SiC MOSFET
宽带隙功率半导体充分利用东芝第2代碳化硅（SiC）器件结构的优势，为高电压产品带来了极具吸引力的优势。与传统的硅（Si）功率半导体相比，东芝的SiC MOSFET具有更高的可靠性、在高温环境下的出色工作、高速开关和低导通电阻的特性。SiC MOSFET适用于大功率且高效的各类应用，包括工业电源、太阳能逆变器和UPS。
产品线
（除非另有规定，@Ta＝25℃）
| 产品代 |
器件型号 | 封装 | 绝对最大额定值 | 电气特性 | 库存查询与购买 | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VDSS（V） | VGSS （V） |
ID （A） |
RDS(ON) （mΩ） |
Vth （V） |
Qg （nC） |
Ciss （pF） |
||||
| Tc＝25°C | VGS＝18V | VDS＝10V | ||||||||
| 典型值 | 典型值 | 典型值 | ||||||||
| 第3代 | TW015N120C | TO-247 | 1200 | -10至25 | 100 | 15 | 3.0至5.0 | 158 | 6000 |  |
| TW030N120C | 60 | 30 | 82 | 2925 | |
|||||
| TW045N120C | 40 | 45 | 57 | 1969 | |
|||||
| TW060N120C | 36 | 60 | 46 | 1530 | |
|||||
| TW140N120C | 20 | 140 | 24 | 691 | |
|||||
| TW015N65C | 650 | 100 | 15 | 128 | 4850 | |
||||
| TW027N65C | 58 | 27 | 65 | 2288 | |
|||||
| TW048N65C | 40 | 48 | 41 | 1362 | |
|||||
| TW083N65C | 30 | 83 | 28 | 873 | |
|||||
| TW107N65C | 20 | 107 | 21 | 600 | |
|||||
| TW015Z120C | TO-247-4L(X) | 1200 | 100 | 15 | 158 | 6000 | |
|||
| TW030Z120C | 60 | 30 | 82 | 2925 | |
|||||
| TW045Z120C | 40 | 45 | 57 | 1969 | |
|||||
| TW060Z120C | 36 | 60 | 46 | 1530 | |
|||||
| TW140Z120C | 20 | 140 | 24 | 691 | |
|||||
| TW015Z65C | 650 | 100 | 15 | 128 | 4850 | |
||||
| TW027Z65C | 58 | 27 | 65 | 2288 | |
|||||
| TW048Z65C | 40 | 48 | 41 | 1362 | |
|||||
| TW083Z65C | 30 | 83 | 28 | 873 | |
|||||
| TW107Z65C | 20 | 107 | 21 | 600 | |
|||||
技术文章
第3代碳化硅（SiC）MOSFET
东芝第3代碳化硅（SiC）MOSFET推出电压分别为650V和1200V的两款系列产品。与第2代产品一样，东芝新一代MOSFET内置了与SiC MOSFET内部PN结二极管并联的SiC肖特基势垒二极管（SBD），其正向电压（VF）低至-1.35V（典型值），以抑制RDS(on) 波动，从而提高可靠性。此外，与第2代产品相比，东芝先进的SiC工艺[1] 显著改善了单位面积导通电阻RonA，以及代表开关特性的性能指标Ron*Qgd。此外，极驱动电路设计简单，可防止开关噪声引起的故障。
东芝第3代SiC MOSFET拥有更低的功耗，支持各种高功率密度应用，如开关电源（数据中心服务器、通信设备等）、不间断电源（UPS）、光伏逆变器、电动汽车充电站等。
东芝第3代SiC MOSFET拥有更低的功耗，支持各种高功率密度应用，如开关电源（数据中心服务器、通信设备等）、不间断电源（UPS）、光伏逆变器、电动汽车充电站等。
第3代SiC MOSFET TO-247-4L
与目前主流的Si（硅）IGBT和MOSFET相比，使用SiC（碳化硅）的功率MOSFET不仅在低导通损耗和高温环境下工作方面表现出色，而且还有助于通过高速开关降低应用损耗。TO-247-4L(X)是东芝第3代SiC MOSFET产品的4端子型新封装，通过减少封装内源极线电感的影响，可以提高高速开关性能。这有助于降低服务器、不间断电源（UPS）和光伏逆变器等应用中的损耗。
第二代SiC MOSFET／IGBT开关损耗比较
东芝的TW070J120B 1200V SiC MOSFET具有低导通电阻，低输入电容和低总栅极电荷总量的特性，因而可实现高开关速度并降低功耗。
第二代SiC MOSFET的特性
由于碳化硅（SiC）的介电击穿强度大约是硅（Si）的10倍，因此SiC功率器件可以提供高耐压和低导通电阻。
使用SiC MOSFET的好处是什么?
与Si IGBT相比，东芝SiCMOS实现了低导通电阻和高速开关。
使用东芝的SiC MOSFET开启电源的新大门
SiC MOSFET支持小型化、低损耗电源
产品
3相AC 400V输入PFC转换器参考设计
使用第二代SiC MOSFET提高电源系统效率
5kW隔离式双向DC-DC转换器参考设计
使用第二代SiC MOSFET提高电源系统效率
文档
技术专辑
参考设计
应用
购买、样品、及IC可靠性查询
库存查询与购买
请输入3个以上字符
keyword:
Disclaimer for External Link
Through this website you are able to proceed to the website of our distributors ("Third Party Website") which is not under the control of Toshiba Corporation and its subsidiaries and affiliates (collectively "Toshiba"). The Third Party Website is made available to you as a convenience only and you agree to use the Third Party Website at your own risk. The link of the Third Party Website does not necessarily imply a recommendation or an endorsement by Toshiba of the Third Party Website. Please be aware that Toshiba is not responsible for any transaction done through the Third Party Website, and such transactions shall be subject to terms and conditions which may be provided in the Third Party Website.
Through this website you are able to proceed to the website of our distributors ("Third Party Website") which is not under the control of Toshiba Corporation and its subsidiaries and affiliates (collectively "Toshiba"). The Third Party Website is made available to you as a convenience only and you agree to use the Third Party Website at your own risk. The link of the Third Party Website does not necessarily imply a recommendation or an endorsement by Toshiba of the Third Party Website. Please be aware that Toshiba is not responsible for any transaction done through the Third Party Website, and such transactions shall be subject to terms and conditions which may be provided in the Third Party Website.
相关信息
在新窗口打开