双极晶体管的电气特性

以下是NPN晶体管的电气特性表示例

电气特性
特性 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
1. 集电极截止电流 ICBO VCB＝60V，IE＝0 － － 0.1 μA
2.发射极截止电流 IEBO VEB＝5V，IC＝0 － － 0.1 μA
3.直流电流增益 hFE(1)（注） VCE＝6V，IC＝2mA 70 － 700  
hFE（2） VCE＝6V，IC＝150mA 25 100 －
4.集电极-发射极饱和电压 VCE（SAT） IC＝100mA，IB＝10mA － 0.1 0.25 V
5.基极-发射极饱和电压 VBE（SAT） IC＝100mA，IB＝10mA － － 1.0 V
特征频率 fT VCE＝10V，IC＝1mA 80 － － MHz
集电极输出电容 Cob VCB＝10V，IE＝0，f＝1MHz － 2.0 3.5 pF
与基极串联的电阻器 rbb VCE＝10V，IE＝-1mA，f＝30MHz － 50 － Ω
噪声系数 NF VCE＝6V，IC＝0.1mA，f＝1kHz，RG＝10kΩ － 1 10 dB
  • 注：hFE（1）分级：O：70~140，Y：120~240，GR：200~400，BL：350~700
1. 集电极截止电流

测量ICBO

 

2. 发射极截止电流

测量IEBO

 

3. 直流电流增益

测量直流电流增益hFE

 

增加基极-发射极电压（VBE）直至集电极电流（IC）达到指定值。调整VBE以保持IC恒定并测量基极电流（IB）。计算直流电流增益（hFE），如下所示：
hFE＝IC/IB

直流电流增益（hFE）曲线示例　

 

4. 集电极-发射极饱和电压

测量集电极-发射极饱和电压，VCE(sat)

 

施加规定的恒定集电极电流（IC）以增加基极-发射极电压（VBE），直至基极电流（IB）达到指定值。调整IC以保持IB恒定并测量集电极-发射极电压。

 

5. 基极-发射极饱和电压

测量基极-发射极饱和电压VBE(sat)


施加规定的恒定集电极电流（IC）以增加基极-发射极电压（VBE）直至基极电流（IB）达到指定值。调整IC以保持IB恒定并测量基极-发射极电压。

 

注：保持恒流源的开路电压低于集电极-发射极击穿电压。

集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）曲线示例

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