什么是RC-IGBT和IEGT?

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反向导通IGBT：RC-IGBT

  • RC-IGBT的结构如图3-16（a）所示。二极管由一部分p型层构成，p型层作为IGBT的n型集电极。该二极管具有与FWD*1相同的功能，FWD*1通常插入IGBT中。
  • 随着薄晶片技术的引入，这种结构的商业化也成为了可能。由于二极管和IGBT是一个芯片，所以很容易组装。因为很难单独控制二极管和IGBT的性能，所以RC-IGBT不适合某些应用。

*1：FWD—续流二极管。一般用于输送电抗器产生的回流电流。

RC-IGBT的结构
图3-16（a）RC-IGBT的结构

栅极注入增强型晶体管：IEGT

  • 在高压IGBT中，由于发射极侧漂移层（n型层）载流子浓度较低，所以很难获得低VCE(sat)特性。
  • IEGT开发用于获得高耐受电压（通常为1200V或更高）下的低VCE(sat)性能
  • 图3-16（b）显示了IEGT的结构和原理。
  • 它有一个沟槽栅结构。拉出栅电极将变薄。结果使得载流子聚集在薄栅电极的正下方，这就增加了发射极侧的载流子浓度
  • 高的载流子密度降低了漂移层的电阻，使VCE(sat)降低

 

IEGT的结构和载流子密度
图3-16（b）IEGT的结构和载流子密度

第Ⅲ章：晶体管

晶体管的类型
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双极晶体管（BJT）
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内置偏置电阻型晶体管（BRT）
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结型场效应晶体管（JFET）
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金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）
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BJT和MOSFET的差异
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