SiC MOSFET

宽带隙功率半导体充分利用东芝第2代碳化硅（SiC）器件结构的优势，为高电压产品带来了极具吸引力的优势。与传统的硅（Si）功率半导体相比，东芝的SiC MOSFET具有更高的可靠性、在高温环境下的出色工作、高速开关和低导通电阻的特性。SiC MOSFET适用于大功率且高效的各类应用，包括工业电源、太阳能逆变器和UPS。

产品线

（除非另有规定，@Ta＝25℃）

产品代
 器件型号 封装 绝对最大额定值 电气特性 库存查询与购买
VDSS（V） VGSS
（V）		 ID
（A）		 RDS(ON)
（mΩ）		 Vth
（V）		 Qg
（nC）		 Ciss
（pF）
Tc＝25°C VGS＝18V VDS＝10V
典型值 典型值 典型值
第3代 TW015N120C TO-247 1200 -10至25 100 15 3.0至5.0 158 6000 Stock Checking
TW030N120C 60 30 82 2925 Stock Checking
TW045N120C 40 45 57 1969 Stock Checking
TW060N120C 36 60 46 1530 Stock Checking
TW140N120C 20 140 24 691 Stock Checking
TW015N65C 650 100 15 128 4850 Stock Checking
TW027N65C 58 27 65 2288 Stock Checking
TW048N65C 40 48 41 1362 Stock Checking
TW083N65C 30 83 28 873 Stock Checking
TW107N65C 20 107 21 600 Stock Checking
TW015Z120C TO-247-4L(X) 1200 100 15 158 6000 Stock Checking
TW030Z120C 60 30 82 2925 Stock Checking
TW045Z120C 40 45 57 1969 Stock Checking
TW060Z120C 36 60 46 1530 Stock Checking
TW140Z120C 20 140 24 691 Stock Checking
TW015Z65C 650 100 15 128 4850 Stock Checking
TW027Z65C 58 27 65 2288 Stock Checking
TW048Z65C 40 48 41 1362 Stock Checking
TW083Z65C 30 83 28 873 Stock Checking
TW107Z65C 20 107 21 600 Stock Checking

技术文章

第3代SiC MOSFET
东芝第3代碳化硅（SiC）MOSFET推出电压分别为650V和1200V的两款系列产品。与第2代产品一样，东芝新一代MOSFET内置了与SiC MOSFET内部PN结二极管并联的SiC肖特基势垒二极管（SBD），其正向电压（VF）低至-1.35V（典型值），以抑制RDS(on) 波动，从而提高可靠性。此外，与第2代产品相比，东芝先进的SiC工艺[1] 显著改善了单位面积导通电阻RonA，以及代表开关特性的性能指标Ron*Qgd。此外，极驱动电路设计简单，可防止开关噪声引起的故障。
东芝第3代SiC MOSFET拥有更低的功耗，支持各种高功率密度应用，如开关电源（数据中心服务器、通信设备等）、不间断电源（UPS）、光伏逆变器、电动汽车充电站等。
详细信息
第三代碳化硅（SiC）MOSFET
第3代SiC MOSFET TO-247-4L
与目前主流的Si（硅）IGBT和MOSFET相比，使用SiC（碳化硅）的功率MOSFET不仅在低导通损耗和高温环境下工作方面表现出色，而且还有助于通过高速开关降低应用损耗。TO-247-4L(X)是东芝第3代SiC MOSFET产品的4端子型新封装，通过减少封装内源极线电感的影响，可以提高高速开关性能。这有助于降低服务器、不间断电源（UPS）和光伏逆变器等应用中的损耗。
详细信息
第三代SiC MOSFET TO-247-4L
第2代SiC MOSFET／IGBT开关损耗比较
东芝的TW070J120B 1200V SiC MOSFET具有低导通电阻，低输入电容和低总栅极电荷总量的特性，因而可实现高开关速度并降低功耗。
详细信息
第2代SiC MOSFET的特性
由于碳化硅（SiC）的介电击穿强度大约是硅（Si）的10倍，因此SiC功率器件可以提供高耐压和低导通电阻。
详细信息
使用SiC MOSFET的好处是什么?
与Si IGBT相比，东芝SiCMOS实现了低导通电阻和高速开关。
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使用东芝的SiC MOSFET开启电源的新大门
SiC MOSFET支持小型化、低损耗电源
产品
详细信息
3相AC 400V输入PFC转换器参考设计
使用第2代SiC MOSFET提高电源系统效率
详细信息
5kW隔离式双向DC-DC转换器参考设计
使用第2代SiC MOSFET提高电源系统效率
详细信息

文档

名称 日期

技术专辑

应用

Uninterruptible power supply
Such as low power consumption and miniaturization are important in designing uninterruptible power supply (UPS). Toshiba provides information on a wide range of semiconductor products suitable for power sullpy units, inverter/converter units, control units, signal transmission units, etc., along with circuit configuration examples.
详细信息
LED照明
Such as high efficiency, low power consumption and miniaturization are important in designing LED lighting. Toshiba provides information on a wide range of semiconductor products suitable for power supply units, sensor signal input units, etc., along with circuit configuration examples.
详细信息
服务器
Such as low power consumption and miniaturization are important in designing server. Toshiba provides information on a wide range of semiconductor products suitable for power supply units, motor driving unit, over temperature monitoring unit, etc., along with circuit configuration examples.
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空调
Such as efficiency of motor driving, low power consumption and miniaturization are important in designing air conditioner. Toshiba provides information on a wide range of semiconductor products suitable for power sullpy units, motor driving units, control units, sensor signal input units, etc., along with circuit configuration examples.
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参考设计

PCB照片（示例）
1.6 kW服务器电源（升级版）
得益于东芝最新的功率器件和数字隔离器，这款1U尺寸、12 V输出的1.6 kW服务器电源在整个负载下实现了比使用相同电路拓扑的现有参考设计更高的效率。提供了电路设计和操作的设计文件和指南，可用作参考设计。
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使用SiC MOSFET的3相逆变器
该参考设计提供了使用1200V SiC MOSFET的3相逆变器的设计指南、数据和其他内容。此设计驱动交流440V电机。
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5kW隔离式双向DC-DC转换器的评估板图片
5kW隔离式双向DC-DC转换器
该参考设计提供了采用1200V SiC MOSFET双有源桥（DAB）转换方法的5kW隔离双向DC-DC转换器的设计指南，数据和其他内容。
DC-DC转换器
详细信息
3相AC 400V输入PFC转换器的特点
3相AC 400V输入PFC转换器
该参考设计提供了采用3相图腾柱拓扑结构和1200V SiC MOSFET的4kW 3相AC 400V输入PFC转换器的设计指南，数据和其他内容。
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