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东芝面向车载应用推出采用紧凑型封装的100V N沟道功率MOSFET

2019年12月25日

东芝电子元件及存储装置株式会社

XPH4R10ANB, XPH6R30ANB

中国上海,2019年12月25日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出两款面向车载48V电气系统应用的新型100V N沟道功率MOSFET。该系列包括具备低导通电阻的“XPH4R10ANB”,其漏极电流为70A,以及“XPH6R30ANB”,其漏极电流为45A。批量生产和出货计划于今天开始。

 

新产品是东芝首款[1]采用紧凑型SOP Advance(WF)封装的车用100V N沟道功率MOSFET。封装采用可焊锡侧翼端子结构,安装在电路板上时能够进行自动目视检查,从而有助于提高可靠性。新型MOSFET的低导通电阻有利于降低设备功耗;XPH4R10ANB拥有业界领先的[2]低导通电阻。

应用

  • 汽车设备
    电源装置(DC-DC转换器)和LED头灯等(电机驱动、开关稳压器和负载开关)

特性

  • 东芝的首款[1]100V车用产品使用小型表面贴装SOP Advance(WF)封装
  • 通过AEC-Q101认证
  • 低导通电阻:
       RDS(ON)=4.1mΩ(最大值)@VGS=10V(XPH4R10ANB)
       RDS(ON)=6.3mΩ(最大值)@VGS=10V(XPH6R30ANB)
  • 采用可焊锡侧翼端子结构的SOP Advance(WF)封装

主要规格

(除非另有说明,@Ta=25°C)

器件型号

极性

绝对最大额定值

漏源极导通电阻

RDS(ON) 最大值

(mΩ)

沟道至外壳热阻

Zth(ch-c)

最大值

@Tc=25℃

(℃/W)

封装

产品系列

漏源极电压

VDSS

(V)

漏极电流 (DC)

ID

(A)

漏极电流 (脉冲)

IDP

(A)

沟道温度

Tch

(℃)

@VGS

=6V

@VGS

=10V

XPH4R10ANB

N沟道

100

70

210

175

6.2

4.1

0.88

SOP Advance(WF)

U-MOSVIII-H

XPH6R30ANB

45

135

9.5

6.3

1.13

U-MOSVIII-H

注:

[1] 截至2019年12月25日

[2] 在同样规格的产品中,截至2019年12月25日。东芝调查。

如需了解有关新产品的更多信息,请访问以下网址:

XPH4R10ANB

XPH6R30ANB

如需了解有关东芝车载MOSFET的更多信息,请访问以下网址:

车载MOSFET

*公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。

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