射频器件

1. 从端子总数中减去1的值

2. S代表半导体

3. 二极管的类型
这个部分显示所用二极管的类型。
（在某些情况下省略。）

• S：通用二极管、检测用二极管、频率转换用二极管和开关用二极管
• V：可变电容二极管，PIN二极管
• Z：齐纳二极管

4. 序列号
EIAJ注册号码

1. JD表示高频二极管

2. 器件的类型
这个部分显示所用器件的类型。
按加载的器件将其分类为H、P、S和V。

• H：肖特基二极管
• P：PIN二极管
• S：频带开关二极管
• V：可变电容二极管

3. 端子数

4. 内部连接
这个部分显示产品的内部连接类型。

• S：单个
• C：公共阴极
• P：并联

5. 序列号

6. 封装类型

1. 从端子总数中减去1的值

2. S代表半导体

3. 电路的类型
这个部分显示产品电路的类型。
按产品的电路将其分为A至K型。

• A：高频PNP结构的晶体管
• B：低频PNP结构的晶体管
• C：高频NPN结构的晶体管
• D：低频NPN结构的晶体管
• J：效应晶体管的晶体管（FET）
• K：N沟道场效应晶体管（FET）

4. 序列号
EIAJ注册号码

5. 更改
附加符号，显示某些更改。

1. MT代表东芝微波晶体管

2. 端子数

3. 内部连接
这个部分显示产品的内部连接类型。

• S：单个
• C：级联布置
• P：并联布置
• L：横向布置

4. 序列号

5. 更改
附加符号，显示某些更改

6. 封装类型
这个部分显示封装类型。

1. 从端子总数中减去1的值

2. S代表半导体

3. 电路的类型
这个部分显示产品电路的类型。
按所用电路将其分为A至K型。

• A：高频PNP结构的晶体管
• B：低频PNP结构的晶体管
• C：高频NPN结构的晶体管
• D：低频NPN结构的晶体管
• J：P沟道场效应晶体管（FET）
• K：N沟道场效应晶体管（FET）

4. 序列号
EIAJ注册号码

5. 更改
附加符号，显示某些更改。

1. RFM代表东芝RF-MOSFET。

2. 这个部分显示产品的输出功率（W）。

• 00：0.03W
• 07：7.0W
• 12：11.5W

3. 这个部分显示产品的工作频率（MHz）。

• U：400至520MHz
• M：700至950MHz

4. 这个部分显示产品的工作电压（V）。

• 4：4.5V
• 7：7.2V

5. 其它信息

6. 封装类型
这个部分显示封装类型。

• U：USQ
• M：PW-MINI
• X：PW-X

1. S-A是指东芝射频功率模块

2. 频带

• U：UHF
• V：VHF

3. 序列号

4. 更改
附加符号，显示某些更改。

5. 频带细分
数值关系如下。
VL < L < M < H < VH < SH

1. 材料，应用
这个部分显示材料和应用。
详情见下表。

2. 序列号

3. 封装类型

• FU：USV
• F／AF：SMQ／SMV／SM6／SM8／SSOP20
• FE：ESV／ES6
• FT：TU6
• FC：CS6
• S：sES6
• TU：UF6
• CTB：CST6B
• CT：CST20