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The information presented in this cross reference is based on TOSHIBA's selection criteria and should be treated as a suggestion only. Please carefully review the latest versions of all relevant information on the TOSHIBA products, including without limitation data sheets and validate all operating parameters of the TOSHIBA products to ensure that the suggested TOSHIBA products are truly compatible with your design and application.
Please note that this cross reference is based on TOSHIBA's estimate of compatibility with other manufacturers' products, based on other manufacturers' published data, at the time the data was collected.
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SiC MOSFET

宽禁带功率半导体充分利用东芝第二代碳化硅(SiC)器件结构的优势,为高电压产品带来了极具吸引力的优势。与传统的硅(Si)功率半导体相比,东芝的SiC MOSFET具有更高的可靠性、在高温环境下的出色工作、高速开关和低导通电阻的特性。SiC MOSFET适用于大功率且高效的各类应用,包括工业电源、太阳能逆变器和UPS。

产品线

(除非另有规定,@Ta=25℃)

产品代 器件型号 封装 绝对最大额定值 电气特性 库存查询与购买
漏极-源极电压
VDSS(V)
栅极-源极电压
VGSS(V)
漏极
电流(DC)
ID(A)
漏极-源极导通电阻
RDS(ON)
典型值(mΩ)
栅极阀值
电压
Vth(V)
总栅极电荷
Qg
典型值
(nC)
栅极-
漏极
电荷
Qgd
典型值
(nC)
输入电容
Ciss
典型值
(pF)

二极管正向电压
VDSF
典型值(V)

@Tc=25°C @VGS=18V @VDS=10V @VDS=400V,f=100kHz @VGS=-5V
第3代 TW015N120C TO-247 1200 -10至25 100 15 3.0至5.0 158 23 6000 -1.35

Stock Checking

TW030N120C 60 30 82 13 2925 Stock Checking
TW045N120C 40 45 57 8.9 1969 Stock Checking
TW060N120C 36 60 46 7.8 1530 Stock Checking
TW140N120C 20 140 24 4.2 691 Stock Checking
TW015N65C 650 100 15 128 19 4850 Stock Checking
TW027N65C 58 27 65 10 2288 Stock Checking
TW048N65C 40 48 41 6.2 1362 Stock Checking
TW083N65C 30 83 28 3.9 873 Stock Checking
TW107N65C 20 107 21 2.3 600 Stock Checking
第2代 TW070J120B TO-3P(N)   46 70
@VGS=20V
4.2至5.8 67 25 1680
@VDS=400V,f=100kHz
Stock Checking
第3代碳化硅(SiC)MOSFET
东芝第三代碳化硅(SiC)MOSFET推出电压分别为650V和1200V的两款系列产品。与第二代产品一样,东芝新一代MOSFET内置了与SiC MOSFET内部PN结二极管并联的SiC肖特基势垒二极管(SBD),其正向电压(VF)低至-1.35V(典型值),以抑制RDS(on) 波动,从而提高可靠性。此外,与第2代产品相比,东芝先进的SiC工艺[1]显著改善了单位面积导通电阻RonA,以及代表开关特性的性能指标Ron*Qgd。此外,极驱动电路设计简单,可防止开关噪声引起的故障。
东芝第三代SiC MOSFET拥有更低的功耗,支持各种高功率密度应用,如开关电源(数据中心服务器、通信设备等)、不间断电源(UPS)、光伏逆变器、电动汽车充电站等。
第三代碳化硅(SiC)MOSFET
第二代SiC MOSFET/IGBT开关损耗比较
东芝的TW070J120B 1200V SiC MOSFET具有低导通电阻,低输入电容和低总栅极电荷总量的特性,因而可实现高开关速度并降低功耗。
第二代SiC MOSFET的特性
由于碳化硅(SiC)的介电击穿强度大约是硅(Si)的10倍,因此SiC功率器件可以提供高耐压和低导通电阻。
使用SiC MOSFET的好处是什么?
与Si IGBT相比,东芝SiCMOS实现了低导通电阻和高速开关。
使用东芝的SiC MOSFET开启电源的新大门
SiC MOSFET支持小型化、低损耗电源
3相AC 400V输入PFC转换器参考设计
使用第二代SiC MOSFET提高电源系统效率
5kW隔离式双向DC-DC转换器参考设计
使用第二代SiC MOSFET提高电源系统效率

文档

名称 日期

技术专辑

参考设计

5kW隔离式DC-DC转换器
该参考设计提供了采用1200V SiC MOSFET双有源桥(DAB)转换方法的5kW隔离双向DC-DC转换器的设计指南,数据和其他内容。
3相AC 400V输入PFC转换器
该参考设计提供了采用3相图腾柱拓扑结构和1200V SiC MOSFET的4kW 3相AC 400V输入PFC转换器的设计指南,数据和其他内容。

应用

LED照明
不间断电源
服务器

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