MOSFET性能改进：低RDS(ON)的解决方案
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针对MOSFET的最大问题，我们正采取以下对策：“如何有效利用元件面积以有效降低导通电阻”
（1）高电压：下一页将介绍通过先进的超结工艺降低Rdrift电阻。
（2）低电压：通过对沟槽结构的精细图形化可最大限度降低Rch电阻，采用薄晶片降低Rsub电阻。
第Ⅲ章：晶体管
晶体管的类型
双极晶体管（BJT）
内置偏置电阻型晶体管（BRT）
结型场效应晶体管（JFET）
金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）
BJT和MOSFET的差异
MOSFET的结构和工作原理
MOSFET性能改进：RDS(ON)的决定因素
MOSFET性能改进：超级结MOSFET（SJ-MOS）
按结构分类的MOSFET特性摘要
MOSFET的性能：漏极电流和功耗
MOSFET的性能：雪崩能力
MOSFET的性能：电容的特性
MOSFET的性能：安全工作区域（或安全操作区域）
绝缘栅双极晶体管（IGBT）
绝缘栅双极晶体管（IGBT）的工作原理
IGBT的性能改进：垂直设计的发展
什么是RC-IGBT和IEGT?
IGBT的应用
IGBT和MOSFET的正向特性比较
晶体管的结构比较
MOSFET的数据表：最大额定值
MOSFET的数据表：电气特性
MOSFET的数据表：电容和开关特性
MOSFET的数据表：体二极管
相关信息
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