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有助于高压直流传输系统和工业电机驱动逆变器等工业设备的小型化和高效率化的新型压装IEGT

2021年12月产品新闻

有助于高压直流传输系统和工业电机驱动逆变器等工业设备的小型化和高效率化的新型压装IEGT

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)已开始量产压装式栅极注入增强型晶体管(IEGT)“ST2000GXH32”,这款晶体管采用沟槽型IEGT芯片和新开发的用于高压转换器的高速二极管芯片。产品集电极-发射极电压额定值为4500V,集电极电流(DC)额定值为2000A。
二极管的阴极结构抑制反向恢复过程中的电压振荡,提高反向恢复容限。新开发的电压阻断结构提高二极管高温耐压能力。与东芝现有产品[1]相比,新产品ST2000GXH32可抑制小反向恢复电流时的电压振荡,因此可使用小型栅极驱动电阻(RG(on)),开通损耗[2][3](Eon)从12.0J下降至8.4J(典型值),大约降低30%。此外,改进后的阴极反向恢复峰值功率提高约29%。同时,由于提升了二极管耐高温性,ST2000GXH32结温 额定值(Tj)从125°C提高到150°C (最大值)。
ST2000GXH32适用于直流电力传输、静态无功 (VAR) 补偿器、电机驱动逆变器和转换器等高压工业设备小型化和节能。

注:

[1] ST2000GXH31
[2] ST2000GXH31条件:VCC=2800V,IC=2000A,RG(on)=5.6Ω,LS≈300nH,Tj =125°C
[3] ST2000GXH32条件:VCC=2800V,IC=2000A,RG(on)=3.6Ω,LS≈300nH,Tj=150°C

应用

  • 直流电力传输
  • 静态无功补偿器
  • 工业电机驱动

特性

  • 低导通损耗:
    Eon(典型值)=8.4J(@VCC=2800V,IC=2000A,RG(on)=3.6Ω,LS≈300nH,Tj=150℃)
  • 宽反向恢复安全操作区
  • 最大结温额定值:Tj(最大值)=150℃

主要规格

(除非另有说明,@Tc=25 °C)

器件型号
ST2000GXH32
封装 PPI125A2
绝对最大额定值 集电极-发射极电压VCES(V) 4500
栅极-发射极电压VGES(V) ±20
集电极电流(DC) IC(A) @Tf=101°C 2000
二极管正向电流(DC)IF(A) @Tf=64°C 2000
结温Tj(°C) -40至150
电气特性 集电极-发射极饱和电压
VCE(sat)典型值(V)
@VGE=15V,IC=2000A,
Tj=150°C
2.70
正向电压VF典型值(V) @IF=2000A,Tj=150°C 2.80
开通损耗
Eon典型值(J)
@VCC=2800V,IC=2000A,
RG(on)=3.6Ω,LS≈300nH,
Tj=150°C
8.4
关断损耗
Eoff典型值(J)
@VCC=2800V,IC=2000A,
RG(off)=56Ω,LS≈300nH,
Tj=150°C
13.2
反向恢复损耗
Err典型值(J)
@VCC=2800V,IF=2000A,
RG(on)=3.6Ω,LS≈300nH,
Tj=150°C
3.5

内部电路

内部电路图

应用电路示例

直流电力传输MMC电路
电机驱动转换器和逆变器电路

注:
本文所示应用电路仅供参考。
需要进行全面评估,特别是在量产设计阶段。
提供这些应用电路示例并不授予任何工业产权许可。

本文中的信息(包括产品价格和规格、服务内容和联系信息)为公告之日最新信息,如有变更,恕不另行通知。

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