结型场效应晶体管(JFET)

<JFET的操作>
JFET:结型场效应晶体管

(1)在N沟道结型场效应晶体管(图3-3(a))中,当在漏极和源极之间施加电压时,电子从源极流向漏极。
(2)当在栅极和源极之间施加反向偏压时,耗尽层扩大并抑制(1)中的电子流动。(使电子流动的路径变窄)
(3)如果栅极和源极之间的反向偏压进一步增加,耗尽层就会阻塞通道,电子流动停止。

如上所示,施加在栅极和源极之间的电压控制着漏极和源极之间的状态。所以场效应晶体管是电压驱动的器件。

N沟道JFET的符号和操作
图3-3(a)N沟道JFET的符号和操作
P沟道JFET的符号和操作
图3-3(b)P沟道JFET的符号和操作

注:电流方向与电子流动方向相反。耗尽层的拓宽机理与二极管相同。

第Ⅲ章:晶体管

晶体管的类型
双极晶体管(BJT)
内置偏置电阻型晶体管(BRT)
金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
BJT和MOSFET的差异
MOSFET的结构和工作原理
MOSFET性能改进:RDS(ON)的决定因素
MOSFET性能改进:低RDS(ON)的解决方案
MOSFET性能改进:超级结MOSFET(SJ-MOS)
按结构分类的MOSFET特性摘要
MOSFET的性能:漏极电流和功耗
MOSFET的性能:雪崩能力
MOSFET的性能:电容的特性
MOSFET的性能:安全工作区域(或安全操作区域)
绝缘栅双极晶体管(IGBT)
绝缘栅双极晶体管(IGBT)的工作原理
IGBT的性能改进:垂直设计的发展
什么是RC-IGBT和IEGT?
IGBT的应用
IGBT和MOSFET的正向特性比较
晶体管的结构比较
MOSFET的数据表:最大额定值
MOSFET的数据表:电气特性
MOSFET的数据表:电容和开关特性
MOSFET的数据表:体二极管

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