采用小型封装、具有高允许功率耗散的100V双型N通道MOSFET产品：SSM6N815R
产品新闻2017年11月
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“SSM6N815R”是以低导通电阻为特性的100V双型N通道MOSFET产品。
凭借其低导通电阻特性，可降低电路中的功率耗散。该产品采用双型TSOP6F封装，相比于采用两个单型SOT-23F封装的情况，能降低安装面积约40%。它适用于LED灯和LCD电视中的LED驱动电路等同时要求高电压和较小安装面积的应用。
特点
- 低导通电阻
- 小封装[2.9×2.8mm（典型值）]
- 额定的高允许功率耗散
应用
- LED灯
- LCD电视
- 工业设备
产品规格
（@Ta=25°C）
| 器件型号 | 封装 | 绝对最大额定值 | 漏极-源极导通电阻 RDS（ON）典型值（mΩ） |
输入 电容 Ciss 典型值 （pF） |
|||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏极- 源极 电压 VDSS （V） |
栅极- 源极 电压 VGSS （V） |
漏极 电流 （DC） ID （A） |
功率 耗散 PD （W） |
@VGS= 4.0V |
@VGS= 4.5V |
@VGS= 10V |
|||
| SSM6N815R | TSOP6F | 100 | ±20 | 2.0 | 1.4 | 115 | 101 | 84 | 290 |
引脚分配
应用电路示例
本文所示应用电路仅供参考。需要进行全面评估，特别是在量产设计阶段。东芝电子元件及存储装置株式会社提供这些应用电路实例并不表示提供了任何的工业产权许可。
安装面积比较
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