是否可以并联多个IGBT？如果可以，那么并联有哪些注意事项？

我们建议使用额定值更高的IGBT，而不是并联两个IGBT。在不可避免的使用并联方案的情况下，设计时请注意以下几点。

1. 在大电流区域中，IGBT的集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）具有正温度依赖性。但许多IGBT在小电流区域以及实际使用区域中都表现出负温度依赖性。如果这些IGBT并联，则更大比例的电流会流向具有较低VCE(sat)的那个。这一比例会随着温度的升高而增加。为平衡并联IGBT之间的电流，它们应具有相等的VCE(sat)_。
2. 如果并联的IGBT由与栅极串联的单个外部栅极电阻（R_G）驱动，则IGBT的栅极-发射极电压可能会振荡，从而导致集电极电压和电流振荡。为防止这种振荡，需要在每个IGBT上增设单独的栅极电阻（R_G1和R_G2），并抑制闭环栅极驱动电路的寄生电感。
3. 主电路的寄生电感可能会导致振荡、浪涌电压、电流不平衡以及开关过程中的其它异常情况。寄生电感（L_S*）是导致这些问题的主要原因，具体如下所示。电路板走线布局的设计必须能将这些寄生电感尽量减小至接近零。对于并联操作，主电路的电路板走线设计必须能将L_S1和L_S2减至零。