U:USQ
  • M:PW-MINI
  • X:PW-X

射频功率模块

射频功率模块举例
射频功率模块举例

1. S-A是指东芝射频功率模块

2. 频带

  • U:UHF
  • V:VHF

3. 序列号

4. 更改
附加符号,显示某些更改。

5. 频带细分
数值关系如下。
VL < L < M < H < VH < SH

射频用电池组

射频用电池组举例
射频用电池组举例

1. 材料,应用
这个部分显示材料和应用。
详情见下表。

1 材料 应用
TA40 Si 晶体振荡器
UHF宽带放大器
VHF-UHF宽带放大器
VHF(宽)射频放大器
有线调制解调器
TA41 VHF-UHF放大器MIX
VHF-UHF DBM
1.9GHz U/C MIX
1GHz频带D/C IC
TA43 BS/CS D/C IC
TG20 GaAs 用于PHS的功率放大器(个人手持电话系统)
TG22 PHS SPDT开关
通用SPDT开关
ATT

2. 序列号

3. 封装类型

  • FU:USV
  • F/AF:SMQ/SMV/SM6/SM8/SSOP20
  • FE:ESV/ES6
  • FT:TU6
  • FC:CS6
  • S:sES6
  • TU:UF6
  • CTB:CST6B
  • CT:CST20

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