双极晶体管的电气特性

以下是NPN晶体管的电气特性表示例

电气特性
特性 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
1. 集电极截止电流 ICBO VCB=60V,IE=0 0.1 μA
2.发射极截止电流 IEBO VEB=5V,IC=0 0.1 μA
3.直流电流增益 hFE(1)(注) VCE=6V,IC=2mA 70 700  
hFE(2) VCE=6V,IC=150mA 25 100
4.集电极-发射极饱和电压 VCE(SAT) IC=100mA,IB=10mA 0.1 0.25 V
5.基极-发射极饱和电压 VBE(SAT) IC=100mA,IB=10mA 1.0 V
特征频率 fT VCE=10V,IC=1mA 80 MHz
集电极输出电容 Cob VCB=10V,IE=0,f=1MHz 2.0 3.5 pF
与基极串联的电阻器 rbb VCE=10V,IE=-1mA,f=30MHz 50 Ω
噪声系数 NF VCE=6V,IC=0.1mA,f=1kHz,RG=10kΩ 1 10 dB
  • 注:hFE(1)分级:O:70~140,Y:120~240,GR:200~400,BL:350~700
1. 集电极截止电流

测量ICBO

 

2. 发射极截止电流

测量IEBO

 

3. 直流电流增益

测量直流电流增益hFE

 

增加基极-发射极电压(VBE)直至集电极电流(IC)达到指定值。调整VBE以保持IC恒定并测量基极电流(IB)。计算直流电流增益(hFE),如下所示:
hFE=IC/IB

直流电流增益(hFE)曲线示例 

 

4. 集电极-发射极饱和电压

测量集电极-发射极饱和电压,VCE(sat)

 

施加规定的恒定集电极电流(IC)以增加基极-发射极电压(VBE),直至基极电流(IB)达到指定值。调整IC以保持IB恒定并测量集电极-发射极电压。

 

5. 基极-发射极饱和电压

测量基极-发射极饱和电压VBE(sat)


施加规定的恒定集电极电流(IC)以增加基极-发射极电压(VBE)直至基极电流(IB)达到指定值。调整IC以保持IB恒定并测量基极-发射极电压。

 

注:保持恒流源的开路电压低于集电极-发射极击穿电压。

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))曲线示例

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