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SiC MOSFET

宽禁带功率半导体充分利用东芝第二代碳化硅(SiC)器件结构的优势,为高电压产品带来了极具吸引力的优势。与传统的硅(Si)功率半导体相比,东芝的SiC MOSFET具有更高的可靠性、在高温环境下的出色工作、高速开关和低导通电阻的特性。SiC MOSFET适用于大功率且高效的各类应用,包括工业电源、太阳能逆变器和UPS。

1200V SiC MOSFET TW070J120B

TO-3P(N)

新器件采用了可提高SiC MOSFET可靠性的东芝第二代芯片设计[1],实现了低输入电容、低栅极输入电荷以及低漏源导通电阻。

[1]2020年7月30日东芝新闻发布:“可提高碳化硅(SiC)MOSFET可靠性的东芝新器件结构问世”

(除非另有说明,@Ta=25℃)

器件型号

封装

绝对最大额定值

电气特性

VDSS(V)

ID(A)

RDS(ON)典型值(mΩ)

Vth(V)

Qg典型值(nC)

Ciss典型值(pF)

VDSF典型值(V)

TW070J120B

TO-3P(N)

1200

36.0

70

4.2至5.8

67

1680

-1.35

注:
VDSS:漏源电压, ID:漏极电流(DC)@Tc=25℃,RDS(ON):漏源导通电阻@VGS = 20V,
Vth:栅极电压阀值@VDS=10V,ID=20mA,Qg:栅极电荷总量,
Ciss:输入电容,VDSF:二极管正向电压@ IDR=10A,VGS=-5V

使用东芝的SiC MOSFET开启电源的新大门
解决环境和能源问题是一个重要的全球性问题。随着电力需求持续升高,对节能的呼声以及对高效、紧凑型电力转换系统的需求也迅速增加。
相比于传统的硅(Si)MOSFET和IGBT产品,基于全新碳化硅(SiC)材料的功率MOSFET具有耐高压,高速开关,低导通电阻性能。除减少产品尺寸外,该类产品可极大降低功率损耗。
SiC MOSFET支持小型化、低损耗电源
3相AC 400V输入PFC转换器参考设计
使用SiC MOSFET提高电源系统的效率
5kW隔离式双向DC-DC转换器参考设计
使用SiC MOSFET提高电源系统的效率
使用SiC MOSFET的好处是什么?
与Si IGBT相比,东芝SiCMOS实现了低导通电阻和高速开关。
SiC MOSFET有助于降低工业应用的功耗
东芝的TW070J120B 1200V SiC MOSFET具有低导通电阻,低输入电容和低总栅极电荷总量的特性,因而可实现高开关速度并降低功耗。
SiC MOSFET的特性
由于碳化硅(SiC)的介电击穿强度大约是硅(Si)的10倍,因此SiC功率器件可以提供高耐压和低导通电阻。

文档

技术专辑

应用

LED照明
不间断电源
服务器

参考设计

5kW隔离式DC-DC转换器
该参考设计提供了采用1200V SiC MOSFET双有源桥(DAB)转换方法的5kW隔离双向DC-DC转换器的设计指南,数据和其他内容。
3相AC 400V输入PFC转换器
该参考设计提供了采用3相图腾柱拓扑结构和1200V SiC MOSFET的4kW 3相AC 400V输入PFC转换器的设计指南,数据和其他内容。

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