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东芝推出面向更高效工业设备的第三代SiC MOSFET

-该系列产品包含1200V和650V两种规格-

2022年8月30日

东芝电子元件及存储装置株式会社

东芝推出面向更高效工业设备的第3代SiC MOSFET

中国上海——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出新款功率器件——第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。该系列具有低导通电阻,可显著降低开关损耗。该系列10款产品包括5款1200V产品和5款650V产品,已于今日开始出货。

新产品的单位面积导通电阻(RDS(ON)A)下降了大约43%[3],从而使“漏源导通电阻×栅漏电荷(RDS(ON)×Qgd)”降低了大约80%[4],这是体现导通损耗与开关损耗间关系的重要指标。这样可以将开关损耗减少大约20%[5],同时降低导通电阻和开关损耗。因此,新产品有助于提高设备效率。

东芝将进一步壮大其功率器件产品线,强化生产设施,并通过提供易于使用的高性能功率器件,努力实现碳中和经济。

注:
[1] 通过采用为第二代SiC MOSFET开发的内置肖特基势垒二极管的架构,东芝开发出一种可降低单位面积导通电阻(RDS(ON)A),同时降低JFET区域反馈电容的器件架构。
[2] MOSFET:金属氧化物半导体场效应晶体管。
[3]当第二代SiC MOSFET的RDS(ON)A被设为1时,与新款1200V SiC MOSFET比较。东芝调研。
[4]当第二代SiC MOSFET的RDS(ON)*Qgd被设为1时,与新款1200V SiC MOSFET比较。东芝调研。
[5]新款1200V SiC MOSFET和第二代SiC MOSFET比较。东芝调研。

应用

  • 开关电源(服务器、数据中心、通信设备等)
  • 电动汽车充电站
  • 光伏变频器
  • 不间断电源(UPS)

特性

  • 单位面积导通电阻低(RDS(ON)A)
  • 低漏源导通电阻×栅漏电荷(RDS(ON)×Qgd
  • 低二极管正向电压:VDSF=-1.35V(典型值)@VGS=-5V

主要规格

(除非另有说明,Ta=25℃)

器件型号 封装 绝对最大额定值 电气特性 库存查询与购买

漏极-源极电压
VDSS(V)

栅极-源极电压
VGSS(V)

漏极电流(DC)
ID(A)

漏极-源极导通电阻
RDS(ON)
典型值(mΩ)

栅极阈值电压
Vth(V)

总栅极电荷
Qg
典型值(nC)

栅极-漏极电荷
Qgd
典型值(nC)

输入电容
Ciss
典型值(pF)

二极管正向电压
VDSF
典型值(V)

@Tc=25°C @VGS=18V @VDS=10V @VDS=400V,
f=100kHz
@VGS=-5V
TW015N120C TO-247 1200 -10至25 100 15 3.0至5.0 158 23 6000 -1.35

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客户问询:

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电话:+81-44-548-2216

中国地区
分立器件市场部(Discrete Marketing)
上海:021-6090-0610/深圳:0755-3661-5889

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*本文档中的产品价格和规格、服务内容和联系方式等信息,在公告之日仍为最新信息,但如有变更,恕不另行通知。

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