什么是IGBT的拖尾电流？

IGBT是一种功率晶体管，由于在MOSFET的漏极侧形成了P层，因此以双极模式工作。IGBT使用一种称为电导率调制的现象，当从该P区注入空穴时，导通时高电阻N漂移层的电阻率会降低。

由于电导率调制，可降低导通电压，但是IGBT关断时需从N漂移层中去除少数载流子。

当IGBT开始关断时，少数载流子被清出到外部电路。当IGBT的集电极-发射极电压（V_CE）上升至一定水平时（即在耗尽区扩大后），少数载流子会产生内部复合电流。此电流称为拖尾电流。由于拖尾电流是施加了高V_CE电压的集电极电流，因此它是造成开关损耗的重要因素之一。

为减少拖尾电流从而减少开关损耗，原则上IGBT可以减少：1）少数载流子的寿命；及2）从集电极注入空穴量。但这两种技术都会导致导通电压升高。因此，IGBT的设计应根据其预期应用在这些特性之间实现最佳平衡。