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采用TO-220-2L封装的第二代SiC SBD产品的扩大阵容:TRS2E65F、TRS3E65F

产品新闻2017年11月

The package photograph of expanded lineup of the second generation of SiC SBD products with a TO-220-2L package: TRS2E65F, TRS3E65F.

“TRS2E65F”和“TRS3E65F”是第二代650V碳化硅肖特基二极管(SiC SBD)。其正向直流电流额定值为2A或3A的新产品扩大了采用TO-220-2L封装的产品阵容。
第二代产品的绝对最大额定正向浪涌电流(IFSM)约为第一代产品的1.7倍,所以降低了发生损坏的可能性,而且因为其品质因数(VF·QC[1])下降导致功耗下降,约为第一代产品的2/3。它们将有助于减小电源大小和提高效率。

注:[1]VF·QC(正向电压和总电容电荷的乘积)是指代表SiC SBD损耗性能的指标,与具有相同额定电流的产品相比,该指标值越低,SiC SBD损耗越低。

特点

  • 正向直流电流额定值:IF(DC)=2A/3A(适用于小容量电源)
  • 高峰值正向浪涌电流
    (第二代产品:约比第一代产品高1.7倍)
  • 低的VF·QC[1],品质因数
    (第二代产品:约为第一代产品的2/3)

应用

  • 消费品和办公设备的高效电源
    (4K LCD电视、OLED电视、投影仪、多功能打印机等)
  • 工业设备用高效电源(基站、电脑服务器等)
  • 光伏逆变器

产品规格

(@Ta=25°C)

封装 器件型号 绝对最大额定值 电气特性
正向
直流电流
IF(DC)
(A)
非重复峰值
正向浪涌电流
IFSM
(A)
总的功率耗散
Ptot
(W)
正向电压
VF
(V)
结电容
Cj典型值
(pF)
总电容
电荷
QC典型值
(nC)
品质因数
VF·QC
典型值
(V·nC)
- @半正弦波
t=10ms
- @IF(DC) @VR=1V @VR=
0.1~400V
-
TO-220-2L TRS2E65F 2 21 41.6 1.45(典型值),
1.60(最大值)
85 5.8 8.4
TRS3E65F 3 27 48.3 120 8.1 11.7

内部电路

The illustration of internal circuit of expanded lineup of the second generation of SiC SBD products with a TO-220-2L package: TRS2E65F, TRS3E65F.

应用电路实例

The illustration of application circuit example of expanded lineup of the second generation of SiC SBD products with a TO-220-2L package: TRS2E65F, TRS3E65F.

SiC SBD经常用于连续电流模式(CCM)中的PFC部件。当Q1处于关断状态而交流电源开始供电时(例如,当电源接通时),大电流将流入PFC部件的二极管。IFSM是商用频率的浪涌能力,这是避免产品损坏的重要因素。

本文所示应用电路仅供参考。需要进行全面评估,特别是在量产设计阶段。东芝电子元件及存储装置株式会社提供这些应用电路实例并不表示提供了任何的工业产权许可。

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