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公司信息
2022年8月30日
东芝电子元件及存储装置株式会社
中国上海——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出新款功率器件——第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。该系列具有低导通电阻,可显著降低开关损耗。该系列10款产品包括5款1200V产品和5款650V产品,已于今日开始出货。
新产品的单位面积导通电阻(RDS(ON)A)下降了大约43%[3],从而使“漏源导通电阻×栅漏电荷(RDS(ON)×Qgd)”降低了大约80%[4],这是体现导通损耗与开关损耗间关系的重要指标。这样可以将开关损耗减少大约20%[5],同时降低导通电阻和开关损耗。因此,新产品有助于提高设备效率。
东芝将进一步壮大其功率器件产品线,强化生产设施,并通过提供易于使用的高性能功率器件,努力实现碳中和经济。
注:
[1] 通过采用为第二代SiC MOSFET开发的内置肖特基势垒二极管的架构,东芝开发出一种可降低单位面积导通电阻(RDS(ON)A),同时降低JFET区域反馈电容的器件架构。
[2] MOSFET:金属氧化物半导体场效应晶体管。
[3]当第二代SiC MOSFET的RDS(ON)A被设为1时,与新款1200V SiC MOSFET比较。东芝调研。
[4]当第二代SiC MOSFET的RDS(ON)*Qgd被设为1时,与新款1200V SiC MOSFET比较。东芝调研。
[5]新款1200V SiC MOSFET和第二代SiC MOSFET比较。东芝调研。
(除非另有说明,Ta=25℃)
器件型号 | 封装 | 绝对最大额定值 | 电气特性 | 库存查询与购买 | |||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
漏极-源极电压 |
栅极-源极电压 |
漏极电流(DC) |
漏极-源极导通电阻 |
栅极阈值电压 |
总栅极电荷 |
栅极-漏极电荷 |
输入电容 Ciss 典型值(pF) |
二极管正向电压 |
|||
@Tc=25°C | @VGS=18V | @VDS=10V | @VDS=400V, f=100kHz |
@VGS=-5V | |||||||
TW015N120C | TO-247 | 1200 | -10至25 | 100 | 15 | 3.0至5.0 | 158 | 23 | 6000 | -1.35 | |
TW030N120C | 60 | 30 | 82 | 13 | 2925 | ![]() |
|||||
TW045N120C | 40 | 45 | 57 | 8.9 | 1969 | ![]() |
|||||
TW060N120C | 36 | 60 | 46 | 7.8 | 1530 | ![]() |
|||||
TW140N120C | 20 | 140 | 24 | 4.2 | 691 | ![]() |
|||||
TW015N65C | 650 | 100 | 15 | 128 | 19 | 4850 | ![]() |
||||
TW027N65C | 58 | 27 | 65 | 10 | 2288 | ![]() |
|||||
TW048N65C | 40 | 48 | 41 | 6.2 | 1362 | ![]() |
|||||
TW083N65C | 30 | 83 | 28 | 3.9 | 873 | ![]() |
|||||
TW107N65C | 20 | 107 | 21 | 2.3 | 600 | ![]() |
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1200V产品
TW015N120C
TW030N120C
TW045N120C
TW060N120C
TW140N120C
650V产品
TW015N65C
TW027N65C
TW048N65C
TW083N65C
TW107N65C
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Power Device Sales & Marketing Dept.
电话:+81-44-548-2216
中国地区
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上海:021-6090-0610/深圳:0755-3661-5889
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