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东芝的新型100V N沟道功率MOSFET有助于降低汽车设备的功耗

2020年02月25日

东芝电子元件及存储装置株式会社

- 推出采用东芝最新一代工艺的U-MOS X-H系列 -

XK1R9F10QB

东京--东芝电子元件及存储装置株式会社(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation,简称“东芝”)发布“XK1R9F10QB”,这是一款100V N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),适用于车载48V设备应用,例如负载开关、开关电源和电机驱动。出货即日启动。

这款新产品是东芝采用沟槽结构的新型U-MOS X-H系列MOSFET中的首款产品,采用其最新[1]一代工艺制造。它采用低电阻TO-220SM(W)封装,提供业界优秀的低导通电阻[2],最大导通电阻为1.92mΩ,与当前的“TK160F10N1L”相比下降约20%。这一进步有助于降低设备功耗。由于电容特性得到优化,它还提供更低的开关噪声,从而有助于降低设备的EMI[3]。 此外,将阈值电压宽缩小至1V,可以增强并联时的开关同步性。

应用

车载设备(负载开关、开关电源和电机驱动等)

特性

  • 采用沟槽结构的U-MOS X-H系列MOSFET
  • 业界优秀的低导通电阻

  RDS(ON)=1.92mΩ(最大值)@VGS=10V

  • 符合AEC-Q101要求

主要规格

(@Ta=25°C)

器件型号

极性

绝对最大额定值

漏源

导通电阻

RDS(ON) max

(mΩ)

沟道到管壳的热阻

Zth(ch-c)

最大值

(℃/W)

封装

系列

漏源电压

VDSS

(V)

漏极电流

(直流)

ID

(A)

漏极电流

(脉冲)

IDP

(A)

沟道温度

Tch

(℃)

@VGS

=6V

@VGS

=10V

XK1R9F10QB

N沟道

100

160

480

175

3.31

1.92

0.4

TO-220SM(W)

U-MOS X-H

注:

[1] 截至2020年2月25日

[2] 与具有相同VDSS最大额定值和封装等级的产品进行比较; 根据东芝调查,截至2020年2月25日。

[3] EMI(电磁干扰)

如需了解有关新产品的更多信息,请访问:

XK1R9F10QB

如需了解有关东芝车载MOSFET的更多信息,请访问:

车载MOSFET

* 公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。

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