东芝的新型100V N沟道功率MOSFET有助于降低汽车设备的功耗
2020年02月25日
东芝电子元件及存储装置株式会社
- 推出采用东芝最新一代工艺的U-MOS X-H系列 -
东京--东芝电子元件及存储装置株式会社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation，简称“东芝”）发布“XK1R9F10QB”，这是一款100V N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），适用于车载48V设备应用，例如负载开关、开关电源和电机驱动。出货即日启动。
这款新产品是东芝采用沟槽结构的新型U-MOS X-H系列MOSFET中的首款产品，采用其最新[1]一代工艺制造。它采用低电阻TO-220SM（W）封装，提供业界优秀的低导通电阻[2]，最大导通电阻为1.92mΩ，与当前的“TK160F10N1L”相比下降约20%。这一进步有助于降低设备功耗。由于电容特性得到优化，它还提供更低的开关噪声，从而有助于降低设备的EMI[3]。 此外，将阈值电压宽缩小至1V，可以增强并联时的开关同步性。
应用
车载设备（负载开关、开关电源和电机驱动等）
特性
- 采用沟槽结构的U-MOS X-H系列MOSFET
- 业界优秀的低导通电阻
RDS(ON)=1.92mΩ（最大值）＠VGS=10V
- 符合AEC-Q101要求
主要规格
（@Ta=25°C）
器件型号 |
极性 |
绝对最大额定值 |
漏源 导通电阻 RDS(ON) max （mΩ） |
沟道到管壳的热阻 Zth(ch-c) 最大值 （℃/W） |
封装 |
系列 |
||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
漏源电压 VDSS （V） |
漏极电流 （直流） ID （A） |
漏极电流 （脉冲） IDP （A） |
沟道温度 Tch （℃） |
@VGS =6V |
@VGS =10V |
|||||
N沟道 |
100 |
160 |
480 |
175 |
3.31 |
1.92 |
0.4 |
TO-220SM(W) |
U-MOS X-H |
|
注：
[1] 截至2020年2月25日
[2] 与具有相同VDSS最大额定值和封装等级的产品进行比较； 根据东芝调查，截至2020年2月25日。
[3] EMI（电磁干扰）
如需了解有关新产品的更多信息，请访问：
如需了解有关东芝车载MOSFET的更多信息，请访问：
* 公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。
客户问询：
日本总部
功率器件销售与市场部
电话：+81-3-3457-3933
中国地区
分立器件市场部（Discrete Marketing）
电话：021-6090-0610
* 本文档中的产品价格和规格、服务内容和联系方式等信息，在公告之日仍为最新信息，如有变更，恕不另行通知。