什么是电导率调制？

当IGBT和其它双极型器件^(*1)导通时，载流子注入高电阻漂移层会导致其电阻率降低。这称为电导率调制。

IGBT和其它高压开关器件中的N漂移层很厚，掺杂浓度低。因此，N漂移层的电阻率极高。当栅极-发射极和集电极-发射极通路发生正偏置时，IGBT导通，如下所示。此时，空穴从集电极P区经N区注入N-区。因此，高电阻N-区中的载流子浓度增加，导致其电阻率降低。最后，其正向电压降减小，使IGBT成为具有低导通电压的开关器件。

导通期间的这种电导率增加（即电阻率降低）即称为电导率调制。

^(*1)双极型器件作为一种半导体器件，同时将电子和空穴用作电荷载流子进行电流导通。相反，MOSFET等单极器件仅使用一种类型的电荷载流子。