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东芝推出面向更高效工业设备的第三代SiC MOSFET

-该系列产品包含1200V和650V两种规格-

2022年8月30日

东芝电子元件及存储装置株式会社

中国上海——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出新款功率器件——第三代碳化硅（SiC）MOSFET^[1][2]“TWxxNxxxC系列”。该系列具有低导通电阻，可显著降低开关损耗。该系列10款产品包括5款1200V产品和5款650V产品，已于今日开始出货。

新产品的单位面积导通电阻（R_DS(ON)A）下降了大约43%^[3]，从而使“漏源导通电阻×栅漏电荷（R_DS(ON)×Q_gd）”降低了大约80%^[4]，这是体现导通损耗与开关损耗间关系的重要指标。这样可以将开关损耗减少大约20%^[5]，同时降低导通电阻和开关损耗。因此，新产品有助于提高设备效率。

东芝将进一步壮大其功率器件产品线，强化生产设施，并通过提供易于使用的高性能功率器件，努力实现碳中和经济。

注：
[1] 通过采用为第二代SiC MOSFET开发的内置肖特基势垒二极管的架构，东芝开发出一种可降低单位面积导通电阻（R_DS(ON)A），同时降低JFET区域反馈电容的器件架构。
[2] MOSFET：金属氧化物半导体场效应晶体管。
[3]当第二代SiC MOSFET的R_DS(ON)A被设为1时，与新款1200V SiC MOSFET比较。东芝调研。
[4]当第二代SiC MOSFET的R_DS(ON)*Q_gd被设为1时，与新款1200V SiC MOSFET比较。东芝调研。
[5]新款1200V SiC MOSFET和第二代SiC MOSFET比较。东芝调研。

应用

开关电源（服务器、数据中心、通信设备等）
电动汽车充电站
光伏变频器
不间断电源（UPS）

特性

单位面积导通电阻低（R_DS(ON)A）
低漏源导通电阻×栅漏电荷（R_DS(ON)×Q_gd）
低二极管正向电压：V_DSF＝-1.35V（典型值）@V_GS＝-5V

主要规格

（除非另有说明，Ta＝25℃）

器件型号	封装	绝对最大额定值			电气特性
		漏极-源极电压 V_DSS（V）	栅极-源极电压 V_GSS（V）	漏极电流（DC） I_D（A）	漏极-源极导通电阻 R_DS(ON) 典型值（mΩ）	栅极阈值电压 V_th（V）	总栅极电荷 Q_g 典型值（nC）	栅极-漏极电荷 Q_gd 典型值（nC）	输入电容 C_iss 典型值（pF）	二极管正向电压 V_DSF 典型值（V）
		漏极-源极电压 V_DSS（V）	栅极-源极电压 V_GSS（V）	@T_c＝25°C	@V_GS＝18V	@V_DS＝10V	总栅极电荷 Q_g 典型值（nC）	栅极-漏极电荷 Q_gd 典型值（nC）	@V_DS＝400V， f＝100kHz	@V_GS＝-5V
TW015N120C	TO-247	1200	-10至25	100	15	3.0至5.0	158	23	6000	-1.35
TW030N120C				60	30		82	13	2925
TW045N120C				40	45		57	8.9	1969
TW060N120C				36	60		46	7.8	1530
TW140N120C				20	140		24	4.2	691
TW015N65C		650		100	15		128	19	4850
TW027N65C				58	27		65	10	2288
TW048N65C				40	48		41	6.2	1362
TW083N65C				30	83		28	3.9	873
TW107N65C				20	107		21	2.3	600