什么是RC-IGBT和IEGT?
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反向导通IGBT：RC-IGBT
- RC-IGBT的结构如图3-16（a）所示。二极管由一部分p型层构成，p型层作为IGBT的n型集电极。该二极管具有与FWD*1相同的功能，FWD*1通常插入IGBT中。
- 随着薄晶片技术的引入，这种结构的商业化也成为了可能。由于二极管和IGBT是一个芯片，所以很容易组装。因为很难单独控制二极管和IGBT的性能，所以RC-IGBT不适合某些应用。
*1：FWD—续流二极管。一般用于输送电抗器产生的回流电流。
栅极注入增强型晶体管：IEGT
- 在高压IGBT中，由于发射极侧漂移层（n型层）载流子浓度较低，所以很难获得低VCE(sat)特性。
- IEGT开发用于获得高耐受电压（通常为1200V或更高）下的低VCE(sat)性能
- 图3-16（b）显示了IEGT的结构和原理。
- 它有一个沟槽栅结构。拉出栅电极将变薄。结果使得载流子聚集在薄栅电极的正下方，这就增加了发射极侧的载流子浓度
- 高的载流子密度降低了漂移层的电阻，使VCE(sat)降低
第Ⅲ章：晶体管
晶体管的类型
双极晶体管（BJT）
内置偏置电阻型晶体管（BRT）
结型场效应晶体管（JFET）
金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）
BJT和MOSFET的差异
MOSFET的结构和工作原理
MOSFET性能改进：RDS(ON)的决定因素
MOSFET性能改进：低RDS(ON)的解决方案
MOSFET性能改进：超级结MOSFET（SJ-MOS）
按结构分类的MOSFET特性摘要
MOSFET的性能：漏极电流和功耗
MOSFET的性能：雪崩能力
MOSFET的性能：电容的特性
MOSFET的性能：安全工作区域（或安全操作区域）
绝缘栅双极晶体管（IGBT）
绝缘栅双极晶体管（IGBT）的工作原理
IGBT的性能改进：垂直设计的发展
IGBT的应用
IGBT和MOSFET的正向特性比较
晶体管的结构比较
MOSFET的数据表：最大额定值
MOSFET的数据表：电气特性
MOSFET的数据表：电容和开关特性
MOSFET的数据表：体二极管
相关信息
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