东芝的栅极驱动电路IC与MOSFET组合后,实现了具有保护功能的平滑导通和关断负载开关。利用共漏极MOSFET,该解决方案实现了具有反向电流阻断功能的小型低损耗输电线。
下面显示了TCK425G与SSM10N954L在5V输电线中的组合示例。
器件型号 | 特性 |
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TCK425G | 过压保护MOSFET栅极驱动IC 栅极-源极电压:VGS=5.6V(典型值) 过压锁定:VIN_OVLO=6.31V(典型值) 封装:WCSP6G |
SSM10N954L | 共漏极N沟道MOSFET 源极-源极电压:VSSS=12V(最大值) 栅极-源极电压:±8V(最大值) 源极-源极导通电阻:当VGS=4.5V时,为2.1mΩ(典型值) 封装:TCSPAC-153001 |
无任何浪涌电流、输出电压过冲和欠冲的平滑导通和关断波形。
集成了过压锁定(OVLO)功能,可保护过压电源。当输入电压超过OVLO阈值时,OVLO功能会立即关闭输出。当输入电压降至OVLO阈值以下之后,输出开启。
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